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公开(公告)号：WO2007040072A1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：PCT/JP2006/318929
申请日：2006-09-25
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R29/12 , G01R33/09 , G11B5/3993 , H01F10/20 , H01F10/24
Abstract: 電磁界検出素子１０は、積層された３つの絶縁層２、３、４を有している。絶縁層３の絶縁破壊電界は絶縁層２、４の絶縁破壊電界よりも大きい。３つの絶縁層２、３、４は一対の電極５、６に挟まれている。Ｚ方向に関する電極５、６の対向面５ａ、６ａの重複範囲の両端境界７、８と絶縁層３との間は、それぞれ、絶縁層２、４の厚みｔ１、ｔ３だけ離隔している。絶縁層２、４を絶縁破壊させつつ絶縁層３を絶縁破壊させない大きさの電界を一対の電極５、６間に印加すると、一対の電極５、６間に絶縁層３を挟む２つの弾道的な電流経路が形成される。これにより、ＡＢ効果又はＡＣ効果を利用した高効率の電磁界検出を常温下において行えるようになる。
Abstract translation: 电磁场检测元件（10）堆叠有三个绝缘层（2,3,4）。 绝缘层（3）的击穿场大于绝缘层（2,4）的击穿场。 三个绝缘层（2,3,4）保持在一对电极（5,6）之间。 在Z方向上的电极（5,6）的相对表面（5a，6a）的重叠范围的相对端的绝缘层（3）和边界（7,8）分别间隔开 绝缘层（2,4）的厚度（t1，t3）。 当在一对电极（5,6）之间施加引起绝缘层（2,4）破坏而不引起绝缘层（3）击穿的电场时，在该对电极之间形成两个弹道电流通路 （5,6）以将绝缘层（3）保持在其间。 因此，利用AB效应或AC效应的电磁场的高效检测可以在常温下进行。
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公开(公告)号：WO2010007695A1
公开(公告)日：2010-01-21
申请号：PCT/JP2008/066076
申请日：2008-09-05
Applicant: 富士電機ホールディングス株式会社 , 川上 春雄 , 荻本 泰史
IPC: H01L43/08 , G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F10/3286
Abstract: スピンバルブ素子において多値記録を行うために、絶縁体層２４または非磁性層５１を挟み、保磁力が互いに異なっている１対の強磁性層２３，２５を有するスピンバルブ素子であって、保磁力が弱い強磁性層２５の面内形状を概ね円形にして、複数の島状非磁性部Ｉ Ｎ 、Ｉ Ｅ 、Ｉ Ｗ 、Ｉ Ｓ を設けるスピンバルブ素子１を得る。また、そのようなスピンバルブ素子を用いて記憶装置１０を作製する。
Abstract translation: 在具有夹持绝缘体层（24）或非磁性层（51）的不同矫顽力的一对铁磁层（23,25）以进行多层记录的自旋阀元件中，铁磁层的平面内轮廓 （25）的弱矫顽力基本上是圆形的，从而获得设置有多个岛状非磁性部件（IN，IE，Iw，IS）的自旋阀元件（1）。 使用这种自旋阀元件制造存储装置（10）。
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公开(公告)号：WO2009054182A1
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：PCT/JP2008/065407
申请日：2008-08-28
Applicant: 富士電機ホールディングス株式会社 , 川上 春雄 , 荻本 泰史 , 足立 栄希
CPC classification number: H01F10/324 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F41/302 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01P5/02 , H03B15/006 , Y10T428/1171
Abstract: 高周波の発振を行うスピンバルブ素子においてインピーダンスマッチングを実現するため、絶縁体または非磁性体からなる中間層を一対の強磁性層により挟持した磁性素子を複数含む並列または直列磁性素子群を、さらに直列または並列につないでスピンバルブ素子を得て、並列と直列とを組み合わせて接続する磁性素子群を用いることにより、スピンバルブ素子のインピーダンスを所望の値にマッチングさせることができ、さらに多孔質膜を利用してスピンバルブ素子を作製することにより、高度なリソグラフィー法を用いることなく、個々の磁性素子に単磁区構造を実現することができる。
Abstract translation: 执行高频振荡的元件中的阻抗匹配可以如下进行。 每个具有多个磁性元件的平行或串联磁性元件组，其中由绝缘材料或非磁性材料形成的中间层被一对铁磁层夹在中间，进一步串联或并联，以获得旋转 - 元素。 通过使用通过并联和串联连接的组合连接的磁性元件组，自旋阀元件可以具有与期望值匹配的阻抗。 此外，通过使用多孔膜制造自旋阀元件，可以在不使用复杂光刻的情况下在每个磁性元件中实现单个磁畴结构。
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公开(公告)号：WO2009157101A1
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/JP2008/066075
申请日：2008-09-05
Applicant: 富士電機ホールディングス株式会社 , 荻本 泰史 , 川上 春雄
