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公开(公告)号：WO2004016837A1
公开(公告)日：2004-02-26
申请号：PCT/JP2002/010601
申请日：2002-10-11
IPC: C30B29/22
Abstract: A crystal production method for gallium oxide-iron mixed crystal (Ga2-xFexO3) allowing spin information buried in a solid to be read by using the magnetoelectric effect. The crystal production method for gallium oxide-iron mixed crystal is characterized in that a single crystal of Ga2-xFexO3 having a crystal structure of monoclinic system is produced by a floating zone melting method in which a floating zone is formed between tips of specimen rods of Ga2-xFexO3 vertically aligned by heating the tips in a gas atmosphere by means of heat sources arranged confocally. By this method, a high-quality, uniform, large Ga2-xFexO3 crystal is produced.
Abstract translation: 通过使用磁电效应来读取埋入固体的自旋信息的氧化镓 - 铁混晶（Ga2-xFexO3）的晶体制造方法。 氧化镓 - 铁混晶的晶体制造方法的特征在于，具有单斜晶系的晶体结构的单晶Ga2-xFexO3是通过浮区熔化法制造的，其中在样品棒的尖端之间形成浮动区 Ga2-xFexO3通过在气体气氛中通过共焦排列的热源加热尖端而垂直排列。 通过该方法，制造出高质量均匀的Ga 2-x F x O 3晶体。
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公开(公告)号：WO2003032054A1
公开(公告)日：2003-04-17
申请号：PCT/JP2002/002677
申请日：2002-03-20
IPC: G02F1/09
CPC classification number: G11C13/06 , G02F1/0036 , G11B11/10586
Abstract: A magnetooptic element which can detect magnetooptic effect even if a magnetooptic material has a lattice size of several Å, and a magnetooptic disc of several terabits/inch2 or above, a memory element and a magnetooptic image display comprising the magnetooptic element. The magnetooptic element utilizes a vast effective field based on spin chirality formed by geometric arrangement of spin arrangement and crystal structure. A compound of pyrocklore type oxide having chemical composition formula of A2B2O7 where, A is a rare earth element, B is a transition metal or a compound of pyrocklore type oxide having chemical composition formula of A1-xCx2B2O7 where, A is a rare earth element, C is an alkaline earth element, B is a transition metal, 0
Abstract translation: 即使磁光材料具有几何的晶格尺寸也可以检测磁光效应的磁光元件，以及几兆比特/英寸2或更高的磁光盘，包括磁光元件的存储元件和磁光图像显示器。 磁光元件利用基于通过旋转排列和晶体结构的几何排列形成的自旋手性的广泛有效的场。 具有化学组成式为A2B2O7的烧绿色氧化物的化合物，其中A是稀土元素，B是具有化学组成式为Al-xCx2B2O7的过渡金属或焦烧型氧化物的化合物，其中A是稀土元素， C是碱土金属元素，B是过渡金属，可以使用0
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公开(公告)号：WO2007135817A1
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：PCT/JP2007/058027
申请日：2007-04-12
Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 十倉 好紀 , 有馬 孝尚 , 金子 良夫
CPC classification number: H01L43/10 , G11B9/02 , G11C11/16 , G11C11/1675 , G11C11/22 , G11C11/2275 , H01L27/222
Abstract: 磁場もしくは電場により固体材料の電気分極もしくは磁化の方向を制御することができ、かつ構成が単純なマルチフェロイック素子を提供する。 強誘電性と、スピンの向きが円錐（円錐の頂点の開き角度αは０度＜α≦９０の範囲）の外側を沿うように回転しているスピン構造を有する強磁性を合わせ持つマルチフェロイック固体材料に、外部磁場の向き３１を印加することにより、前記外部磁場とほぼ直交した電気分極の向き３２を制御する。または、前記マルチフェロイック固体材料に外部電場の向き３２を印加することにより、前記外部電場とほぼ直交した磁化の向き３１を制御する。
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公开(公告)号：WO2007026509A1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：PCT/JP2006/315649
申请日：2006-08-08
CPC classification number: H01C7/1013 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , H01C7/115 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147
