公开(公告)号：WO2011155127A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：PCT/JP2011/002707

申请日：2011-05-16

Applicant: シャープ株式会社 ,  中辻広志 ,  堀田和重 ,  牧田直樹

Inventor： 中辻広志 ,  堀田和重 ,  牧田直樹

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L21/04 ,  H01L27/1214

Abstract: 　ガラス基板（６）上に、第１半導体膜（２）及び第２半導体膜（４）を形成する工程と、ガラス基板（６）上に、第１半導体膜（２）及び第２半導体膜（４）を覆うように感光性樹脂を設ける工程と、フォトマスクを用いて感光性樹脂に対して照射される露光量を制御して露光処理を行う露光工程と、露光処理が行われた感光性樹脂に対して現像処理を行うことにより、第１半導体膜（２）上に第１レジスト（４０）を形成するとともに、第２半導体膜（４）上に第２レジスト（４１）を形成する工程と、第１レジスト（４０）及び第２レジスト（４１）をマスクとして、第１半導体膜（２）にｎ型不純物を注入する工程と、第１レジスト（４０）を除去し、第２レジスト（４１）をマスクとして、第１半導体膜（２）にｐ型不純物を注入する工程とを備える。

Abstract translation: 公开了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：在玻璃衬底（6）上形成第一半导体膜（2）和第二半导体膜（4）的步骤; 提供感光性树脂以覆盖玻璃基板（6）上的第一半导体膜（2）和第二半导体膜（4）的步骤; 曝光步骤，通过使用光掩模进行曝光处理，以控制照射到感光性树脂上的曝光量; 通过显影经受曝光处理的感光树脂，在第一半导体膜（2）上形成第一抗蚀剂（40）和第二半导体膜（4）上的第二抗蚀剂（41）的步骤; 通过使用第一抗蚀剂（40）和第二抗蚀剂（41）作为掩模，在第一半导体膜（2）中注入n型杂质的步骤; 以及通过使用第二抗蚀剂（41）作为掩模，去除第一抗蚀剂（40）并注入第一半导体膜（2）中的p型杂质的步骤。

公开(公告)号：WO2010058532A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：PCT/JP2009/005936

申请日：2009-11-09

Applicant: シャープ株式会社 ,  牧田直樹

Inventor： 牧田直樹

IPC: H01L27/14 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/33 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1233 ,  H01L29/78621 ,  H01L31/145

Abstract: 　薄膜トランジスタおよび薄膜ダイオードを同一基板上に備えた半導体装置において、それぞれの素子に要求される特性を実現する。 　基板１０１に支持され、チャネル領域１１５、ソース領域およびドレイン領域１１３を含む第１の結晶質半導体層１０７と、第１の結晶質半導体層１０７を覆うように設けられたゲート絶縁膜１０８と、ゲート絶縁膜１０８上に設けられ、チャネル領域１１５の導電性を制御するゲート電極１０９とを有する薄膜トランジスタと、基板１０１に支持され、少なくともｎ型領域１１４とｐ型領域１１８とを含む第２の結晶質半導体層１１０を有する薄膜ダイオードとを備え、第２の結晶質半導体層１１０は、ゲート絶縁膜１０８の上に、ゲート絶縁膜１０８の表面に接して形成されており、ｎ型領域１１４またはｐ型領域１１８と、ソース領域およびドレイン領域１１３とは、同一の不純物元素を含む。

Abstract translation: 在单个衬底上具有薄膜晶体管和薄膜二极管的半导体器件中，可以实现它们中的每一个所需的特性。 半导体器件包括：由衬底（101）支撑并具有沟道区（115），源极区和漏极区（113）的第一晶体半导体层（107）。 布置成覆盖所述第一晶体半导体层（107）的栅极绝缘膜（108）; 布置在栅绝缘膜（108）上并具有用于控制沟道区（115）的导电性的栅电极（109）的薄膜晶体管; 以及由所述基板（101）支撑并具有至少包含n型区域（114）和p型区域（118）的第二晶体半导体层（110）的薄膜二极管。 第二晶体半导体层（110）形成在栅极绝缘膜（108）上以与栅极绝缘膜（108）的表面接触。 n型区域（114）或p型区域（118）以及源极区域和漏极区域（113）含有相同的杂质元素。

公开(公告)号：WO2010047086A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：PCT/JP2009/005478

申请日：2009-10-20

Applicant: シャープ株式会社 ,  牧田直樹 ,  中辻広志

Inventor： 牧田直樹 ,  中辻広志

IPC: H01L27/14 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/33 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14665 ,  G06F3/042 ,  G09G5/10 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1229 ,  H01L29/78633

