公开(公告)号：WO2017124818A1

公开(公告)日：2017-07-27

申请号：PCT/CN2016/105209

申请日：2016-11-09

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 秦纬

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L27/14692 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种互补型薄膜晶体管，包括N型金属氧化物薄膜晶体管(100)和P型金属氧化物薄膜晶体管(200)。还提供了一种制作互补型薄膜晶体管的方法包括：形成互补型薄膜晶体管，互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管(100)和P型金属氧化物薄膜晶体管(200)。还提供了包括该互补型薄膜晶体管的阵列基板和包括该阵列基板的显示装置。

公开(公告)号：WO2017099918A1

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：PCT/US2016/060815

申请日：2016-11-07

Applicant: DPIX, LLC

Inventor： PARK, Jungwon ,  NAGARAJAN, Karthik ,  PARK, Byung-Kyu ,  O'ROURKE, Shawn Michael

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L31/028

CPC classification number: H01L27/14616 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14692 ,  H01L27/307 ,  H01L29/7869

Abstract: A method of manufacturing an image sensor device includes providing a substrate; forming a buffer layer on the substrate; forming a metal oxide channel on the buffer layer; forming a gate oxide layer on the buffer layer and the metal oxide channel; forming a gate metal layer on the gate oxide layer; forming a photodiode stack on the gate metal layer; patterning the gate oxide layer and the gate metal layer to form a first portion under the photodiode stack, and a second portion comprising a transistor; forming an interlayer dielectric layer over at least the photodiode stack and the transistor; forming a plurality of vias in the interlayer dielectric layer; and metalizing the vias to form contacts to the image sensor device.

Abstract translation: 制造图像传感器装置的方法包括提供衬底; 在衬底上形成缓冲层; 在缓冲层上形成金属氧化物沟道; 在所述缓冲层和所述金属氧化物沟道上形成栅极氧化物层; 在栅氧化层上形成栅金属层; 在栅极金属层上形成光电二极管堆叠; 图案化所述栅极氧化物层和所述栅极金属层以在所述光电二极管堆叠之下形成第一部分，以及包括晶体管的第二部分; 在至少所述光电二极管堆叠和所述晶体管上方形成层间介电层; 在层间介电层中形成多个通孔; 并且金属化通孔以形成与图像传感器装置的接触。

公开(公告)号：WO2017019686A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：PCT/US2016/044044

申请日：2016-07-26

Applicant: GENERAL ELECTRIC COMPANY

Inventor： LIU, James

IPC: H01L27/146 ,  G01T1/24 ,  G01T1/29

CPC classification number: H01L27/14663 ,  G01T1/2018 ,  G01T1/24 ,  G01T1/247 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14692

Abstract: The present approach relates to the fabrication of radiation detectors. In certain embodiments, additive manufacture techniques, such as 3D metallic printing techniques are employed to fabricate one or more parts of a detector. In an example of one such printing embodiment, amorphous silicon may be initially disposed onto a substrate and a laser may be employed to melt some or all of the amorphous silicon so as to form crystalline silicon circuitry of a light imager panel. Such printing techniques may also be employed to fabricate other aspects of a radiation detector, such as a scintillator layer.

Abstract translation: 本方法涉及辐射探测器的制造。 在某些实施例中，采用诸如3D金属印刷技术的添加剂制造技术来制造检测器的一个或多个部件。 在一个这样的印刷实施例的示例中，可以将非晶硅初始设置在基板上，并且可以使用激光来熔化部分或全部非晶硅，以便形成光成像仪面板的晶体硅电路。 也可以采用这种打印技术来制造辐射检测器的其它方面，例如闪烁体层。

公开(公告)号：WO2016195000A1

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：PCT/JP2016/066361

申请日：2016-06-02

Applicant: シャープ株式会社

Inventor： 中野　文樹 ,  宮本　忠芳

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/124 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14663 ,  H01L27/14692 ,  H01L29/786

Abstract: 　フォトセンサ基板の配線の抵抗を小さくする。フォトセンサ基板は、基板３１と、基板３１に配置され、第１方向に延びる複数のゲート線と、基板３１に配置され、第１方向とは異なる第２方向に延びる複数のソース線Ｓｉと、ソース線Ｓｉとゲート線との各交点に対応して配置され、ソース線Ｓｉ及びゲート線と接続されているトランジスタと、トランジスタを覆う絶縁層と、ソース線Ｓｉとゲート線との各交点に対応して配置され、絶縁層の第１コンタクトホールＣＨ３を介してトランジスタと接続されている光電変換素子４と、第２方向に延び、光電変換素子４と接続されている複数のバイアス線８とを備える。ソース線Ｓｉは、絶縁層の第２コンタクトホールＣＨ２を介してトランジスタと接続され、かつ、ソース線Ｓｉの線幅は、バイアス線８の線幅より広い。

