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公开(公告)号:WO2009041254A1
公开(公告)日:2009-04-02
申请号:PCT/JP2008/066248
申请日:2008-09-09
IPC分类号: H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号: B82Y10/00 , C08G2261/124 , C08G2261/222 , C08G2261/226 , C08G2261/314 , C08G2261/3162 , C08G2261/76 , C08G2261/92 , H01L51/0003 , H01L51/0012 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0562 , H01L51/5296 , H01L2251/552
摘要: 少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の3端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース-ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタであって、有機半導体層と絶縁体層の間に、イオン化ポテンシャルが5.8eV未満である非晶質有機化合物を含むチャネル制御層を有する有機薄膜トランジスタは、高温保存した場合でも電界効果移動度の安定性に優れ、かつ応答速度が大きい。
摘要翻译: 在有机薄膜晶体管中,在基板上配置栅电极,源电极和漏电极以及绝缘体层和有机半导体层的至少三个端子,并且控制源极与漏极之间的电流 通过向栅电极施加电压。 有机薄膜晶体管具有在有机半导体层和绝缘体层之间具有电离电位低于5.8eV的无定形有机化合物的沟道控制层。 有机薄膜晶体管即使在高温下储存时也具有优异的场效应迁移稳定性,并且还具有高响应速度。
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公开(公告)号:WO2008069061A1
公开(公告)日:2008-06-12
申请号:PCT/JP2007/072906
申请日:2007-11-28
CPC分类号: H01L51/0094 , H01L51/0022 , H01L51/005 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/105 , H01L51/5012 , H01L51/52 , H01L51/5203 , H01L51/5296
摘要: 少なくとも基板上にゲート電極、ソース電及びドレイン電極の3端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース-ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、中心に芳香族複素環基を有する特定の有機化合物を含む有機薄膜トランジスタ、並びに有機薄膜トランジスタにおいて、ソース-ドレイン間を流れる電流を利用して発光を得、ゲート電極に電圧を印加することによって発光を制御する有機薄膜発光トランジスタによって、応答速度が高速で、しかもオン/オフ比が大きい有機薄膜トランジスタ及びそれを利用した有機薄膜発光トランジスタを提供する。
摘要翻译: 在有机薄膜晶体管中,作为栅电极,源电极和漏电极,绝缘体层和有机半导体层的至少三个端子配置在基板上,源极与漏极之间的电流为 通过向栅电极施加电压来控制。 有机半导体层包括在中心具有芳族杂环基的规定的有机化合物。 通过使用在源极和漏极之间流动的电流来发射光,并且通过向栅电极施加电压来控制发光。 响应速度高,此外,开/关比大。 还提供了使用这种有机薄膜晶体管的有机薄膜发光晶体管。
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公开(公告)号:WO2008062841A1
公开(公告)日:2008-05-29
申请号:PCT/JP2007/072578
申请日:2007-11-21
IPC分类号: H01L51/30 , C09K11/06 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/50
CPC分类号: H01L51/5296 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1088 , H01L51/0022 , H01L51/0038 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H05B33/14
摘要: 少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の3端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース-ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、中心に芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を有する特定の有機化合物を含む有機薄膜トランジスタ、並びに有機薄膜トランジスタにおいて、ソース-ドレイン間を流れる電流を利用して発光を得、ゲート電極に電圧を印加することによって発光を制御する有機薄膜発光トランジスタによって、応答速度が高速で、しかもオン/オフ比が大きい有機薄膜トランジスタ及びそれを利用した有機薄膜発光トランジスタを提供する。
摘要翻译: 公开了一种有机薄膜晶体管,其中在基板上形成至少三个端子,即栅电极,源电极和漏电极,绝缘层和有机半导体层,并且源极 - 漏极电流通过施加 向栅电极施加电压。 在该有机薄膜晶体管中,有机半导体层含有中心具有芳香族烃基或芳香族杂环基的特定的有机化合物。 该有机薄膜晶体管具有高响应速度和高开/关比。 还公开了使用这种有机薄膜晶体管的有机薄膜发光晶体管,其中通过利用有机薄膜晶体管中的源极 - 漏极电流而获得发光,同时通过向栅极施加电压来控制发光 电极。
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公开(公告)号:WO2009125705A1
公开(公告)日:2009-10-15
申请号:PCT/JP2009/056855
申请日:2009-04-02
IPC分类号: C07C15/60 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号: H01L51/0052 , C07C15/56 , C07C15/60 , C07C15/62 , C07C22/08 , C07C2603/24 , C07C2603/44 , C07C2603/52 , C07D333/76 , C07D493/04 , C07D495/04 , C07D495/14 , C07D513/04 , H01L51/0541 , H01L51/0545