Abstract: 　半導体装置は、薄膜トランジスタ１２５および薄膜ダイオード１２６を備え、薄膜トランジスタ１２５の半導体層１０８および薄膜ダイオード１２６の半導体層１０９は、同一の結晶質半導体膜を結晶化することによって形成された結晶質半導体層であり、薄膜ダイオード１２５の半導体層１０９の表面にはリッジが形成されており、薄膜ダイオード１２５の半導体層１０９の表面粗さは、薄膜トランジスタ１２５の半導体層１０８の表面粗さよりも大きい。

Abstract translation: 一种包括薄膜晶体管（125）和薄膜二极管（126）的半导体器件。 薄膜晶体管（125）的半导体层（108）和薄膜二极管（126）的半导体层（109）是通过使相同的结晶半导体膜结晶而形成的结晶半导体层。 薄膜二极管（126）的半导体层（109）的表面设置有脊。 薄膜二极管（126）的半导体层（109）的表面粗糙度大于薄膜晶体管（125）的半导体层（108）的表面粗糙度。

公开(公告)号：WO2010050161A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：PCT/JP2009/005575

申请日：2009-10-22

Applicant: シャープ株式会社 ,  山中雅貴 ,  中辻広志 ,  牧田直樹

Inventor： 山中雅貴 ,  中辻広志 ,  牧田直樹

IPC: H01L27/14 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/33 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L29/66757 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13312 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1233 ,  H01L27/14612 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/861

Abstract: 　半導体装置は、薄膜トランジスタおよび薄膜ダイオードを同一基板上に備え、薄膜トランジスタの半導体層１０９および薄膜ダイオードの半導体層１１０は、同一の結晶質半導体膜を結晶化することによって形成された結晶質半導体層であり、薄膜ダイオードの半導体層１１０の厚さは、薄膜トランジスタの半導体層１０９の厚さよりも大きく、薄膜ダイオードの半導体層１１０の表面粗さは、薄膜トランジスタの半導体層１０９の表面粗さよりも大きい。

Abstract translation: 一种在同一衬底上包括薄膜晶体管和薄膜二极管的半导体器件。 薄膜晶体管的半导体层（109）和薄膜二极管的半导体层（110）是通过使相同的结晶半导体膜结晶而形成的结晶半导体层。 薄膜二极管的半导体层（110）具有比薄膜晶体管的半导体层（109）更大的厚度。 薄膜二极管的半导体层（110）的表面粗糙度大于薄膜晶体管的半导体层（109）的表面粗糙度。

公开(公告)号：WO2009144915A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：PCT/JP2009/002308

申请日：2009-05-26

Applicant: シャープ株式会社 ,  牧田直樹

Inventor： 牧田直樹

IPC: H01L27/146 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/861 ,  G02F1/13454 ,  G02F2201/58 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3269 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78633

Abstract: 　薄膜トランジスタ１２６および薄膜ダイオード１２７を備えた半導体装置であって、薄膜トランジスタ１２６の半導体層１０９ｔおよび薄膜ダイオード１２７の半導体層１０９ｄは、同一の非晶質半導体膜を結晶化することによって形成された結晶質半導体層であり、薄膜トランジスタ１２６の半導体層１０９ｔは、非晶質半導体膜の結晶化を促進する働きを持つ触媒元素を含み、薄膜ダイオード１２７の半導体層１０９ｄは触媒元素を実質的に含まない。

Abstract translation: 公开了一种配备有薄膜晶体管（126）和薄膜二极管（127）的半导体器件。 薄膜晶体管（126）的半导体层（109t）和薄膜二极管（127）的半导体层（109d）是通过使相同的非晶半导体膜结晶而形成的结晶半导体层。 薄膜晶体管（126）的半导体层（109t）含有用于加速非晶半导体膜的结晶的催化剂元件。 薄膜二极管（127）的半导体层（109d）基本上不包含催化剂元件。

公开(公告)号：WO2010095401A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：PCT/JP2010/000869

申请日：2010-02-12

Applicant: シャープ株式会社 ,  牧田直樹 ,  藤原正弘

Inventor： 牧田直樹 ,  藤原正弘

IPC: H01L27/146 ,  G02F1/135 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14692 ,  H01L29/78633

Abstract: 　半導体装置７００は、基板と、基板上に形成された、第１の波長域の光を検知する第１薄膜ダイオード７０１Ａ、および、第１の波長域の最大波長よりも長い波長を含む第２の波長域の光を検知する第２薄膜ダイオード７０１Ｂを含み、光を検知してセンシング信号を生成する光センサー部７００とを備え、第１薄膜ダイオード７０１Ａおよび第２薄膜ダイオード７０１Ｂは並列に接続されており、センシング信号は、第１および第２薄膜ダイオード７０１Ａ、７０１Ｂのうち何れか一方の出力に基づいて生成される。これにより、光センサー部で検知可能な波長域を拡大し、かつ、センシング感度を高めることができる。

