公开(公告)号：WO2005098942A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：PCT/JP2005/006618

申请日：2005-04-04

申请人： 三菱マテリアル株式会社 ,  長瀬 敏之 ,  長友 義幸 ,  久保 和明 ,  根岸 健

发明人： 長瀬 敏之 ,  長友 義幸 ,  久保 和明 ,  根岸 健

IPC分类号： H01L23/14

CPC分类号： H05K3/38 ,  H01L23/3735 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H05K1/0306 ,  Y10S428/91 ,  Y10T29/49163 ,  Y10T428/12472 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24926 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 　金属板とセラミックス基板とを接合したパワーモジュール用基板であって、前記セラミックス基板は、前記金属板との接合界面における離型剤の残留量が蛍光Ｘ線分析によるＢ量で５未満であると共に、前記接合界面における結晶粒の歪み発生領域が全体の４０％以下であること、または、前記セラミックス基板は、前記金属板との接合界面における離型剤の残留量が蛍光Ｘ線分析によるＢ量で５未満であると共に、前記接合界面における結晶粒の歪み量が０．０３％以下である。

摘要翻译： 一种用于功率模块的基板，包括金属片，并与其结合陶瓷基板，其中陶瓷基板在其与金属板的接合界面中残留的释放剂量以B量为荧光X射线 分析，<5，结合界面中发生晶粒应变的区域基于总数<= 40％。 或者，陶瓷基板的荧光X射线分析的B量与金属板的接合界面残留的剥离剂量为<5，结界面的晶粒应变程度为 <= 0.03％。