3層型半導体粒子
    3.
    发明申请
    3層型半導体粒子 审中-公开
    三层半导体颗粒

    公开(公告)号:WO2007145089A1

    公开(公告)日:2007-12-21

    申请号:PCT/JP2007/061180

    申请日:2007-06-01

    CPC classification number: C01G9/08 B82Y30/00 C01G11/00 C01P2004/64

    Abstract:  本発明の目的は、発光波長は変更せずに、従来のコア/シェル型のナノサイズの半導体粒子よりも大きく、取り扱いが容易で、発光領域が大きい分発光量も大きい3層型半導体粒子を提供することにあり、コア層と第1のシェル層、第2のシェル層を有し、前記コア層と前記第2のシェル層の間の第1のシェル層の厚さが2~10nmの範囲の3層型半導体粒子であり、上記第2のシェル層およびコア層を形成する物質のバンドギャップがいずれも、第1のシェル層を形成する半導体のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする。

    Abstract translation: 提供比常规的核/壳型纳米尺寸半导体颗粒大的三层半导体颗粒,易于处理并且具有大的发光区域的发射量大,发射波长没有变化。 层半导体颗粒设置有芯层,第一壳层和第二壳层。 芯层和第二壳层之间的第一壳层的厚度在2-10nm的范围内。 形成第二壳层和芯层的材料的带隙都大于形成第一壳层的半导体的带隙。

    半導体ナノ粒子及びその製造方法
    4.
    发明申请
    半導体ナノ粒子及びその製造方法 审中-公开
    半导体纳米材料及其制造方法

    公开(公告)号:WO2007145088A1

    公开(公告)日:2007-12-21

    申请号:PCT/JP2007/061179

    申请日:2007-06-01

    CPC classification number: C01B33/18

    Abstract:  本発明は、発光波長は変更せずに、従来のコア/シェル型のナノサイズの半導体粒子よりも大きく、取り扱いが容易で、発光領域が大きい分、発光量も大きい半導体ナノ粒子及びその製造方法を提供する。この半導体ナノ粒子は、中心部に空洞部を有し、コア層とシェル層を有し、該コア層の厚さが2~10nmの半導体ナノ粒子において、該コア層と該シェル層がそれぞれ異なる半導体で形成されており、該シェル層を形成する半導体のバンドギャップが、該コア層を形成する結晶のバンドギャップより大きいことを特徴とする。

    Abstract translation: 提供比常规的核/壳型纳米尺寸半导体颗粒更大的半导体纳米颗粒,易于处理并且由于较大的发射面积具有大的发射量,而没有发射波长变化。 还提供了制造这种半导体纳米颗粒的方法。 半导体纳米颗粒在中心具有中空部分,并且具有芯层和壳层。 芯层的厚度为2-10nm。 芯层和壳层由不同类型的半导体形成,形成壳层的半导体的带隙大于形成芯层的晶体的带隙。

    ナノ粒子の製造方法
    5.
    发明申请
    ナノ粒子の製造方法 审中-公开
    生产纳米颗粒的方法

    公开(公告)号:WO2009025143A1

    公开(公告)日:2009-02-26

    申请号:PCT/JP2008/063186

    申请日:2008-07-23

    Abstract:  本発明は、600°C以下の簡便な熱処理によるナノ粒子の製造方法を提供する。この手段として、第1の元素及び第2の元素を含む材料であって、第1の元素を含む材料に対して第2の元素を含む材料を温度T1での平衡固溶度以上含む材料を、T1より高い温度で熱処理し、その後、温度T1以下に降温することにより、第1の元素を含む材料からなる海構造の中に第2の元素を含む材料からなる島構造のナノ粒子を析出させ、その後、第1の元素を含む材料からなる海構造を除去することを特徴とするナノ粒子の製造方法等を特徴とする。

    Abstract translation: 本发明提供了通过在600℃以下的简单热处理制造纳米粒子的方法。 该生产工艺的特征在于包括在高于T1的温度下热处理含有第一元素和第二元素的材料,所述第二含元素材料的含量至少在第一元素中的温度T1下的平衡固体溶解度 然后将温度降至T1或更低的温度,将具有由第二含有元素的材料形成的岛状结构的纳米颗粒沉积在由第一含元素材料形成的海结构中,然后除去由 第一含元素的材料。

    シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法
    6.
    发明申请
    シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法 审中-公开
    SCITILATOR面板和SCINTILATOR面板制造方法

    公开(公告)号:WO2008108428A1

    公开(公告)日:2008-09-12

    申请号:PCT/JP2008/054042

    申请日:2008-03-06

    CPC classification number: G21K4/00 G21K2004/12

    Abstract:  本発明は、大型化した可とう性を有する樹脂基板を用いても、基板の変形が大きくならず、ハンドリングがしやすく、基板の変形が大きくなることに起因する蛍光体層の破損、画質の劣化という問題のない、可とう性を有する樹脂基板を用いたシンチレータパネルおよび該シンチレータパネルの製造方法を提供する。本発明のシンチレータパネルは、可とう性を有する樹脂基板の上に100μm厚または1cm 2 当たりの重さ45mg以上の蛍光体層を有し、前記可とう性を有する樹脂基板の長辺をacm、短辺をbcmとすると、前記可とう性を有する樹脂基板の厚さを75×{a 2 /(10×b)} 1/3 μm~1000μmに設定したことを特徴とする。

    Abstract translation: 闪烁体面板和使用柔性且易于处理的树脂基板制造闪烁体面板的方法,即使使用大尺寸的柔性树脂基板,也不会产生变形增加的问题,因此存在对荧光体的损害的问题 层和由于基板的变形增大引起的图像质量的劣化的问题。 闪烁体面板的特征在于,其包括在柔性树脂基板上形成的厚度为100μm或重量为45mg以上/ cm 2的荧光体层,并且树脂的厚度 基板被设定为7500E 2 / 100E} 1/3至1000μm,其中a是树脂基板的长边的长度(cm),b是 树脂基板的短边的长度(cm)。

    シンチレータパネル
    7.
    发明申请
    シンチレータパネル 审中-公开
    SCINTILATOR面板

    公开(公告)号:WO2009144982A1

    公开(公告)日:2009-12-03

    申请号:PCT/JP2009/053536

    申请日:2009-02-26

    CPC classification number: G21K4/00 G01T1/20 G21K2004/06 G21K2004/10

    Abstract:  耐湿性、耐傷性、及び鮮鋭度に優れたシンチレータパネルを提供する。本発明のシンチレータパネルは、基板上に蛍光体層を有するシンチレータプレートを具備したシンチレータパネルであって、当該蛍光体層が、それを被覆する保護層を有し、かつ当該保護層が、液状硬化性組成物を硬化することによって形成されたこと特徴とする。

    Abstract translation: 公开了具有优异的耐湿性,耐擦伤性和清晰度的闪烁体面板。 闪烁体面板包括在衬底上具有磷光体层的闪烁体板。 该闪烁面板的特征在于,荧光体层被保护层覆盖,并且通过固化液体可固化组合物形成保护层。

    シンチレータパネルの製造方法、及びシンチレータパネル
    8.
    发明申请
    シンチレータパネルの製造方法、及びシンチレータパネル 审中-公开
    制造扫描板和扫描板的方法

    公开(公告)号:WO2008108106A1

    公开(公告)日:2008-09-12

    申请号:PCT/JP2008/050330

    申请日:2008-01-15

    CPC classification number: C09K11/616 G21K4/00 G21K2004/06

    Abstract:  シンチレータパネルの製造において柱状結晶構造に優れた蛍光体層の製造方法を提供することであり、更にはそれによって鮮鋭度に優れたシンチレータパネルを提供することは、高分子フィルム基板上に少なくとも蛍光体層と保護フィルムを形成するシンチレータパネルの製造方法において、高分子フィルム基板上に金属層を形成させ、該高分子フィルム基板の金属層側で蒸着装置の基板ホルダに取り付け、蒸着によって蛍光体層を形成することを特徴とするシンチレータパネルの製造方法によって達成される。

    Abstract translation: 提供了具有优异的柱状晶体结构的荧光体层的制造方法。 此外,通过这种方法提供了具有优异清晰度的闪烁体面板。在其中在聚合物膜基材上形成至少荧光体层和保护膜的闪烁面板制造方法中,在聚合物膜基材上形成金属层, 在高分子薄膜基板的金属层侧将基板安装在沉积装置的基板支架上,通过沉积形成荧光体层。

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