公开(公告)号：WO2016039830A1

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：PCT/US2015/033547

申请日：2015-06-01

申请人： SABIC GLOBAL TECHNOLOGIES B.V. ,  PARK, Ji, Hoon ,  ALSHAREEF, Husam, N. ,  ODEH, Ihab, N.

发明人： PARK, Ji, Hoon ,  ALSHAREEF, Husam, N. ,  ODEH, Ihab, N.

IPC分类号： H01L51/30

CPC分类号： H01L27/11507 ,  C09D127/16 ,  C23C16/00 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02282 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/40 ,  H01L29/516 ,  H01L51/052 ,  C08L33/12 ,  C08L25/06 ,  C08L71/12

摘要： Disclosed is a method for preparing a ferroelectric film having ferroelectric hysteresis properties, the method comprising (a) obtaining a composition comprising a solvent and an organic ferroelectric polymer solubilized therein, (b) heating the composition to above 75 °C and below the boiling point of the solvent, (c) depositing the heated composition onto a substrate; and (d) annealing the heated composition to form a ferroelectric film having ferroelectric hysteresis properties and a thickness of 400 nm or less.

摘要翻译： 公开了一种制备具有铁电滞后特性的铁电体膜的方法，该方法包括（a）获得包含溶剂和溶解在其中的有机铁电聚合物的组合物，（b）将组合物加热至高于75℃并低于沸点 的溶剂，（c）将加热的组合物沉积在基材上; 和（d）对加热的组合物进行退火以形成具有铁电滞后性和400nm以下的厚度的铁电体膜。

公开(公告)号：WO2016012466A1

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：PCT/EP2015/066684

申请日：2015-07-21

申请人： FLEXENABLE LIMITED

发明人： JONGMAN, Jan ,  WELLNER, Anja ,  DIENELT, Jens ,  NEUMANN, Karsten ,  RIEDEL, Stephan

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L27/3237 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3272 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0014 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0533

摘要： A technique comprising: providing a stack of layers defining at least fa) source and drain electrodes, (b) gate electrode, and (c) semiconductor channel of at least one transistor; depositing one or more organic insulating layers over the stack; removing at least part of the stack in one or more selected regions by an ablation technique; depositing conductor material over the stack in at least the one or more ablated regions and one or more border regions immediately surrounding a respective ablated region; and depositing inorganic insulating material over the stack at least in the ablated regions and the border regions to cover the ablated regions and make direct contact with said conductor material in said one or more border regions all around the respective ablated region.

摘要翻译： 一种技术，包括：提供限定至少一个源极和漏极的层的堆叠，（b）栅电极和（c）至少一个晶体管的半导体沟道; 在堆叠上沉积一个或多个有机绝缘层; 通过消融技术去除一个或多个所选区域中的堆叠的至少一部分; 在至少一个或多个烧蚀区域和一个或多个边界区域中在堆叠上沉积导体材料，并且立即围绕相应的烧蚀区域; 以及至少在所述烧蚀区域和所述边界区域中在所述堆叠上沉积无机绝缘材料以覆盖所述烧蚀区域，并且使所述一个或多个边界区域中的所述导体材料在相应的烧蚀区域周围直接接触。

公开(公告)号：WO2015191254A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：PCT/US2015/031522

申请日：2015-05-19

申请人： SABIC GLOBAL TECHNOLOGIES B.V. ,  ALMADHOUN, Mahmoud, N. ,  ODEN, Ihab, N. ,  KHAN, Mohd, Adnan

发明人： ALMADHOUN, Mahmoud, N. ,  ODEN, Ihab, N. ,  KHAN, Mohd, Adnan

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC分类号： C09D127/16 ,  C09D5/24 ,  G11C11/221 ,  G11C11/2273 ,  G11C11/2275 ,  H01G4/002 ,  H01G7/06 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/4908 ,  H01L41/042 ,  H01L51/052 ,  H05K1/03

摘要： Disclosed is a method for producing a polymeric ferroelectric material. The method can include (a) obtaining a polymeric ferroelectric precursor material, and (b) subjecting the polymeric ferroelectric precursor material to pulsed electromagnetic radiation sufficient to form a polymeric ferroelectric material having ferroelectric hysteresis properties, wherein the polymeric ferroelectric precursor material, prior to step (b), has not previously been subjected to a thermal treatment for more than 55 minutes.

