量子ドットを含有する蛍光標識剤
    4.
    发明申请
    量子ドットを含有する蛍光標識剤 审中-公开
    含有量子的荧光标记物

    公开(公告)号:WO2010016289A1

    公开(公告)日:2010-02-11

    申请号:PCT/JP2009/054057

    申请日:2009-03-04

    CPC classification number: G01N33/588 B82Y15/00 C09K11/592 C09K11/7777

    Abstract:  高い発光強度を有しながら、その発光特性が保存環境に依存して変動することが少なく高い環境安定性を有する量子ドットを含有する蛍光標識剤を提供する。本発明の蛍光標識剤は、量子ドットを含有する蛍光標識剤であって、(1)1蛍光標識剤当たり少なくとも3つの量子ドットと保護材とからなる蛍光標識剤コア部及び(2)当該蛍光標識剤コア部を被覆する有機表面被覆層とからなり、かつ当該蛍光標識剤コア部の平均粒径が、10~50nmであることを特徴とする。

    Abstract translation: 公开了含有量子点的荧光标记剂,根据荧光标记剂的存储环境,发光特性的波动很小,因此环境稳定性高,发光强度高。 具体公开的是含有量子点的荧光标记剂,其包括:(1)每个荧光标记试剂和保护材料包含至少三个量子点的荧光标记试剂核心部分; 和(2)包围荧光标记试剂核心部分的有机表面被覆层,其中荧光标记试剂核心部分的平均粒径为10〜50nm。

    蛍光体標識化合物
    5.
    发明申请
    蛍光体標識化合物 审中-公开
    标签荧光化合物

    公开(公告)号:WO2008123291A1

    公开(公告)日:2008-10-16

    申请号:PCT/JP2008/055682

    申请日:2008-03-26

    CPC classification number: C09K9/02 B82Y30/00 G01N21/64 G01N33/587 Y10T428/2991

    Abstract:  本発明は、生体標識への検出性が非常に安定で感度も高い蛍光体標識化合物を提供する。蛍光体標識化合物は、表面に表面修飾化合物が配置されており、かつ平均粒径が1.0~20nmである無機蛍光体ナノ粒子からなり、該無機蛍光体ナノ粒子の粒径に対する、該表面修飾化合物の該無機蛍光体ナノ粒子の表面からの長さの比率が0.10~0.50であり、かつ該表面修飾化合物がついていない無機蛍光体ナノ粒子の比重に対する、該表面修飾化合物がついた無機蛍光体ナノ粒子の比重の比率が0.80~0.40であることを特徴とする。

    Abstract translation: 标记荧光化合物,能够在生物标记中进行高度稳定的检测并具有高灵敏度。 标记荧光化合物的特征在于由其表面上设置有平均粒径为1.0〜20nm的表面改性化合物的无机荧光纳米粒子构成。 其特征在于,从无机荧光纳米粒子的表面测定的表面改性化合物的长度与无机荧光纳米粒子的粒径的比例为0.10〜0.50,并且比重 具有固定有表面改性化合物的无机荧光纳米颗粒的比重为不具有表面改性化合物的无机荧光纳米粒子的比重为0.80〜0.40。

    ナノ半導体粒子の製造方法
    6.
    发明申请
    ナノ半導体粒子の製造方法 审中-公开
    生产半导体纳米粒子的方法

    公开(公告)号:WO2007086302A1

    公开(公告)日:2007-08-02

    申请号:PCT/JP2007/050677

    申请日:2007-01-18

    Abstract:  本発明は、優れた光学特性の光学素子となり得るコア・シェル構造のナノ半導体粒子の製造方法を提供することを目的とする。  本発明のナノ半導体粒子の製造方法は、管径1μm~3mmのマイクロリアクタ流路内に、液滴化させたナノ半導体粒子前駆体を加熱焼成する工程を少なくとも含むことを特徴としている。好ましくは、管径1μm~3mmのマイクロリアクタ流路内に、ナノ半導体粒子前駆体を形成する前駆体形成工程、形成された前記ナノ半導体粒子前駆体を含む溶液を液滴化する工程、ならびに液滴化された前記ナノ半導体粒子を含む溶液を加熱焼成する工程、とを含むことを特徴とするナノ半導体粒子の製造方法である。