摘要: 下記式(1)の構造を有する有機薄膜トランジスタ用化合物。 X 1 -L-Ar-L-X 2 (1) [式(1)において、Lは、-C≡C-、又は、立体配置がトランスの-CH=CH-であり、 X 1 及びX 2 はそれぞれ炭素数2~30のアルキル基、又は炭素数1~30のハロアルキル基であり、 Arは、3環以上が縮環した置換又は無置換の環形成炭素数14~60の芳香族炭化水素基、又は、3環以上が縮環した置換又は無置換の環形成原子数11~60の芳香族複素環基である。]
摘要翻译: 公开了具有由下式(1)表示的结构的有机薄膜晶体管的化合物。 X1-L-Ar-L-X2(1)其中L代表-C = C-或-CH = CH-,以反式构型; X 1和X 2各自表示碳原子数2〜30的烷基或碳原子数1〜30的卤代烷基。 Ar表示通过三个环以上的环状缩合而生成的具有14〜60个取代或未取代的成环碳原子的芳香族烃基,或通过三个环以上的环缩合而生成的具有11〜60个的芳香族杂环基 取代或未取代的成环原子。
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公开(公告)号:WO2008062715A1
公开(公告)日:2008-05-29
申请号:PCT/JP2007/072201
申请日:2007-11-15
IPC分类号: H01L51/30 , C09K11/06 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/50
CPC分类号: H01L51/0074 , C09K9/02 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1037 , C09K2211/1044 , H01L51/0022 , H01L51/005 , H01L51/0058 , H01L51/0068 , H01L51/0072 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/105 , H01L51/5203 , H01L51/5296 , H05B33/14
摘要: 少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の3端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース-ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、中心にアセチレン又はオレフィン構造を有する特定の有機化合物を含む有機薄膜トランジスタ、並びに有機薄膜トランジスタにおいて、ソース-ドレイン間を流れる電流を利用して発光を得、ゲート電極に電圧を印加することによって発光を制御する有機薄膜発光トランジスタによって、応答速度が高速で、しかもオン/オフ比が大きい有機薄膜トランジスタ及びそれを利用した有機薄膜発光トランジスタを提供する。
摘要翻译: 公开了一种有机薄膜晶体管,其中在基板上形成至少三个端子,即栅电极,源电极和漏电极,绝缘层和有机半导体层,并且源极 - 漏极电流通过施加 向栅电极施加电压。 在该有机薄膜晶体管中,有机半导体层含有在中心具有乙炔或烯烃结构的特定的有机化合物。 该有机薄膜晶体管具有高响应速度和高开/关比。 还公开了使用这种有机薄膜晶体管的有机薄膜发光晶体管,其中通过利用有机薄膜晶体管中的源极 - 漏极电流而获得发光,同时通过向栅极施加电压来控制发光 电极。
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公开(公告)号:WO2009125704A1
公开(公告)日:2009-10-15
申请号:PCT/JP2009/056854
申请日:2009-04-02
IPC分类号: C07D333/54 , C07D333/18 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/50
CPC分类号: H01L51/0052 , H01L51/0074 , H01L51/0558
摘要: 下記式(1)の構造を有する有機薄膜トランジスタ用化合物。 X 1 -L-Ar-L-X 2 (1) [式(1)において、Lは、-C≡C-、又は、立体配置がトランスの-CH=CH-であり、 X 1 及びX 2 は、それぞれ置換又は無置換の環形成原子数5~60の芳香族複素環基であり、Lとの接続部位が複素環であり、 Arは、置換又は無置換の環形成炭素数6~60の芳香族炭化水素基又は置換又は無置換の環形成原子数5~60の芳香族複素環基であり、 X 1 、X 2 及びArの少なくとも一つ以上が2環以上の縮合環である。]
摘要翻译: 公开了具有式(1)结构的有机薄膜晶体管的化合物:其中L代表-C = C-或-CH = CH-的反式构型的X1-L-Ar-L-X2(1) X1和X2各自表示取代或未取代的成环原子数为5〜60的芳香族杂环基,在与L相连的位置上具有环状环,Ar表示取代或未取代的成环碳原子数为6〜60的芳香族烃基 或取代或未取代的成环原子数为5〜60的芳香族杂环基,X1,X2,Ar中的一个以上表示2个以上的环的稠环。
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公开(公告)号:WO2009028460A1
公开(公告)日:2009-03-05
申请号:PCT/JP2008/065112
申请日:2008-08-25
IPC分类号: C07D495/04 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/50
CPC分类号: H01L51/0074 , C07D495/04 , H01L51/0068 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/52 , H01L51/5203 , H01L51/5296
摘要: 中心に芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を有するベンゾジチオフェン誘導体、少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の3端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース-ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、中心に芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を有する特定のベンゾジチオフェンを含む有機薄膜トランジスタ、並びに該有機薄膜トランジスタにおいて、ソース-ドレイン間を流れる電流を利用して発光を得、ゲート電極に電圧を印加することによって発光を制御する有機薄膜発光トランジスタによって、大気中に暴露した状態でも電界効果移動度の安定性に優れる有機化合物並びにそれを利用した有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタを提供する。 用紙が足りないときは、コピーして使用する。