摘要翻译： 公开了一种聚合铁电材料的制造方法。 该方法可以包括（a）获得聚合铁电前体材料，和（b）使聚合物铁电前体材料经受足以形成具有铁电滞后特性的聚合铁电材料的脉冲电磁辐射，其中聚合物铁电前体材料在步骤 （b）以前没有进行超过55分钟的热处理。

公开(公告)号：WO2015146926A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：PCT/JP2015/058775

申请日：2015-03-23

申请人： 富士フイルム株式会社

发明人： 永田　裕三 ,  滝沢　裕雄 ,  土村　智孝 ,  鶴田　拓也

IPC分类号： H01L21/312 ,  C08F212/00 ,  C08F220/10 ,  H01L21/283 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/004 ,  C08F12/22 ,  C08F12/24 ,  C08F20/28 ,  C08F212/14 ,  C08F2500/02 ,  C08F2800/10 ,  C08F2810/20 ,  H01L21/02118 ,  H01L29/786 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566 ,  C08F2220/325 ,  C08F212/32 ,  C08F212/145 ,  C08F220/36 ,  C08F2220/302 ,  C08F2220/343

摘要： 　半導体層と該半導体層に隣接する絶縁層とを有する半導体素子であって、前記絶縁層が、下記一般式（ＩＡ）で表される繰り返し単位（ＩＡ）と下記一般式（ＩＢ）で表される繰り返し単位（ＩＢ）とを有する高分子化合物の架橋物で形成されている半導体素子。　一般式（ＩＡ）中、Ｒ １ａ は水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。Ｌ １ａ 及びＬ ２ａ は各々独立に単結合又は連結基を表す。Ｘは架橋性基を表す。ｍ２ａは１～５の整数を表し、ｍ２ａが２以上の場合、ｍ２ａ個のＸは互いに同一でも異なっていてもよい。ｍ１ａは１～５の整数を表し、ｍ１ａが２以上の場合、ｍ１ａ個の（－Ｌ ２ａ －（Ｘ）ｍ２ａ)は互いに同一でも異なっていてもよい。一般式（ＩＢ）中、Ｒ １ｂ は水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。Ｌ １ｂ は単結合又は連結基を表し、Ａｒ １ｂ は芳香族環を表す。ｍ１ｂは１～５の整数を表す。

摘要翻译： 一种半导体元件，其具有与所述半导体层相邻的半导体层和绝缘层。 通过交联具有可由通式（IA）表示的重复单元（IA）和可由通式（IB）表示的重复单元（IB））的高分子化合物形成绝缘层。 通式（IA）通式（IB）在通式（IA）中，R 1a表示氢原子，卤素原子或烷基; L1a和L2a各自独立地表示单键或连接基团; X表示可交联基团; m2a表示1〜5的整数， 如果所述整数大于或等于2，则m2a X可以彼此相同或不同; m1a表示1〜5的整数， 并且如果所述整数大于或等于2，则m1a（-L2a-（X）m2a）s可以彼此相同或不同。 在通式（IB）中，R 1b表示氢原子，卤素原子或烷基; L1b表示单键或连接基团; Ar1b表示芳香环; m1b表示1〜5的整数。

公开(公告)号：WO2015135622A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：PCT/EP2015/000324

申请日：2015-02-13

申请人： MERCK PATENT GMBH ,  PROMERUS, LLC

发明人： AFONINA, Irina ,  CULL, Toby

IPC分类号： H01L51/05 ,  C08F232/00

CPC分类号： H01L51/0034 ,  C08F232/00 ,  C08F232/08 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： The present invention relates to organic electronic devices, and more specifically to organic field effect transistors, comprising a dielectric layer that comprises a polycycloolefinic polymer with an olefinic side chain.

摘要翻译： 本发明涉及有机电子器件，更具体地涉及有机场效应晶体管，其包括具有烯烃侧链的聚环烯烃聚合物的介电层。

公开(公告)号：WO2015133377A1

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：PCT/JP2015/055709

申请日：2015-02-26

申请人： 富士フイルム株式会社

发明人： 滝沢　裕雄 ,  吉田　隼人 ,  木村　桂三 ,  横井　和公

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/312 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/052 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074

摘要： 　基板上に、ゲート電極と、有機半導体層と、該ゲート電極と該有機半導体層との間に設けられたゲート絶縁層と、該有機半導体層に接して設けられ、該有機半導体層を介して連結されたソース電極及びドレイン電極とを有する有機薄膜トランジスタであって、　上記有機半導体層が、ブロック共重合体がミクロ相分離してなる層に接して設けられている、有機薄膜トランジスタ。

摘要翻译： 一种有机薄膜晶体管，其在基板上具有设置在所述栅电极和所述有机半导体层之间的栅电极，有机半导体层，栅极绝缘层，与所述有机半导体接触设置的源电极和漏极 层，并且通过有机半导体层耦合在一起，有机半导体层设置成与通过嵌段共聚物的微层分离形成的层接触。

公开(公告)号：WO2015133372A1

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：PCT/JP2015/055704

申请日：2015-02-26

申请人： 富士フイルム株式会社

发明人： 滝沢　裕雄

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/312 ,  H01L21/47 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/0071 ,  H01L29/786 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/105 ,  H01L2251/301

摘要： 　基板上に、ゲート電極と、半導体層と、該ゲート電極と該半導体層との間に設けられた、有機高分子化合物で形成されたゲート絶縁層と、該半導体層に接して設けられ、該半導体層を介して連結されたソース電極及びドレイン電極とを有する薄膜トランジスタであって、　前記ゲート絶縁層中、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＡｇから選ばれる金属の含有量が総量で１０ｐｐｂ～１ｐｐｍであるか、又は、ハロゲンイオン、硫酸イオン、硝酸イオン及びリン酸イオンから選ばれる非金属イオン性物質の含有量が総量で１ｐｐｍ～１００ｐｐｍである、薄膜トランジスタ。

