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公开(公告)号：WO2008013244A1
公开(公告)日：2008-01-31
申请号：PCT/JP2007/064713
申请日：2007-07-26
CPC classification number: C07C49/92 , C07C45/77 , C07F15/0046 , C23C16/18
Abstract: 本発明の一般式（１－１） （式中、Ｘは、一般式（１－２） で示される基（式中、Ｒ ａ 及びＲ ｂ は、炭素原子数１～５の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。）、Ｙは、一般式（１－２）で示される基又は炭素原子数１～８の直鎖又は分枝状のアルキル基、Ｚは、水素原子又は炭素原子数１～４のアルキル基を示す。Ｌは、少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を示す。） で示される有機ルテニウム錯体、ビス(アセチルアセトナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウム、およびビス(アセチルアセトナト)(1,3-ペンタジエン)ルテニウムは、低融点を有し、且つ水分、空気及び熱に対しての安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による成膜に適している。
Abstract translation: 由通式（1-1），双（乙酰丙酮）（1,5-己二烯）钌和双（乙酰丙酮）（1,3-戊二烯）钌的钌络合物表现出低熔点，显示出优异的耐水分稳定性， 空气和热量，并且适合于通过CVD方法形成膜。 （1-1）其中X表示由通式（1-2）表示的基团; Y表示由通式（1-2）表示的基团或具有1〜8个碳原子的直链或支链烷基; Z表示氢原子或碳原子数1〜4的烷基。 L表示具有至少两个双键的不饱和烃化合物：（1-2）其中R a，R b和R b独立地表示直链或支链烷基，其具有1〜 5个碳原子。
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公开(公告)号：WO2005087697A1
公开(公告)日：2005-09-22
申请号：PCT/JP2005/004577
申请日：2005-03-15
IPC: C07C49/92
CPC classification number: C23C16/40 , C07C45/455 , C07C45/77 , C07C49/92 , C23C16/18 , C07C49/175
Abstract: 【課題】 ＣＶＤ法による金属含有薄膜の製造に好適に使用できる金属錯体及び金属含有薄膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 アルコキシアルキルメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする金属錯体、及びこの金属錯体を用いてＣＶＤ法により金属含有薄膜を製造する方法。
Abstract translation: [问题]提供能够适用于通过CVD法制造含金属薄膜的金属络合物和含金属薄膜的制造方法。 用于解决问题的方法包含具有烷氧基烷基甲基的β-二酮的金属络合物作为配体; 以及使用上述金属络合物通过CVD法制造含金属薄膜的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2009011425A1
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：PCT/JP2008/063035
申请日：2008-07-18
CPC classification number: C07F15/0093 , C07C49/92 , C23C16/18
Abstract: 本発明の有機白金錯体は、一般式（１）で示される新規白金錯体であり、低融点を有し、且つ水分、空気及び熱に対しての安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による白金含有薄膜の製造に適している。 【化１】 （式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、アルコキシ基で置換されていても良い炭素数１～８の直鎖又は分枝状のアルキル基を示し、Ｚは、水素原子、あるいは炭素数１～４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示し、Ｌは、アルコキシアルケニル基（アルコキシ基で置換された直鎖又は分枝状のアルケニル基）を示す。）
Abstract translation: 公开了作为下述通式（1）表示的新型铂络合物的有机铂络合物。 该有机铂络合物具有低熔点，同时对水分，空气和热量具有优异的稳定性。 该有机铂络合物适用于通过CVD法制造含铂的薄膜。 （1）（式中，X和Y分别表示可以被烷氧基取代的碳原子数为1〜8的直链或支链烷基，Z表示氢原子或具有1- 4个碳原子; L表示烷氧基烯基（被烷氧基取代的直链或支链烯基））
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公开(公告)号：WO2003064437A1
公开(公告)日：2003-08-07
申请号：PCT/JP2003/001014
申请日：2003-01-31
IPC: C07F7/18
CPC classification number: C23C16/18 , C07F7/1844
Abstract: Copper-containing thin films can be industrially advantageously formed through chemical vapor deposition by using as the copper source a copper(II) complex bearing beta-diketonato ligands having silyl ether linkages, and representative example of the copper(II) complex are compounds represented by the general formula (I): (I) (I-I) wherein Z is hydrogen or alkyl; X is a group represented by the general formula (I-I) (wherein Ra is alkylene; and Rb, Rc, and Rd are each alkyl); and Y is a group represented by the general formula (I-I) (wherein Ra is alkylene; and Rb, Rc, and Rd are each alkyl), or alkyl.