    Abstract translation: 一种制造核/壳结构的半导体纳米颗粒的方法,其能够成为具有优异光学特性的光学元件。 半导体纳米颗粒生产方法的特征在于包括以下步骤:将液滴形式的半导体纳米颗粒前体在管直径为1μm至3mm的微反应器通道中加热/燃烧。 优选地,半导体纳米颗粒生产方法的特征在于包括其中形成半导体纳米颗粒前体的前体形成步骤,其中将含有形成的半导体纳米颗粒前体的溶液形成为液滴的步骤, 含有半导体纳米颗粒前体的溶液被加热/燃烧,这些步骤在管直径为1μm至3mm的微反应器通道中进行。

    生体分子検出用試薬及びそれを用いた生体分子検出方法
    7.
    发明申请
    生体分子検出用試薬及びそれを用いた生体分子検出方法 审中-公开
    生物分子检测试剂和使用该方法的生物分子检测方法

    公开(公告)号:WO2008035565A1

    公开(公告)日:2008-03-27

    申请号:PCT/JP2007/067182

    申请日:2007-09-04

    CPC classification number: G01N33/532 B82Y15/00 G01N33/54346 G01N33/588

    Abstract:  半導体ナノ粒子表面上に、生体検出用分子が均等に存在し、蛍光強度のばらつきが小さく、蛍光強度の低減・変動が少ない生体分子検出用試薬、特に半導体ナノ粒子1個当たり、生体分子と特異的に結合する検出用分子が1個存在する生体分子検出用試薬は、半導体ナノ粒子集合体を構成する各半導体ナノ粒子が表面上に生体分子と特異的に結合する検出用分子を有し、かつ各半導体ナノ粒子上に存在する該検出用分子数の標準偏差が5%以下であることを特徴とする。

    Abstract translation: 公开了一种生物分子检测试剂,其包含均匀地存在于纳米颗粒表面上的半导体纳米颗粒和生物分子检测分子,并且其荧光强度的劣化和荧光强度的降低/变化较小。 具体地,试剂具有能够每一半导体纳米粒子特异性结合生物分子的检测分子。 在试剂中,构成半导体纳米颗粒聚集体的每个半导体纳米颗粒在其表面上具有能够特异性结合生物分子的检测分子,并且每个半导体的表面上的检测分子的数量的标准偏差 纳米颗粒为5%以下。

    半導体ナノ粒子とその製造方法
    8.
    发明申请
    半導体ナノ粒子とその製造方法 审中-公开
    半导体纳米材料及其制造方法

    公开(公告)号:WO2008032618A1

    公开(公告)日:2008-03-20

    申请号:PCT/JP2007/067279

    申请日:2007-09-05

    CPC classification number: H01G9/2054 B82Y30/00 Y02E10/542 Y02P70/521

    Abstract:  発光素子材料としての半導体ナノ粒子の光学特性を間接遷移型から直接遷移型に変換し、量子収率を向上させた半導体ナノ粒子及びその製造方法で、平均粒径が2~50nmの、表面が変性された半導体ナノ粒子であって、該半導体ナノ粒子についてのTaucプロットにより得られる接線の傾きが、該半導体ナノ粒子のコア部と同じ化学組成のバルク結晶についての該接線の傾きの2~5倍であることを特徴とする。

    Abstract translation: 半导体纳米颗粒不仅将半导体纳米颗粒作为发光器件材料的光学性质从间接转变类型转换为直接转变型,而且还提高了量子产率; 及其制造方法。 半导体纳米颗粒是其表面改性的2至50nm平均粒径之一,其特征在于,通过Tauc图获得的相对于半导体纳米颗粒的切线的梯度在相对于相对于半导体纳米颗粒的切线的梯度的2至5倍的范围内 具有与半导体纳米颗粒的核心部分相同的化学组成的本体晶体。

