公开(公告)号：WO1996042048A1

公开(公告)日：1996-12-27

申请号：PCT/DE1996000981

申请日：1996-06-04

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT ,  PRANGE, Stefan ,  THEWES, Roland ,  WOHLRAB, Erdmute ,  WEBER, Werner

Inventor： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

IPC: G06F07/50

CPC classification number: G06F7/5013 ,  G06F7/523 ,  G06F2207/4818 ,  H03K19/0813

Abstract: The invention relates to a circuit by means of which all logic elements which can be represented in the form of a threshold equation can be produced. To this end, parallel transistors (T1, T2, T3, ..., Tn) of a transistor unit are dimensioned so that the transverse currents (It1, It2, It3, ..., Itn) flowing through the transistors (T1, T2, T3, ..., Tn) represents a weighted summand of a first term of the threshold equation. A second term in the threshold equation is formed by a reference current IR representing the value of the second term. An evaluation unit (BE) compares a total current found from the sum of the transverse currents (It1, It2, It3, ..., Itn with the reference current IR. The result of evaluation is provided in the form of a stable output signal at an output of the evaluation unit (BE).

Abstract translation: 本发明涉及一种与可在阈值方程的形式来表示的所有逻辑元件可实现的电路布置。 为了这个目的，并联连接的晶体管（T1，T2，T3，...，TN）的尺寸使得一个晶体管单元（TE）的通过所述晶体管（T1，T2，T3，...，TN）流动的交叉电流（IT1 各自表示It2中，IT3，...，ITN）的阈值等式的第一项的加权被加数。 阈值方程的第二项是由所述第二术语参考电流IR的值的代表形成。 评估单元（BE）的总电流从横向电流（IT1，It2中，IT3，...，ITN）的结果的总和进行比较，与基准电流IR。 评价结果在一个稳定的输出信号的形式在所述评估单元（BE）的输出而获得。

公开(公告)号：WO1996042049A1

公开(公告)日：1996-12-27

申请号：PCT/DE1996000971

申请日：1996-06-03

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT ,  THEWES, Roland ,  PRANGE, Stefan ,  WOHLRAB, Erdmute ,  WEBER, Werner

Inventor： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

IPC: G06F07/52

CPC classification number: G06F7/53 ,  G06F2207/4826

Abstract: The invention relates to a circuit by means of which two electrical quantities in the form of a first transverse current (I1) and a second transverse current (I2) can be mutually compared. The circuit has a first inverter stage (n1, p1). An output (50, 51) of the two inverter stages (n1, p1, n2, p2) are coupled to an input of the other inverter stage (52, 53). Between the two outputs of the two inverter stages (n1, p2) there is a reset unit (5) which, on being activated, starts the current comparison. If the reset unit (5) is deactivated, the output datum obtained during the evaluation remains stable.

Abstract translation: 本发明涉及一种电路装置，通过该两个电量与在第一交叉电流（I1）的形式彼此和第二横流（I2）进行比较。 该电路装置具有第一倒相级（N1，P1）和在第二逆变器级（N 2，P 2）。 两个逆变级（N1，P1，N2，P2）中的一个输出端（50，51）被连接到耦接的另一逆变器级（52，53）的输入。 两个逆变级（N1，P2）的两个输出端之间是启动在激活时电流的比较的复位单元（5）。 如果复位单元（5）被禁用，在评估中获得的输出数据保持稳定。

公开(公告)号：WO2002069284A1

公开(公告)日：2002-09-06

申请号：PCT/EP2002/001013

申请日：2002-01-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  PALM, Herbert ,  WOHLRAB, Erdmute ,  TADDIKEN, Hans

Inventor： PALM, Herbert ,  WOHLRAB, Erdmute ,  TADDIKEN, Hans

IPC: G07F1/00

CPC classification number: H01L29/511 ,  G04F1/005 ,  G04F10/10 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: Eine Zeiterfassungsvorrichtung verwendet eine Floating-Gate-Zelle, bei der eine ON-Schichtstruktur bzw. eine ONO-Schichtstruktur zwischen Floating-Gate und Steuer-Gate vorgesehen ist. Eine Ladungsinjektionseinrichtung ist vorgesehen, um Ladungen in die Floating-Gate-Elektrode und in die Nitridschicht der ON-Struktur bzw. der ONO-Schichtstruktur zu injizieren, indem eine Spannung oder Spannungspulse an die Steuer-Gate-Elektrode angelegt werden, wobei sich ein Schwerpunkt der in die Nitridschicht injizierten Ladungen an der Grenzfläche zwischen Oxidschicht und Nitridschicht der Schichtfolge befindet. Die Zeiterfassungsvorrichtung umfaßt ferner eine Einrichtung zum Erfassen einer seit dem Injizieren der Ladungen verstrichenen Zeit basierend auf Änderungen des Übertragungsverhaltens des Kanalbereichs, die durch eine Verschiebung des Schwerpunkts der Ladungen in der Nitridschicht von der Grenzfläche weg bewirkt werden.

