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公开(公告)号:WO2018219131A1
公开(公告)日:2018-12-06
申请号:PCT/CN2018/086711
申请日:2018-05-14
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
CPC classification number: H01L27/1218 , H01L27/1237 , H01L27/1259 , H01L27/1262
Abstract: 提供一种显示基板的制备方法、显示基板和显示装置。该显示基板包括衬底(1),还至少包括依次层叠设置于衬底上方的第一绝缘图形层(3)、第一金属图形层(5,6)、第二绝缘图形层(7)和第二金属图形层(8),第一绝缘图形层和第二绝缘图形层均分别设置为交错分割的面状结构,第一金属图形层和第二金属图形层至少局部相连接。该显示基板及其相应的制备方法,通过将引起玻璃衬底收缩量的栅绝缘层和钝化层进行分割处理,在分割边缘处释放工艺带来的膜层形变应力,从而从根本上减小膜层形变带来的玻璃衬底形变,进而可以增大对盒裕量,降低因对盒偏差过大引起的串色等不良。
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公开(公告)号:WO2018218548A1
公开(公告)日:2018-12-06
申请号:PCT/CN2017/086725
申请日:2017-05-31
Applicant: 深圳市柔宇科技有限公司
Inventor: 叶江波
IPC: G02F1/1335 , G02F1/13357 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L23/552 , H01L27/1218 , H01L27/1262 , H01L27/1288
Abstract: 一种显示面板(100),包括基底(10)与多个排列设置于基底(10)的薄膜晶体管(13)。每一个薄膜晶体管(13)与基底(10)之间设置光阻层(11)与遮光层(12),光阻层(11)与遮光层(12)对应于薄膜晶体管(13)的导电沟道(136),且光阻层(11)较遮光层(12)邻近基底(10),遮光层(12)用于反射自基底(10)传输的光线以防止光线传输至导电沟道(136),光阻层(11)用于将来自基底(10)的光线产生折射并沿显示面板(100)的出光方向单向传输。
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公开(公告)号:WO2018214899A1
公开(公告)日:2018-11-29
申请号:PCT/CN2018/087970
申请日:2018-05-23
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/28 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1218 , H01L27/1259 , H01L29/401 , H01L29/42372 , H01L29/42384 , H01L29/4908
Abstract: 本公开提供一种栅电极及其制作方法、阵列基板制作方法,该栅电极制作方法包括以下步骤:提供一基板,该基板包括栅电极区域和非栅电极区域;在基板上形成栅电极层,该栅电极层包括对应栅电极区域的导电部分和对应非栅电极区域的透明部分。本公开提供的栅电极及其制作方法、阵列基板制作方法的技术方案,可以消除段差,从而在对非晶硅层进行ELA工艺时,可以避免因段差对多晶硅的结晶性能产生的影响,从而可以获得良好的结晶效果。
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公开(公告)号:WO2018196087A1
公开(公告)日:2018-11-01
申请号:PCT/CN2017/086232
申请日:2017-05-27
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/1218 , H01L27/1237 , H01L27/1248 , H01L27/1251 , H01L27/1259 , H01L27/1262 , H01L27/127
Abstract: 一种阵列基板、显示装置及其制作方法。其中,阵列基板包括衬底基板(10)和位于衬底基板(10)上方的低温多晶硅晶体管(20)和氧化物晶体管(30);低温多晶硅晶体管(20)包括层叠设置的多晶硅层(21)和第一绝缘层(22),第一绝缘层(22)包括氧化硅层(222)以及氮化硅层(221),其中氮化硅层(221)位于多晶硅层(21)和氧化硅层(222)之间;氧化物晶体管(30)包括层叠设置的氧化物半导体层(31)和第二绝缘层(32),第二绝缘层(32)不含氮化硅层。有效降低了低温多晶硅晶体管的漏电问题,同时提高氧化物晶体管的可靠性。
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公开(公告)号:WO2018113247A1
公开(公告)日:2018-06-28
申请号:PCT/CN2017/091630
申请日:2017-07-04
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Inventor: 陈立强
CPC classification number: H01L27/1218 , H01L27/1248 , H01L27/1262 , H01L27/1288 , H01L27/3276 , H01L51/0024 , H01L51/0097 , H01L51/56 , H01L2251/5338
Abstract: 一种显示基板及其制备方法、显示面板和压接设备,显示基板包括柔性衬底(101),柔性衬底包括相对的第一面和第二面,第一面包括第一区域和第二区域;显示基板的制备方法包括:在第一区域上形成薄膜晶体管和发光器件;在第二区域上形成用于电路绑定的引线;在第二面上形成固化材料层(201);对固化材料层对应第二区域的部分进行固化处理,以形成固化层(202)。提高了电路元件的压接过程之中压接的稳定性,降低了线路发生不良的可能性。
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公开(公告)号:WO2018076429A1
公开(公告)日:2018-05-03
申请号:PCT/CN2016/106898
申请日:2016-11-23
Applicant: 武汉华星光电技术有限公司
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/1333 , G02F1/133345 , G02F1/1343 , G02F1/13439 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F2001/133357 , G02F2001/13606 , G02F2001/136236 , G02F2001/136295 , G02F2201/121 , H01L21/0273 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/76802 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/1248 , H01L27/1262 , H01L27/1288
Abstract: 一种阵列基板制造方法、液晶面板及液晶显示屏,包括提供一衬底基板(10),衬底基板(10)上依次形成平坦层(20)、第一公共电极层(21)及第一绝缘层(22);在第一绝缘层(22)上形成金属线层(23);在金属线层(23)及第一绝缘层(22)上沉积形成第二绝缘层(24);在第二绝缘层(24)上形成数个过孔(241);在形成有过孔(241)的第二绝缘层(24)上形成第二公共电极层(25)。
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公开(公告)号:WO2017210923A1
公开(公告)日:2017-12-14
申请号:PCT/CN2016/086725
申请日:2016-06-22
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor: 周星宇
CPC classification number: H01L21/84 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/1255 , H01L27/1274 , H01L27/1296 , H01L27/3246 , H01L27/3262 , H01L29/78603 , H01L29/78606 , H01L29/78651 , H01L29/7869 , H01L2251/50