IPC: H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC classification number: H01F10/3295 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , H01F10/133 , H01F10/3268 , H01F10/3286 , H01L27/224 , H01L43/08 , Y10T428/1107 , Y10T428/1143
Abstract: フリー層５とピン層３とこれらに挟まれた非磁性層４とを有するスピンバルブ構造に情報を記録する磁気メモリ素子であり、さらに、フリー層５に別の非磁性層６と、温度に応じて磁気特性が変化する磁気変化層７とを備えて、スピンバブル構造には、形状の異なる切欠を１つ含む複数の切欠（Ｎ Ｎ 、Ｎ Ｅ 、Ｎ Ｓ 、Ｎ Ｗ ）が周縁部に設けられている。
Abstract translation: 一种用于将信息存储在具有自由层（5），针层（3）和夹在它们之间的非磁性层（4）的自旋阀结构中的磁存储元件，其中自由层（5）设置有其它非磁性层 6）和具有根据温度变化的磁特性的磁性变化层（7），并且自旋阀结构在圆周方向上设置有包括一个具有不同形状的凹口（N，NE，NS，NW）的多个凹口 边缘部分。
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公开(公告)号：WO2009078201A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/JP2008/065409
申请日：2008-08-28
Applicant: 富士電機ホールディングス株式会社 , 川上 春雄 , 荻本 泰史
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H03B15/006
Abstract: スピンバルブ素子に印加する外部磁場を弱くして、あるいは全く用いずに駆動してマイクロ波を発振させるために、一対の強磁性層の各層の保磁力が互いに異なっているスピンバルブ素子から電磁信号を得るスピンバルブ素子の駆動方法またはそのようなスピンバルブ素子。一対の強磁性層のうち保磁力の大きい強磁性層である固定層を、固定層の膜面にほぼ垂直になるような向きに磁化し、一対の強磁性層の一方から他方へ中間層を通過させて電流を流す。駆動の際、外部磁場の大きさの値とスピンバルブ素子に流す電流の値とからなる値の組を所定の条件を満たすようにする。あるいは、一対の強磁性層のうち保持力の小さい強磁性層であるフリー層の物性をこのような条件を実現し得るようなものとする。
Abstract translation: 公开了一种自旋阀元件，其中一对铁磁层具有不同的矫顽力，使得自旋阀元件可以被驱动以利用外部弱磁场或不施加外部磁场来振荡微波， 用于从旋转阀元件获取电磁信号的阀元件驱动方法。 成对的铁磁层的矫顽力较高的固定层或铁磁层基本上垂直于固定层的膜面被磁化，使得电流从成对的铁磁层中的一个通过中间层 。 在该驱动时刻，使外部磁场的大小的值和供给到自旋阀元件的电流值的集合满足规定的条件。 在成对的铁磁层中，可选地，具有较低矫顽力的自由层或铁磁层具有能够实现该条件的物理性质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2009050945A1
公开(公告)日：2009-04-23
申请号：PCT/JP2008/065406
申请日：2008-08-28
Applicant: 富士電機ホールディングス株式会社 , 川上 春雄 , 荻本 泰史 , 足立 栄希
CPC classification number: H01L43/08 , H01L43/02 , H01L43/12 , H03B15/006 , Y10T428/1114 , Y10T428/24331
Abstract: スピンバルブ素子に流せる電力を増大するために、絶縁体層２４または非磁性層５１が強磁性体層２３，２５によって挟持されて、微細孔を複数有する多孔質層１０（１０´）を一方の強磁性体層に接するように、または、その強磁性体層との間に他の層を置いて配置する。これにより、広い領域の単一の磁区の磁性多層膜を用いなくても、例えば、スピンパブル素子によってマイクロ波を発振させる際にマイクロ波の電力を大きくすることができる。
Abstract translation: 为了增加能够流入自旋阀元件的功率，绝缘层（24）或非磁性层（51）被铁磁层（23,25）和多孔层（10（10'）夹持） ））布置成与铁磁层中的一个或铁磁层之间经由其它层接触。 因此，可以在不使用宽区域单磁畴的磁性多层膜的情况下，通过自旋阀元件振荡微波时增加微波的功率。
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公开(公告)号：WO2009136454A1
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：PCT/JP2008/065414
申请日：2008-08-28
Applicant: 富士電機ホールディングス株式会社 , 川上 春雄 , 荻本 泰史
IPC: H01L43/08 , H01L21/8246 , H01L27/105
CPC classification number: G11C11/16 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 磁化反転のための電流を低減し、動作を高速にするため、１層の絶縁体層または非磁性層からなる中間層（２４、５１）と、中間層を挟む１対の強磁性層（２３、２５）とを備え、１対の強磁性層の強磁性層の保磁力が互いに異なるスピンバルブ素子またはそのスピンバルブ素子を用いる記憶装置であって、１対の強磁性層の強磁性層の磁化容易軸（１０、１２）の方向を互いに異なるようにし、また、好適には、磁化容易軸の間の角度を一定の範囲に設定する。