Abstract translation: 降低光电传感器基板的布线的电阻。 该光电传感器基板设置有：基板31; 多个栅极线，布置在基板31上并沿第一方向延伸; 多个源极线Si，其布置在基板31上并沿与第一方向不同的第二方向延伸; 晶体管被配置为与源极线Si和栅极线的交点对应并且连接到源极线Si和栅极线; 覆盖晶体管的绝缘层; 光电转换元件4，其被配置为对应于源极线Si和栅极线的交点，并通过绝缘层的第一接触孔CH3连接到晶体管; 以及在第二方向上延伸并连接到光电转换元件4的多条偏置线8.源极线Si通过绝缘层的第二接触孔CH2连接到晶体管，源极线的线宽 Si比偏置线8的线宽宽。

公开(公告)号：WO2016108664A1

公开(公告)日：2016-07-07

申请号：PCT/KR2015/014563

申请日：2015-12-31

Applicant: LG DISPLAY CO.,LTD.

Inventor： KIM, Eui Tae ,  LEE, Bu Yeol

IPC: H01L27/32 ,  G02F1/1362 ,  G09G3/32 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/136277 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/1635 ,  G09G3/2048 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0452 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2300/0876 ,  G09G2310/0216 ,  G09G2310/0262 ,  G09G2340/0435 ,  H01L27/14692 ,  H01L51/0554

Abstract: Provided is a display device. A poly-Si layer is disposed on a substrate. A first metal layer is disposed on the poly-Si layer, and a metal oxide layer is disposed on the first metal layer. A second metal layer is disposed on the metal oxide layer. The first metal layer is overlapped with the second metal layer. The first metal layer and the second metal layer may be gate lines connected to different TFTs. Thus, in the display device, a plurality of gate lines may be disposed so as to be overlapped with each other. Therefore, an area occupied by a circuit part in the display device can be reduced. Accordingly, it is possible to manufacture a display device with higher resolution, a transparent display device with improved transmittance, and a display device with a reduced size of a non-display area.

Abstract translation: 提供了一种显示装置。 多晶硅层设置在基板上。 第一金属层设置在多晶硅层上，金属氧化物层设置在第一金属层上。 第二金属层设置在金属氧化物层上。 第一金属层与第二金属层重叠。 第一金属层和第二金属层可以是连接到不同TFT的栅极线。 因此，在显示装置中，可以将多条栅极线设置成彼此重叠。 因此，可以减少显示装置中的电路部分所占据的面积。 因此，可以制造高分辨率的显示装置，透射率提高的透明显示装置以及非显示区域尺寸减小的显示装置。

公开(公告)号：WO2016055909A1

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：PCT/IB2015/057472

申请日：2015-09-30

Applicant: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： HIROSE, Atsushi ,  KUROKAWA, Yoshiyuki ,  IKEDA, Takayuki

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  H04N5/357 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14616 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H01L27/14692

Abstract: To provide an imaging device in which incident light can be converted into an appropriate electric signal. The imaging device includes a photoelectric conversion element, a first transistor, a second transistor, a third transistor, and a fourth transistor. One of a source electrode and a drain electrode of the first transistor and one electrode of the photoelectric conversion element have an electrical connection portion in a first opening provided in an insulating layer positioned between the one of the source electrode and the drain electrode of the first transistor and the one electrode of the photoelectric conversion element. The number of the first opening is one in a region where the one of the source electrode and the drain electrode of the first transistor overlaps with the one electrode of the photoelectric conversion element.

Abstract translation: 提供一种成像装置，其中可以将入射光转换成适当的电信号。 成像装置包括光电转换元件，第一晶体管，第二晶体管，第三晶体管和第四晶体管。 第一晶体管的源电极和漏电极之一和光电转换元件的一个电极之间的第一开口中的第一开口中的电连接部分设置在位于第一晶体管的源电极和漏电极之间的绝缘层中的第一开口 晶体管和光电转换元件的一个电极。 第一开口的数量是在第一晶体管的源电极和漏电极中的一个与光电转换元件的一个电极重叠的区域中的一个。

公开(公告)号：WO2016044364A1

公开(公告)日：2016-03-24

申请号：PCT/US2015/050332

申请日：2015-09-16

Applicant: GENERAL ELECTRIC COMPANY

Inventor： SHAW, Jeffrey, Jon ,  DAVIS, Eric, Patrick

IPC: G01T1/20 ,  G01T1/203

CPC classification number: H01L27/14663 ,  G01T1/2018 ,  G01T1/2033 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14692

Abstract: An X-ray detector has a layered structure that includes a substrate, a TFT array disposed on the substrate, a photodiode layer disposed on the TFT array, and a scintillator layer disposed on the photodiode layer. The scintillator layer comprises a particle-in-binder composite that contains a continuous parylene matrix having dispersed therein a plurality of particles that include a scintillator material that emits light in response to the absorption of X-rays.