Abstract: ２つの金属電極の間に強相関材料からなる可変抵抗体を設けてなり、金属電極間に電圧パルスを印加することにより金属電極間の電気抵抗が変化する可変抵抗素子において、明確なスイッチング動作原理の裏付けによって、金属電極及び可変抵抗体を適切に設計して、電気抵抗の低抵抗状態と高抵抗状態間の抵抗比の大きなスイッチング動作を可能とする可変抵抗素子を提供する。電圧パルスの印加によって、２つの金属電極１，３の何れか一方の第１電極と可変抵抗体２の界面において金属絶縁体転移が生じるように第１電極と可変抵抗体の材料及び組成を設定する。更に、第１電極と可変抵抗体の仕事関数差が、可変抵抗体の第１電極との界面近傍において金属相と絶縁体相の２相共存相を形成し得る仕事関数差となっている。
Abstract translation: 可变电阻元件包括夹在两个金属电极之间的强相关材料的可变电阻器，并且金属电极之间的电阻随着在金属电极之间施加电压脉冲而变化。 通过根据确定的开关动作原理适当设计金属电极和可变电阻器，能够实现低电阻状态与高电阻状态之间的电阻比的切换操作。 第一电极和可变电阻器的材料和组成被设置为使得金属绝缘体转变发生在两个金属电极（1,3）和可变电阻器（2）中的任一个中的第一电极的界面上，通过施加电压 脉冲。 此外，可以通过第一电极和可变电阻器之间的功函数差，在可变电阻器和第一电极之间的界面附近形成金属相和绝缘体相的两个共存相。
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公开(公告)号：WO2006101152A1
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：PCT/JP2006/305776
申请日：2006-03-23
Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所 , 澤 彰仁 , 藤井 健志 , 川崎 雅司 , 十倉 好紀
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/56 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/147 , H01L45/1625
Abstract: 抵抗変化特性及びスイッチング特性を改善するとともに、抵抗変化特性を制御するため、浅い仕事関数又は小さな電気陰性度を有する金属とＲａ １－ｘ Ｍａ ｘ ＭｎＯ ３ との間に、前記Ｒａ １－ｘ Ｍａ ｘ ＭｎＯ ３ よりも絶縁性の高いＲｂ １－ｙ Ｍｂ ｙ ＭｎＯ ３ を介在させた不揮発性メモリ素子である。（式中、Ｒａ及びＲｂは希土類を表し、１種又は２種以上の希土類の固溶体である。Ｒｂの平均イオン半径は、Ｒａの平均イオン半径よりも小さいものとする。Ｍａ及びＭbはアルカリ土類金属を表し、１種又は２種以上のアルカリ土類金属の固溶体である。０＜ｘ，ｙ＜１）
Abstract translation: 表现出比Ra 1-x 更高的绝缘性能的非晶体存储元件，其中R a 1-y M b Y y O 3 O 3 > Mn x MnO 3 3夹在R 1 1-x M x MnO 3 3之间， SUB>和具有浅功函数或较低电负性的金属，以便改善电阻变化特性和开关特性并控制电阻变化特性。 （式中，Ra和Rb表示稀土类元素，是1种以上的稀土元素的固溶体，Rb的平均离子半径小于Ra，Ma，Mb表示碱土金属， 是一种或多种一种碱土金属的固溶体，0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2005086250A1
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：PCT/JP2005/003099
申请日：2005-02-25
Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所 , 独立行政法人科学技術振興機構 , 十倉 好紀 , 川崎 雅司 , 赤穗 博司 , 山田 浩之 , 石井 祐司 , 佐藤 弘 , 金子 良夫
IPC: H01L43/08
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , G11C11/16 , H01F1/407 , H01F10/3254 , H01F41/205 , H01L43/10 , Y10T428/1114
Abstract: スピン保持力を制御できるトンネルジャンクション素子を提供する。 トンネルジャンクション素子において、ＬａＡｌＯ 3-δ （電気的絶縁層）１３を強磁性（フェリ磁性を含む）金属材料としてＬａ 0.6 Ｓｒ 0.4 ＭｎＯ 3-δ 電極１２とＬａ 0.6 Ｓｒ 0.4 Ｍｎ 1-y Ｒｕ y Ｏ 3-δ 電極１４で挟むように構成した。
Abstract translation: 公开了能够控制自旋保留的隧道结装置。 具体公开的是具有如下结构的隧道结装置，其中作为铁磁性（包括铁磁性）金属材料的LaAlO 3-δ（电绝缘层）（13）夹在La0.6Sr0.4MnO3-δ电极（12）和La0 .6Sr0.4Mn1-yRuyO3-δ电极（14）。
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公开(公告)号：WO2003028116A1
公开(公告)日：2003-04-03
申请号：PCT/JP2002/009353
申请日：2002-09-12
Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所 , 岩井 伸一郎 , 岡本 博 , 十倉 好紀 , 金子 良夫
IPC: H01L31/08
CPC classification number: H01L49/003 , G01J11/00 , H01L31/08
Abstract: A ultra high−speed photoelectric signal conversion element comprising a thin film (3) forming a light detection unit (5) provided on a substrate (4) and a pair electrodes (2) provided thereon across the light detection unit. The thin film constituting the light detection unit is formed of a solid phase transition material, and the pair of electrodes are formed of a superconducting material. The photoelectric signal conversion element can handle the light signal of pico second order and follow the ON−OFF signal of tera Hertz.