摘要翻译： 一种薄膜晶体管，在基板上具有栅电极; 半导体层; 栅极绝缘层，设置在所述栅电极和所述半导体层之间，并由有机高分子化合物形成; 以及源极电极和漏电极，与半导体层接触，并经由半导体层连接。 在栅极绝缘层中从Mg，Ca，Ba，Al，Sn，Pb，Cr，Mn，Fe，Ni，Cu，Zn和Ag中选出的金属的总量为10ppb〜1ppm， 在栅极绝缘层中选自卤离子，硫酸根离子，硝酸根离子和磷酸根离子的非金属离子物质为1ppm〜100ppm。

公开(公告)号：WO2014125990A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：PCT/JP2014/052745

申请日：2014-02-06

申请人： DIC株式会社

发明人： 水口　良 ,  桜井　美弥 ,  岡本　朋子

IPC分类号： H01B3/30 ,  C08F8/00 ,  C08F290/12 ,  C08F299/00 ,  C09D11/00 ,  C09D157/00 ,  H01B3/44 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： C08F224/00 ,  C08F8/14 ,  C08F290/124 ,  C08F290/126 ,  C08F299/00 ,  C09D4/00 ,  C09D4/06 ,  C09D11/101 ,  H01B3/447 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  C08F20/32 ,  C08F222/1006

摘要： 有機電界効果トランジスタの性能を向上させるため、高度な絶縁破壊強度とリーク電流密度の低さを兼ね備えつつ、印刷法に適した早い硬化速度と耐溶剤性を兼ね備えた絶縁材料及び該絶縁材料を有する絶縁膜並びにトランジスタを提供する。ビニル系重合体を含有する絶縁材料用樹脂組成物であって、該ビニル系重合体の酸価が２０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であり、かつ、（メタ）アクリロイル基当量が２２０～１６００ｇ／ｅｑであり、該ビニル系重合体がフェニル基と（メタ）アクリロイル基とを有する。

摘要翻译： 为了提高有机场效应晶体管的性能，本发明提供了一种绝缘材料，其具有适用于印刷方法的耐溶剂性和高固化速度，同时具有高介电击穿强度和低漏电流密度; 具有绝缘材料的绝缘膜; 和晶体管。 一种含有乙烯基聚合物的绝缘材料用树脂组合物。 乙烯基聚合物的酸值为20mgKOH / g以下，（甲基）丙烯酰基当量为220-1,600g / eq; 乙烯基聚合物具有苯基和（甲基）丙烯酰基。

公开(公告)号：WO2014115515A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：PCT/JP2014/000193

申请日：2014-01-16

申请人： SONY CORPORATION

发明人： KOBAYASHI, Norihito ,  IGARASHI, Eri ,  MUROYAMA, Masakazu

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L51/40 ,  H01L51/56 ,  H01L51/48

CPC分类号： H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50

摘要： There is provided a formation method of a laminated structure, including forming a laminated structure formed from, from a base (10) side, an organic insulating material layer (15) and a polycrystalline organic semiconductor material layer (16) by coating and drying on the base a solution in which an organic semiconductor material and an organic insulating material are dissolved in a solvent, in which the mass ratio of the (organic insulating material / organic semiconductor material) is greater than 1 and less than 3.

摘要翻译： 提供一种叠层结构的形成方法，包括通过在基底（10）侧，有机绝缘材料层（15）和多晶有机半导体材料层（16）上形成的层叠结构，通过在 其中有机半导体材料和有机绝缘材料溶解在其中（有机绝缘材料/有机半导体材料）的质量比大于1且小于3的溶剂中的溶液。

公开(公告)号：WO2014044359A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：PCT/EP2013/002671

申请日：2013-09-05

申请人： MERCK PATENT GMBH ,  PROMERUS LLC

发明人： WIERZCHOWIEC, Piotr ,  MISKIEWICZ, Pawel ,  TAN, Li Wei ,  BHINTADE, Rashmi ,  BROOKES, Paul, Craig ,  RHODES, Larry, F. ,  BURGOON, Hugh, A.

IPC分类号： H01L51/00 ,  C07C13/42 ,  C07C13/43 ,  C08G61/08

CPC分类号： H01L51/0094 ,  C08G2261/3424 ,  C08G2261/92 ,  C08K5/548 ,  C08L2203/20 ,  C09D145/00 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0032 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/107 ,  Y02E10/549

摘要： Embodiments in accordance with the present invention relate generally to formulations for use in organic semiconductor layers of organic electronic devices, and more specifically in organic field effect transistors, to organic semiconductor layers prepared from such formulations, and to organic electronic devices and organic field effect transistors encompassing such organic semiconductor layers.

摘要翻译： 根据本发明的实施方案一般涉及用于有机电子器件的有机半导体层的制剂，更具体地涉及有机场效应晶体管，由这种制剂制备的有机半导体层，以及有机电子器件和有机场效应晶体管 包括这样的有机半导体层。