Abstract translation: X射线检测器具有包括衬底，设置在衬底上的TFT阵列，设置在TFT阵列上的光电二极管层和设置在光电二极管层上的闪烁体层的分层结构。 闪烁体层包括粘合剂颗粒组合物，其包含分散有多个颗粒的连续聚对二甲苯基，其包括响应于X射线吸收而发光的闪烁体材料。

公开(公告)号：WO2015080991A1

公开(公告)日：2015-06-04

申请号：PCT/US2014/067026

申请日：2014-11-24

Applicant: MC10, INC.

Inventor： GHAFFARI, Roozbeh

IPC: A61B18/02

CPC classification number: A61B5/683 ,  A61B1/05 ,  A61B5/0024 ,  A61B5/0031 ,  A61B5/0059 ,  A61B5/01 ,  A61B5/03 ,  A61B5/04087 ,  A61B5/053 ,  A61B5/6821 ,  A61B5/6833 ,  A61B5/6847 ,  A61B5/6869 ,  A61B5/743 ,  A61B8/12 ,  A61B18/02 ,  A61B18/14 ,  A61B18/1492 ,  A61B18/1815 ,  A61B18/20 ,  A61B18/24 ,  A61B2018/0016 ,  A61B2018/0022 ,  A61B2018/00339 ,  A61B2018/00351 ,  A61B2018/00577 ,  A61B2018/00839 ,  A61B2018/0212 ,  A61B2562/164 ,  A61B2562/166 ,  A61N7/022 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14692 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00

Abstract: System, devices and methods are presented that integrate stretchable or flexible circuitry, including arrays of active devices for enhanced sensing, diagnostic, and therapeutic capabilities. The invention enables conformal sensing contact with tissues of interest, such as the inner wall of a lumen, or the brain, or the surface of the heart. Such direct, conformal contact increases accuracy of measurement and delivery of therapy. Further, the invention enables the incorporation of both sensing and therapeutic devices on the same substrate allowing for faster treatment of diseased tissue and fewer devices to perform the same procedure.

Abstract translation: 提出了集成可伸缩或灵活电路的系统，设备和方法，包括用于增强感测，诊断和治疗能力的有源器件阵列。 本发明使得与感兴趣的组织（例如内腔的内壁，或大脑）或心脏的表面保形感测接触。 这种直接的共形接触增加了治疗的测量和传递的准确性。 此外，本发明使得能够将感测和治疗装置并入同一基底上，允许更快地治疗患病组织和更少的装置来执行相同的程序。

公开(公告)号：WO2014155969A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/JP2014/001047

申请日：2014-02-27

Applicant: SONY CORPORATION

Inventor： YAMADA, Yasuhiro

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L29/78648 ,  G01N23/04 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14692 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78672

Abstract: A semiconductor device including a substrate, at least one gate electrode, at least two silicon oxide layers comprising a first silicon oxide layer and a second silicon oxide layer, wherein the first silicon oxide layer is nearer to the substrate than the second silicon oxide layer, and wherein a thickness of the first silicon oxide layer is greater than or equal to a thickness of the second silicon oxide layer, and a semiconductor layer disposed between at least a portion of the first silicon oxide layer and at least a portion of the second silicon oxide layer. Also, an image pick-up device and a radiation imaging device including the semiconductor device.

Abstract translation: 一种半导体器件，包括衬底，至少一个栅电极，至少两个包含第一氧化硅层和第二氧化硅层的氧化硅层，其中所述第一氧化硅层比所述第二氧化硅层更靠近所述衬底， 并且其中所述第一氧化硅层的厚度大于或等于所述第二氧化硅层的厚度，以及设置在所述第一氧化硅层的至少一部分与所述第二氧化硅层的至少一部分之间的半导体层 氧化层。 而且，包括该半导体器件的图像拾取装置和放射线成像装置。

公开(公告)号：WO2014015593A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：PCT/CN2012/085189

申请日：2012-11-23

Applicant: 北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 徐少颖 ,  谢振宇 ,  陈旭

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/0352 ,  H01L23/481 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的实施例公开了一种传感器及其制造方法，所述传感器包括：衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所限定的多个呈阵列状排布的感测单元，每个感测单元包括薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件，其中，所述薄膜晶体管器件为底栅型；所述光电二极管传感器件包括：与源极连接的接收电极、位于接收电极之上的光电二极管、位于光电二极管之上的透明电极，以及在透明电极的上方与透明电极连接的偏压线，所述偏压线平行于栅线设置。对比于现有技术，本发明实施例所提出的传感器在制造工艺上减少了掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。