Abstract translation: 一种超高速光电信号转换元件，包括形成设置在基板（4）上的光检测单元（5）的薄膜（3）和设置在该光检测单元上的对电极（2）。 构成光检测单元的薄膜由固体相变材料形成，并且该一对电极由超导材料形成。 光电信号转换元件可以处理微微二次光信号，并遵循tera赫兹的ON-OFF信号。
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公开(公告)号：WO2006129453A1
公开(公告)日：2006-12-07
申请号：PCT/JP2006/309304
申请日：2006-05-09
Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 十倉 好紀 , 嶋田 義皓 , 金子 良夫
CPC classification number: G02F1/093 , G02B6/2746 , G02F1/0955 , G02F2201/02 , H01S3/06712 , H01S3/06716 , H01S3/06754 , H01S3/102 , H01S3/1608 , H01S3/1675 , H01S5/0064 , H01S2301/02
Abstract: 光アイソレータ素子を省略できる機能を搭載した希土類元素添加光ファイバー素子及びそれを用いた光の非相反性付与方法を提供する。 光ファイバー母体材料が強誘電体固体材料であり、該強誘電体固体材料にエルビウム（Ｅｒ）元素やツリウム（Ｔｍ）元素などの希土類元素を添加した光ファイバーであって、光の増幅機能を持たせるとともに、光の非相反性機能を有することを特徴とする。
Abstract translation: 本发明提供了具有能够省略光隔离元件的功能的稀土元素添加光纤元件，以及用于赋予光的非互易性的方法。 在光纤中，光纤基体材料是铁电固体材料，铁电固体材料含有稀土元素如铒（Er）或ium（Tm）。 该光纤的特征在于具有光放大功能并且具有轻的非互易功能。
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公开(公告)号：WO2004019051A1
公开(公告)日：2004-03-04
申请号：PCT/JP2003/001543
申请日：2003-02-14
IPC: G01R33/02
CPC classification number: G11C13/06 , G01R33/0325 , G01R33/095 , G11B5/1278 , G11B11/10547
Abstract: 記録された磁化のサイズが微小サイズであっても磁気記録が再生可能であり、入射光そのものを光磁気ディスクに照射せずに光磁気ディスクに記録された磁化を直接読み取ることができ、かつS/N比の高い信号を得ることができる磁気センサーを提供する。垂直記録媒体(101)に配置される電気分極を有する磁気センサー素子(102)と、この磁気センサー素子(102)に作用するレーザー光発生手段とを備え、前記磁気センサー素子(102)への前記レーザー光発生手段からの振動数ωのレーザー光(104)の入射により、前記磁気センサー素子(102)から出射する振動数2ωの第2高調波(105)の偏光面の回転角度φの変化により垂直記録媒体(101)の情報を読み出す。
Abstract translation: 即使磁记录被磁化，微磁盘也能够再现磁记录的磁传感器，可以直接读出磁光盘上的磁化记录，而不用入射光本身照射磁光盘，高信号S / N比。 磁传感器包括具有布置在垂直记录介质（101）上的电极化的磁传感器元件（102）和作用在磁传感器元件（102）上的激光束产生装置。 具有来自激光产生装置的频率ω的激光束（104）照射在磁传感器元件（102）上，并且基于平面的旋转角度phi的变化从垂直记录介质（101）读出信息 具有离开磁传感器元件（102）的频率2omega的二次谐波（105）的偏振。
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公开(公告)号：WO2006101151A1
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：PCT/JP2006/305775
申请日：2006-03-23
Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所 , 澤 彰仁 , 藤井 健志 , 川崎 雅司 , 十倉 好紀
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/147 , H01L45/1625
Abstract: ＣＥＲ効果を有するペロブスカイト型遷移金属酸化物からなる不揮発性メモリ素子を３元素で構成することができる材料組成を提供することを課題とし、不揮発性メモリ素子において、電極としてＴｉ等の浅い仕事関数又は小さな電気陰性度を有する導電体とヘテロ接合を構成する材料として、Ｌａ ２ ＣｕＯ ４ のような希土類の１種と銅と酸素からなる希土類－銅の酸化物とすることによって解決される。
Abstract translation: 提供一种材料组合物，其允许通过使用三种化学元素制备包含具有CER效应的钙钛矿型过渡金属氧化物的非挥发性记忆元件。 一种非易失性存储元件，其包括具有浅功函数或小电负性的电导体，例如Ti，作为电极，以及包含稀土元素，铜和氧的稀土 - 铜氧化物，例如La 2 CuO 4，作为构成与导电体的异质结的材料。
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