Abstract translation: 通过使用具有甲硅烷基醚键的带有β-二酮配体的铜（II）配合物作为铜源，可以通过化学气相沉积在工业上有利地形成含铜薄膜，并且铜（II）络合物的代表性实例是由 通式（I）：（I）（II）其中Z是氢或烷基; X是由通式（I-I）表示的基团（其中R a是亚烷基; R b，R c和R d各自是烷基）。 Y为由通式（I-I）表示的基团（其中，R a为亚烷基，R b，R c，R d各自为烷基）或烷基。
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公开(公告)号：WO2005035823A1
公开(公告)日：2005-04-21
申请号：PCT/JP2004/015083
申请日：2004-10-13
IPC: C23C16/18
CPC classification number: C07F7/1852 , C23C16/18
Abstract: [PROBLEMS] Disclosed is a novel beta-diketonato metal complex which can be advantageously used in a method wherein a metal thin film is produced by CVD. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] Disclosed is a metal complex represented by the following formula: (1) (wherein X represents a silyl ether group having a specific structure; Y represents the above-mentioned silyl ether group or an alkyl group; Z represents a hydrogen atom or an alkyl group; M represents Lu, Ir, Pd, Ni, V, Ti, Zr, Hf, Al, Ga, In, Sn, Pb, Zn, Mn, It, Cr, Mg, Co, Fe or Ag; and n represents the valence of the metal atom M.)
Abstract translation: [问题]公开了一种新颖的β-二酮单体金属络合物，其可以有利地用于通过CVD制备金属薄膜的方法。 解决问题的手段公开了下述式表示的金属络合物：（1）（式中，X表示具有特定结构的甲硅烷基醚基，Y表示上述甲硅烷基醚基或烷基，Z表示 氢原子或烷基; M表示Lu，Ir，Pd，Ni，V，Ti，Zr，Hf，Al，Ga，In，Sn，Pb，Zn，Mn，It，Cr，Mg，Co，Fe或Ag ; n表示金属原子M的化合价）
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公开(公告)号：WO2006035784A1
公开(公告)日：2006-04-06
申请号：PCT/JP2005/017772
申请日：2005-09-27
IPC: C23C16/18 , H01L21/3205 , H01L21/285 , C07F7/18
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C16/18 , H01L21/76841
Abstract: [PROBLEMS] To provide a process for forming low-resistance copper-containing film at low temperature by CVD method. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A copper-containing film is formed by CVD method on a barrier layer made from an organometallic raw material gas and a reducing gas by the use of a copper complex represented by the general formula (I) which has a ß-diketonato ligand represented by the general formula (I)': (I)' (I-I) (I) wherein Z is hydrogen or alkyl of 1 to 4 carbon atoms; X is a group represented by the general formula (I-I) (wherein R
Abstract translation: [问题]提供通过CVD法在低温下形成低电阻含铜膜的工艺。 解决问题的手段通过使用由通式（I）表示的铜络合物的有机金属原料气体和还原气体制成的阻挡层，通过CVD法形成含铜膜，该铜络合物具有ß （I）'（II）（I）表示的由通式（I）'表示的二酮配位体：其中Z为氢或1至4个碳原子的烷基; X是由通式（I-I）表示的基团（其中R
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公开(公告)号：WO2009031582A1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：PCT/JP2008/065870
申请日：2008-09-03
Applicant: 株式会社 アルバック , 座間 秀昭 , 石川 道夫 , 角田 巧 , 長谷川 千尋
IPC: H01L21/285 , C23C16/18 , H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: C23C16/18 , C23C16/045 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L29/7833
Abstract: ルテニウム含有膜と銅含有膜とを含む銅配線の低抵抗化を図り、その信頼性を向上させた半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置を提供する。一般式（１）で示される有機ルテニウム錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるＣＶＤ法によって、凹部が形成された基板の上にＲｕ膜を形成する（ステップＳ１２）。そして、一般式（２）で示される有機銅錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるＣＶＤ法によって、Ｒｕ膜の上にＣｕ膜を形成し、凹部にＲｕ膜とＣｕ膜とを含む銅配線を形成する（ステップＳ１４）。
Abstract translation: 公开了一种制造半导体器件的方法，该半导体器件具有降低含有含钌膜和含铜膜的铜布线的电阻，从而提高了可靠性。 还公开了一种用于制造半导体器件的装置。 具体而言，通过使用含有通式（1）表示的有机钌络合物和还原气体的原料（步骤S12），通过CVD法在具有凹部的基板上形成Ru膜，然后将Cu膜 通过使用包含由通式（2）表示的有机铜络合物的原料和还原气体的CVD法在Ru膜上形成，从而在凹部中形成含有Ru膜和Cu膜的铜布线（步骤 S14）。
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