Abstract: 一种TFT背板的制作方法及TFT背板。该制作方法通过在缓冲层(20)上制作包括含氧非晶硅薄膜(311)以及位于含氧非晶硅薄膜上的不含氧非晶硅薄膜(312)的非晶硅薄膜(310),使得采用硼离子诱导固相晶化法对非晶硅薄膜进行晶化处理时,由于非晶硅薄膜与缓冲层的接触界面为含氧非晶硅薄膜,而含氧非晶硅薄膜在高温结晶过程中不容易产生晶核,从而使得晶核的产生仅发生在非晶硅薄膜上表面的硼离子掺杂层中,并且自上而下发生结晶,晶粒质量好,薄膜均一性好,从而达到提高结晶质量及改善均一性的效果。该TFT背板,制程简单,其中多晶硅层的结晶质量与均一性较好,提升了TFT的性能,增强其驱动效果。
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公开(公告)号:WO2017140055A1
公开(公告)日:2017-08-24
申请号:PCT/CN2016/082420
申请日:2016-05-18
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L27/12 , G02F1/1345
CPC classification number: H01L27/1244 , G02F1/13452 , G06F3/0412 , G06F2203/04102 , H01L23/5387 , H01L27/12 , H01L27/1218 , H05K1/111 , H05K2201/094
Abstract: 一种可用于柔性显示面板中的基板、覆晶薄膜及电子设备。所述基板包括多个沿着第一方向并排设置的第一焊盘(1);每个所述第一焊盘(1)均具有沿着所述第一方向相对设置的第一侧边和第二侧边,以及沿着与所述第一方向垂直的第二方向相对设置的第三侧边和第四侧边;每个所述第一焊盘(1)的第一侧边和第二侧边非平行设置。
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公开(公告)号:WO2017133108A1
公开(公告)日:2017-08-10
申请号:PCT/CN2016/081275
申请日:2016-05-06
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/1345 , G09G3/20
CPC classification number: H01L24/09 , G02F1/1345 , G09G3/20 , H01L23/544 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L2223/54426 , H01L2224/06132 , H01L2224/08052 , H01L2224/08145 , H01L2224/08225 , H01L2224/0903 , H01L2224/09132 , H01L2224/8013
Abstract: 一种显示装置及其绑定方法,显示装置包括:柔性显示面板(10);绑定于柔性显示面板(10)的绑定区之上的覆晶薄膜(20)。覆晶薄膜(20)具有至少两排输出垫(21),柔性显示面板(10)具有至少两排输入垫(11),各输出垫(21)的虚拟延长线(22)相交于与第一方向垂直的第一基准线(30')上的同一交汇点(P1),在同一排输出垫(21)内与第一基准线(30')距离越远的输出垫(21)的虚拟延长线与第一基准线(30')的夹角越大。各输入垫(11)的虚拟延长线(12)相交于与第一方向垂直的第二基准线(30'')上的同一交汇点(P2),在同一排输入垫(11)内与第二基准线(30'')距离越远的输入垫(11)的虚拟延长线(12)与第二基准线(30'')的夹角越大。输出垫(21)和输入垫(11)电连接,它们的虚拟延长线(22,12)与公共基准线(30)的夹角相同,其中公共基准线(30)通过第一基准线(30')与第二基准线(30'')重合构成。
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10.FLEXIBLE DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND MANUFACTURING METHODS THEREOF 审中-公开
Title translation: 柔性装置,显示装置及其制造方法公开(公告)号:WO2017115225A3
公开(公告)日:2017-08-10
申请号:PCT/IB2016057852
申请日:2016-12-21
Applicant: SEMICONDUCTOR ENERGY LAB
Inventor: YAMAZAKI SHUNPEI , ADACHI HIROKI , IDOJIRI SATORU , YOSHIZUMI KENSUKE
IPC: H01L21/02 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/04 , H05B33/10 , H05B33/14 , H05B33/22
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L27/3258 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L51/0024 , H01L51/003 , H01L51/0097 , H01L51/5253 , H01L2227/323 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , H01L2251/556 , Y02E10/549
Abstract: A flexible device is manufactured at low temperatures. A second substrate is bonded to a first substrate by a first adhesive layer. A first insulating layer, a transistor, and a second insulating layer are formed over the second substrate. Then, the first substrate and the second substrate are separated from each other while being heated at a first temperature. The heat resistant temperatures of the first substrate, the second substrate, and the first adhesive layer are a second temperature, a third temperature, and a fourth temperature, respectively. Each of the first insulating layer, the second insulating layer, and the transistor is formed at a temperature higher than or equal to room temperature and lower than the fourth temperature. The third temperature is higher than the fourth temperature and lower than the second temperature. The first temperature is higher than the fourth temperature and lower than the third temperature.
Abstract translation: 柔性器件在低温下制造。 第二基板通过第一粘合层粘合到第一基板。 第一绝缘层,晶体管和第二绝缘层形成在第二衬底上。 然后,第一基板和第二基板在第一温度下被加热的同时彼此分离。 第一基板,第二基板和第一粘合层的耐热温度分别为第二温度,第三温度和第四温度。 第一绝缘层,第二绝缘层和晶体管中的每一个都在高于或等于室温且低于第四温度的温度下形成。 第三温度高于第四温度且低于第二温度。 第一温度高于第四温度且低于第三温度。
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