Abstract translation: 时间检测装置使用浮置栅极单元，其中在浮置栅极和控制栅极之间提供ON层结构。 提供电荷注入装置以通过向控制栅极电极施加电压或电压脉冲分别将电荷注入到浮置栅极电极和ON结构和ONO层结构的氮化物层中，其中重心 注入到氮化物层中的电荷位于层序列的氧化物层和氮化物层之间的界面处。 时间检测装置还包括用于基于由氮化物层中的电荷的重心偏离界面而引起的沟道区域的传输特性的改变来检测从注入电荷起经过的时间的装置。

公开(公告)号：WO02069284A8

公开(公告)日：2002-11-14

申请号：PCT/EP0201013

申请日：2002-01-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  PALM HERBERT ,  WOHLRAB ERDMUTE ,  TADDIKEN HANS

Inventor： PALM HERBERT ,  WOHLRAB ERDMUTE ,  TADDIKEN HANS

IPC: G04F10/10 ,  G04F1/00 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/511 ,  G04F1/005 ,  G04F10/10 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: The invention relates to a time-detection device using a floating-gate-cell, wherein an ON-layer structure or a ONO-layer structure is provided between the floating-gate and the control-gate. A charge injection device is supplied in order to insert the floating-gate-electrode into the nitride layer of the ON-structure or the ONO-layer structure, wherein a voltage or a voltage pulse is applied to the control-gate-electrode, the centre of gravity of the charges injected into the nitride layer being located on the defining surface. Said time-detection device also comprises a device for detecting time elapsed since injection of the charges, based on changes in the transmission behaviour of the channel area, which are effected by displacement of the centre of gravity of the charges in the nitride layer away from the defining surface.

Abstract translation: 甲时间检测装置使用在其上设置的导通层结构或浮置栅极和控制栅极之间的ONO层结构的浮动栅极单元。 电荷注入装置被提供到电荷注入到浮置栅电极并进入ON-结构或通过施加电压或电压脉冲的ONO层结构的氮化物层被施加到控制栅电极，在重力的其中一个中心 在位于所述层序列的氧化物层和氮化物层之间的界面处的氮化物层中的注入的电荷。 时间检测装置还包括用于检测由于电荷经过基于在所引起的移位远离在从接口的氮化物层的电荷的重心的沟道区域的传输行为的变化时的喷射的装置。

公开(公告)号：WO1996042050A1

公开(公告)日：1996-12-27

申请号：PCT/DE1996000972

申请日：1996-06-03

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT ,  THEWES, Roland ,  PRANGE, Stefan ,  WOHLRAB, Erdmute ,  WEBER, Werner

Inventor： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

IPC: G06F07/52

CPC classification number: G06F7/53 ,  G06F2207/4826 ,  H03K5/2481 ,  H03K5/249

Abstract: The invention relates to a circuit which compares a quantity supplied by a first neuron MOS field effect transistor (M1) with a reference value provided by a reference source (R). To this end there is a current mirror (SP) facilitating a comparison between a second current (I2) supplied by a reference transistor (R) and a first current (I1) supplied by the first neuron MOS field effect transistor (M1). The assessment circuit is activated or decoupled by a first switch unit (S1) and a second switch unit (S2). This ensures that no current flows in the evaluation circuit in the inoperative position. The result of comparison is applied to an inverter stage (IS). As the inverter stage (IS) is decoupled from the evaluation circuit by the first switch unit (S1), there is never an undefined level at the inverter stage (IS). Advantage can be taken of this during data processing in subsequent stages.

Abstract translation: 本发明涉及一种电路装置，与参考可变（R）提供的第一神经元MOS场效应晶体管（M1）中的一个的大小是由参考源提供的。 为了这个目的，一个电流镜（SP）被提供，其被供给的来自参考晶体管（R）的第二电流（I 2）与所述第一神经元MOS场效应晶体管（M1）的第一电流（I1）中的一个提供的允许的比较。 通过第一开关单元（S1）和第二开关单元（S2）被激活时，所述评估电路或断开。 这确保了没有电流在评估电路流动处于静止状态。 比较结果被施加到逆变器级（IS）。 因为逆变器级（IS）通过所述第一开关单元（S1）从所述评估电路去耦，在逆变器级（IS）是从来没有在不确定电平的输出（AIS）。 这可以被用来在后续阶段进一步的数据处理来获益。