磁気ランダムアクセスメモリ
    1.
    发明申请
    磁気ランダムアクセスメモリ 审中-公开
    磁性随机存取存储器

    公开(公告)号:WO2006129576A1

    公开(公告)日:2006-12-07

    申请号:PCT/JP2006/310588

    申请日:2006-05-26

    Abstract:  磁気抵抗効果素子は、磁化固定層と、磁化自由層と、磁化固定層と磁化自由との間に設けられたバリア層(14)とを具備する。磁化自由層は、非磁性膜(23)を介して互いに反強磁性的に結合した複数の強磁性膜(21)を備える。複数の強磁性膜(21)の少なくとも一つは、一般式:F1-XMXで示される材料を主成分とした第1磁性膜(21a)を含む。Fは、Ni、Fe、及びCoからなる群から選択される少なくとも1種類の元素である。Mは、Ti、Zr、Nb、Hf、Ta、Mo、及びWからなる群から選択される少なくとも1種類の元素である。Xは、0.05以上、0.23以下である。

    Abstract translation: 磁阻元件包括磁化固定层,无磁化层和布置在磁化固定层和无磁化层之间的阻挡层(14)。 无磁化层包括通过非磁性膜(23)反铁磁耦合的多个铁磁膜(21)。 至少一个铁磁膜(21)包含主要由以下通式表示的材料构成的第一磁性膜(21a):F1-XMX。 在该式中,F表示选自Ni,Fe和Co中的至少一种元素; M表示选自Ti Zr,Nb,Hf,Ta,Mo和W中的至少一种元素; X不小于0.05且不大于0.23。

    磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気ランダムアクセスメモリ
    2.
    发明申请
    磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気ランダムアクセスメモリ 审中-公开
    磁电装置,制造磁电装置的方法和磁性随机存取存储器

    公开(公告)号:WO2006006630A1

    公开(公告)日:2006-01-19

    申请号:PCT/JP2005/012955

    申请日:2005-07-13

    Abstract:  磁気抵抗効果素子の製造方法は、反強磁性層を基板の上面側に形成することと、基板の上面側の反強磁性層の上に第1固定強磁性層を形成することと、第1固定強磁性層を5×10 -7 Pa以上1×10 -4 Pa以下の圧力で酸素原子を含む気体に暴露を行うことと、第1固定強磁性層の上に第2固定強磁性層を形成することと、第2固定強磁性層の上にトンネルバリア層を形成することと、トンネルバリア層の上に自由強磁性層を形成することとにより達成される。ただし、酸素原子を含む気体は、5×10 -7 Pa以上1×10 -4 Pa以下の圧力(又は分圧)の酸素ガスに例示される。上記の磁気抵抗効果素子の製造方法において、第2固定強磁性層の膜厚は、0より大きく1nm以下であるように形成される。

    Abstract translation: 一种用于制造磁阻器件的方法包括在衬底的上表面上形成反铁磁性层的步骤,用于在衬底的上表面上的反铁磁性层上形成第一固定铁磁层的步骤, 在不低于5×10 -7 Pa且不大于1×10 -4 Pa的压力下将固定的铁磁层固定在含有氧原子的气体中,步骤为 在第一固定铁磁层上形成第二固定铁磁层,在第二固定铁磁层上形成隧道势垒层的步骤,以及在隧道势垒层上形成自由铁磁层的步骤。 在这方面,压力(分压)不低于5×10 -7 Pa且不大于1×10 -4 Pa的氧气示例为 含氧原子的气体。 在这种制造磁阻器件的方法中,第二固定铁磁层形成为具有大于0且不大于1nm的厚度。

    磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法
    4.
    发明申请
    磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 审中-公开
    磁性随机存取存储器及其制造方法

    公开(公告)号:WO2008068967A1

    公开(公告)日:2008-06-12

    申请号:PCT/JP2007/070553

    申请日:2007-10-22

    CPC classification number: H01L43/12 G11C11/161 G11C11/1675 H01L43/08

    Abstract:  本発明に係るMRAMは、ピン層60と、トンネルバリヤ層50を介してピン層60に接続された磁気記録層40とを備える。磁気記録層40は、第1フリー層10と、トンネルバリヤ層50に接触する第2フリー層30と、第1フリー層10と第2フリー層30との間に設けられた中間層20とを有する。第1フリー層10は、磁化反転領域13と、第1磁化固定領域11と、第2磁化固定領域12とを含む。磁化反転領域13は、反転可能な磁化を有し、第2フリー層30とオーバーラップする。第1磁化固定領域11は、磁化反転領域13の第1境界B1に接続され、その磁化の向きは第1方向に固定される。一方、第2磁化固定領域12は、磁化反転領域13の第2境界B2に接続され、その磁化の向きは第2方向に固定される。第1方向及び第2方向は共に、磁化反転領域13へ向かう方向、又は、磁化反転領域13から離れる方向である。中間層20は、少なくとも磁化反転領域13を覆うように形成される。その磁化反転領域13と第2フリー層30は、中間層20を介して磁気的に結合している。

    Abstract translation: 提供了一种MRAM,其包括通过隧道势垒层(50)与引脚层(60)连接的引脚层(60)和磁记录层(40)。 磁记录层(40)包括第一自由层(10),用于接触隧道势垒层(50)的第二自由层(30)和介于第一自由层(10)和 第二自由层(30)。 第一自由层(10)包括磁化反转区域(13),第一磁化固定区域(11)和第二磁化固定区域(12)。 磁化反转区域(13)具有可逆磁化并与第二自由层(30)重叠。 第一磁化固定区域(11)与磁化反转区域(13)的第一边界(B1)连接,并且其磁化方向固定在第一方向上。 另一方面,第二磁化固定区域(12)与磁化反转区域(13)的次边界(B2)连接,并且其磁化方向固定在第二方向。 第一方向和第二方向都朝向磁化反转区域(13)或远离磁化反转区域(13)。 中间层(20)形成为至少覆盖磁化反转区域(13)。 该磁化反转区域(13)和第二自由层(30)通过中间层(20)磁耦合。

    薄膜電磁石およびこれを用いたスイッチング素子
    6.
    发明申请
    薄膜電磁石およびこれを用いたスイッチング素子 审中-公开
    薄膜电磁铁和包括它的开关装置

    公开(公告)号:WO2003017294A1

    公开(公告)日:2003-02-27

    申请号:PCT/JP2002/008292

    申请日:2002-08-15

    CPC classification number: H01H50/005 H01F7/08 H01F2007/068

    Abstract: A thin film electromagnet having a magnetic yoke and a thin film coil is characterized in that the magnetic yoke has a first magnetic yoke section and a second magnetic yoke section in contact with the first magnetic yoke section. The first magnetic yoke section is characterized by being located at the center of winding constituting the thin film coil, and the second magnetic yoke sections by being disposed above or below the thin film coil by facing the thin film coil and coats at least a part of the thin film coil.

    Abstract translation: 具有磁轭和薄膜线圈的薄膜电磁铁的特征在于,磁轭具有与第一磁轭部接触的第一磁轭部和第二磁轭部。 第一磁轭部分的特征在于位于构成薄膜线圈的绕组的中心,并且第二磁轭部分通过面对薄膜线圈设置在薄膜线圈的上方或下方,并且涂覆至少部分 薄膜线圈。

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