摘要翻译: 公开了在其中心具有芳香族烃基或芳香族杂环基的苯并二噻吩衍生物; 在基板上具有至少三个端子即栅电极,源电极和漏电极,绝缘层和有机半导体层的有机薄膜晶体管,其中在源极之间流动的电流 电极和漏电极通过向栅电极施加电压来控制,其中有机半导体层在其中心包含具有芳族烃基或芳族杂环基的特定苯并二噻吩; 以及基本上包含有机薄膜晶体管的有机薄膜发光晶体管,其中通过利用在源电极和漏电极之间流动的电流并通过向栅电极施加电压来控制发光。 可以提供:即使在暴露于大气中时也表现出高度稳定的场效应迁移率的有机化合物; 以及分别利用有机化合物的有机薄膜晶体管和有机薄膜发光晶体管。
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公开(公告)号:WO2008069060A1
公开(公告)日:2008-06-12
申请号:PCT/JP2007/072905
申请日:2007-11-28
CPC分类号: H01L51/5296 , H01L51/0022 , H01L51/0051 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0074 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/105
摘要: 少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の3端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース-ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、中心に芳香族複素環基を有する特定の有機化合物を含む有機薄膜トランジスタ、並びに有機薄膜トランジスタにおいて、ソース-ドレイン間を流れる電流を利用して発光を得、ゲート電極に電圧を印加することによって発光を制御する有機薄膜発光トランジスタによって、応答速度が高速で、しかもオン/オフ比が大きい有機薄膜トランジスタ及びそれを利用した有機薄膜発光トランジスタを提供する。
摘要翻译:
至少一个基板上的栅极电极,源极电极和漏极电极,绝缘体层和有机半导体层的三个端子被提供时,源 - 通过将电压施加到漏极电流对栅极电极 在用于控制该有机薄膜晶体管中,有机半导体层,包含在中心具有芳香族杂环基团的特定的有机化合物,以及有机薄膜晶体管的有机薄膜晶体管中,源 - 通过使用所述漏极之间流动的电流获得发光, 用于通过将电压施加到栅电极控制发光的有机薄膜发光晶体管,响应速度快,但提供使用该开/关比大的有机薄膜晶体管和它的有机薄膜发光晶体管。 p>
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公开(公告)号:WO2008044695A1
公开(公告)日:2008-04-17
申请号:PCT/JP2007/069729
申请日:2007-10-10
IPC分类号: H01L51/30 , C09K11/06 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/50
CPC分类号: H01L51/005 , C09B1/00 , C09B3/78 , C09B57/00 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1051 , C09K2211/1092 , H01L51/0022 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0074 , H01L51/0512 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/102 , H01L51/52 , H01L51/5203 , H01L51/5296 , H05B33/14
摘要: 少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の3端子、絶縁体層及び有機半導体層が設けられ、ソース-ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が特定構造の化合物を含む有機薄膜トランジスタ、並びに有機薄膜トランジスタにおいて、ソース-ドレイン間を流れる電流を利用して発光を得、ゲート電極に電圧を印加することによって発光を制御する有機薄膜発光トランジスタであり、応答速度(駆動速度)が高速で、しかもオン/オフ比が大きい有機薄膜トランジスタ及びそれを利用した有機薄膜発光トランジスタを提供する。
摘要翻译: 公开了一种有机薄膜晶体管,其中在基板上形成至少三个端子,即栅电极,源电极和漏电极,绝缘层和有机半导体层,并且源极 - 漏极电流通过施加 向栅电极施加电压。 在该有机薄膜晶体管中,有机半导体层含有具有特定结构的化合物。 还公开了一种有机薄膜发光晶体管,其中通过利用有机薄膜晶体管的源极和漏极之间的电流而获得发光,同时通过向栅电极施加电压来控制发光。 有机薄膜晶体管具有高响应速度(驱动速度)和高开/关比。 有机薄膜发光晶体管利用这种有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号:WO2009125721A1
公开(公告)日:2009-10-15
申请号:PCT/JP2009/056933
申请日:2009-04-03
IPC分类号: C07C15/54 , C07C15/56 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号: H01L51/0052 , C07C15/54 , C07C15/58 , C07C15/60 , C07C22/08 , C07C2603/24 , C07D333/76 , C07D495/04 , H01L51/005 , H01L51/0058 , H01L51/0545
摘要: 少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の3端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース-ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、中心に芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基とアセチレン構造とを有する特定の有機化合物を含む有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタにおいて、ソース-ドレイン間を流れる電流を利用して発光を得、ゲート電極に電圧を印加することによって発光を制御する有機薄膜発光トランジスタ、並びにそれに適した化合物である。
摘要翻译: 公开了一种有机薄膜晶体管,其在基板上设置有栅电极,源电极和漏电极,绝缘层和有机半导体层的至少三个端子,并且控制在基板上的电流 源电极通过向栅电极施加电压。 有机半导体层包括在中心具有芳族烃基或杂芳族环基团和乙炔结构的特定有机化合物。 有机薄膜晶体管通过利用在源极 - 漏极之间流动的电流来发光,并且通过向栅电极施加电压来控制发光。 此外,公开了适用于有机薄膜晶体管的化合物。
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