Abstract translation: 公开了一种半导体器件（700），其包括基板和形成在基板上的光学传感器单元（700）。 光传感器单元（700）包括能够检测第一波长范围的光的第一薄膜二极管（701A）和能够检测第二波长范围内的波长的第二薄膜二极管（701B） 在第一波长范围内的最长波长，并且可以检测光以产生感测信号。 第一薄膜二极管（701A）和第二薄膜二极管（701B）彼此并联连接。 感测信号基于来自第一薄膜二极管（701A）的输出和来自第二薄膜二极管（701B）的输出中的任一个产生。 在半导体装置（700）中，能够扩大由光学传感器单元检测出的波长范围，能够提高感测灵敏度。

公开(公告)号：WO2010038419A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：PCT/JP2009/004971

申请日：2009-09-29

Applicant: シャープ株式会社 ,  牧田直樹

Inventor： 牧田直樹

IPC: H01L27/14 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/33 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/1214 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13312 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  H01L21/2652 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14645 ,  H01L29/78633

Abstract: 　半導体装置１００は、基板１０１に支持され、チャネル領域１１５、ソース領域およびドレイン領域１１３を含む結晶質半導体層１０７と、結晶質半導体層１０７を覆うように設けられたゲート絶縁膜１０８と、ゲート絶縁膜１０８上に設けられ、チャネル領域の導電性を制御するゲート電極１０９とを有する薄膜トランジスタと、基板１０１に支持され、少なくともｎ型領域１１４とｐ型領域１１８とを含む非晶質半導体層１１０を有する薄膜ダイオードとを備え、非晶質半導体層１１０はゲート絶縁膜１０８の上に、前記ゲート絶縁膜の表面に接して形成されており、ｎ型領域１１４またはｐ型領域１１８と、ソース領域およびドレイン領域１１３とは、同一の不純物元素を含む。

Abstract translation: 1.一种半导体器件（100），包括：由衬底（101）支撑并具有包含沟道区（115）和源区和漏区（113）的晶体半导体层（107）的薄膜晶体管，栅极 形成为覆盖晶体半导体层（107）的绝缘膜（108）和形成在栅极绝缘膜（108）上的栅电极（109），并控制沟道区域的导电性; 以及由所述基板（101）支撑并且具有至少包含n型区域（114）和p型区域（118）的非晶半导体层（110）的薄膜二极管。 非晶半导体层（110）形成在与栅极绝缘膜的表面接触的栅极绝缘膜（108）上，并且n型区域（114）或p型区域（118）含有相同的杂质 元件作为源极区域和漏极区域（113）。

公开(公告)号：WO2009011084A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：PCT/JP2008/001435

申请日：2008-06-05

Applicant: シャープ株式会社 ,  牧田直樹 ,  橋本真人

Inventor： 牧田直樹 ,  橋本真人

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618

Abstract: 　チャネル形成領域１１０、ソース領域およびドレイン領域１１３を含む結晶質半導体層１２０と、チャネル形成領域１１０の導電性を制御するゲート電極１０７と、半導体層１２０とゲート電極１０７との間に設けられたゲート絶縁膜１０６と、ソース領域およびドレイン領域１１３にそれぞれ接続されたソース電極およびドレイン電極１１５とを有する少なくとも１つの薄膜トランジスタ１１６を備えた半導体装置であって、ソース領域およびドレイン領域１１３の少なくとも一方の領域は、ドナーまたはアクセプターとなる元素と希ガス元素とを含み、チャネル形成領域１１０は希ガス元素を含んでおらず、希ガス元素の原子量は、ドナーまたはアクセプターとなる元素の原子量よりも大きく、少なくとも一方の領域の厚さ方向における希ガス元素の濃度は、少なくとも一方の領域の上面から下面に向かって連続的に低下している。

Abstract translation: 半导体器件具有晶体半导体层（120），其包括沟道形成区（110），源区和漏区（113）。 用于控制沟道形成区域（110）的导电性的栅电极（107）; 布置在所述半导体层（120）和所述栅电极（107）之间的栅极绝缘膜（106）; 以及至少一个薄膜晶体管（116），其具有分别连接到源极区域和漏极区域（113）的源极电极和漏极电极（115）。 至少源极区域或漏极区域（113）包含作为供体或受体的元素和稀有气体元素，并且沟道形成区域（110）不含有稀有气体元素。 稀有气体元素的原子量大于作为供体或受体的元素的原子量，并且在厚度方向上的至少一个区域中的稀有气体元素的浓度从上表面向下表面连续减少 至少有一个地区。