Abstract translation: 一种自旋阀元件，其中包括一个绝缘体层或非磁性层的中间层（24,51）和夹在其间的中间层之间的一对铁磁层（23,25），以便减小用于磁性反向的电流， 一对铁磁层的磁力矫顽力彼此不同，或使用自旋阀元件的存储装置。 使一对铁磁层的轴的磁化方向（10,12）设定为不同。 此外，磁化促进轴之间的角度希望设定在固定范围内。
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公开(公告)号：WO2009098796A1
公开(公告)日：2009-08-13
申请号：PCT/JP2008/065425
申请日：2008-08-28
Applicant: 富士電機ホールディングス株式会社 , 荻本 泰史
Inventor： 荻本 泰史
IPC: H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC classification number: H01L27/224 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L43/10
Abstract: クロスポイント型メモリーを実現する４Ｆ ２ サイズのメモリーセルを得るために、フリー層５、非磁性層４、ピン層３からなるスピンバルブ構造を有する磁気メモリー素子を用いる。ピン層またはフリー層がＮ型フェリ磁性体を含み、そのＮ型フェリ磁性体の磁気補償点は、フリー層とピン層の磁化の組み合わせを制御する書き込みパルスのあるものを印加したときに到達するピン層の温度より低く、別の書き込みパルスを印加したときに到達するピン層の温度よりも高い。これらの書き込みパルスは同一の極性にすることができる。
Abstract translation: 为了获得用于实现交叉点存储器的4F2尺寸的存储单元，使用具有包括自由层（5），非磁性层（4）和钉扎层（3）的自旋阀结构的磁存储元件。 钉扎层或自由层包括n型铁磁体。 当施加用于控制自由层和钉扎层的磁化的组合的一些写入脉冲并且高于被钉扎层的温度时，n型铁磁体的磁补偿点低于达到的钉扎层的温度 当应用另一写入脉冲时。 这些写入脉冲可以具有相同的极性。
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公开(公告)号：WO2007026509A1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：PCT/JP2006/315649
申请日：2006-08-08
CPC classification number: H01C7/1013 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , H01C7/115 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147
Abstract: ２つの金属電極の間に強相関材料からなる可変抵抗体を設けてなり、金属電極間に電圧パルスを印加することにより金属電極間の電気抵抗が変化する可変抵抗素子において、明確なスイッチング動作原理の裏付けによって、金属電極及び可変抵抗体を適切に設計して、電気抵抗の低抵抗状態と高抵抗状態間の抵抗比の大きなスイッチング動作を可能とする可変抵抗素子を提供する。電圧パルスの印加によって、２つの金属電極１，３の何れか一方の第１電極と可変抵抗体２の界面において金属絶縁体転移が生じるように第１電極と可変抵抗体の材料及び組成を設定する。更に、第１電極と可変抵抗体の仕事関数差が、可変抵抗体の第１電極との界面近傍において金属相と絶縁体相の２相共存相を形成し得る仕事関数差となっている。
Abstract translation: 可变电阻元件包括夹在两个金属电极之间的强相关材料的可变电阻器，并且金属电极之间的电阻随着在金属电极之间施加电压脉冲而变化。 通过根据确定的开关动作原理适当设计金属电极和可变电阻器，能够实现低电阻状态与高电阻状态之间的电阻比的切换操作。 第一电极和可变电阻器的材料和组成被设置为使得金属绝缘体转变发生在两个金属电极（1,3）和可变电阻器（2）中的任一个中的第一电极的界面上，通过施加电压 脉冲。 此外，可以通过第一电极和可变电阻器之间的功函数差，在可变电阻器和第一电极之间的界面附近形成金属相和绝缘体相的两个共存相。
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公开(公告)号：WO2009157100A1
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/JP2008/066073
申请日：2008-09-05
Applicant: 富士電機ホールディングス株式会社 , 川上 春雄 , 荻本 泰史
IPC: H01L43/08 , G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C19/0808 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , Y10T428/1107 , Y10T428/1143
Abstract: 絶縁体層または非磁性層を挟み、保磁力が互いに異なっている１対の強磁性層を有するスピンバルブ素子であって、スピンバルブ素子の面内形状を概ね円形として周縁部に複数の切欠Ｎ Ｓ 、Ｎ Ｗ 、Ｎ Ｅ 、Ｎ Ｎ を設ける。好ましくは少なくとも一つの切欠の形状を他とは異ならせる。また、そのようなスピンバルブ素子を用いる記憶装置。
Abstract translation: 一种自旋阀元件，其具有夹着绝缘体层或非磁性层的具有不同矫顽力的一对铁磁层，其中自旋阀元件的面内轮廓基本上为圆形和多个切口（NS，NW，NE，NN ）设置在边缘部分。 优选地，至少一个切口的轮廓与其他截面不同。 还提供了采用这种自旋阀元件的存储装置。
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