    コア・シェル構造を有するナノ半導体粒子およびその製造方法
    9.
    发明申请
    コア・シェル構造を有するナノ半導体粒子およびその製造方法 审中-公开
    具有核/壳结构的半导体纳米颗粒及其制造方法

    公开(公告)号:WO2007086267A1

    公开(公告)日:2007-08-02

    申请号:PCT/JP2007/050409

    申请日:2007-01-15

    Abstract:  本発明は、シェル厚/コア部粒子径比が、光学素子の光学特性として最適な比率を有するコア・シェル構造を有するナノ半導体粒子を提供することを目的とする。 本発明のナノ半導体粒子は、シェル部の厚みがコア部の粒子径に対して1/2以下であるコア・シェル構造をもつ。コア部の粒子径が20nm未満であり、かつ、シェル部の厚みが0.2nm以上である。あるいはコア部の粒子径が20nm~100nmであり、かつ、シェル部の厚みがコア部の粒子径に対して1/100以上である。さらにコア部に、B、C、N、Al、Si、P、S、Zn、Ga、Ge、As、Se、Cd、In、SbおよびTeよりなる群から選ばれる、少なくとも1つ以上の元素を含有する。またシェル部が、コア部よりもバンドギャップが大きい組成から構成されていることを特徴としている。

    Abstract translation: 具有核/壳结构的半导体纳米颗粒,其中壳厚度与芯部分的粒径的比率是对于光学元件所需的光学性质最佳的值。 半导体纳米颗粒具有核/壳结构,其中壳部的厚度不大于芯部的粒径的一半。 芯部的粒径小于20nm,壳部的厚度为0.2nm以上。 或者,芯部的粒径为20〜100nm,壳部的厚度为芯部的粒径的1/100。 核心部分含有选自B,C,N,Al,Si,P,S,Zn,Ga,Ge,As,Se,Cd,In,Sb和Te中的至少一种元素。 半导体纳米颗粒的特征在于,壳部分包括具有比芯部更大的带隙的组合物。

    インビボ蛍光検査用組成物、それを用いた乳癌組織の検査方法、及び生体疾患組織のイメージング観察方法
    10.
    发明申请
    インビボ蛍光検査用組成物、それを用いた乳癌組織の検査方法、及び生体疾患組織のイメージング観察方法 审中-公开
    荧光检查的组合物,荧光检查方法,使用其的乳腺癌组织的测定方法和成像方法以及观察感染的身体组织

    公开(公告)号:WO2009072361A1

    公开(公告)日:2009-06-11

    申请号:PCT/JP2008/069524

    申请日:2008-10-28

    Abstract:  耐光性、検出精度に優れ、かつ非侵襲性が高く、毒性懸念がない腫瘍等の生体疾患組織の検査を可能とする、近赤外波長領域で蛍光を発するIV族量子ドットを光学的検出用標識剤として含むインビボ蛍光検査用組成物を提供する。更に、それを用いた乳癌組織の検査方法、及び生体疾患組織のイメージング観察方法を提供する。本発明のインビボ蛍光検査用組成物は、生体疾患組織のインビボ蛍光検査に使用されるインビボ蛍光検査用組成物であって、350~1200nmから選択される励起波長の電磁波照射による局部励起に基づき、近赤外波長領域で蛍光を発するIV族量子ドットを、光学的検出用標識剤として、含有することを特徴とする。

    Abstract translation: 旨在提供一种用于体内荧光检测的组合物,其包含作为光学检测标记的在近红外波长区域发射荧光的IV族量子点,其耐光性和检测精度优异,具有高的非侵入性,无恐惧 的毒性,并能够对患病的身体组织如肿瘤进行测试。 还旨在提供一种通过使用它们来测试乳腺癌的方法以及对患病身体组织进行成像和观察的方法。 上述用于体内荧光检测的组合物是用于体内荧光检测的组合物,用于对患有体内组织的体内荧光试验,其特征在于,含有在近红外波长区域发射荧光的IV族量子点 作为光学检测标签,由具有选自350〜1200nm的激发波长的电磁波的照射引起的局部激发。

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