公开(公告)号：WO2012093587A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：PCT/JP2011/079622

申请日：2011-12-21

Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  高橋 有紀子 ,  アナアタクリシュナン スリニバサン ,  ボラプラガタ バラプラサド ,  アマナボルル ラジニカンス ,  シンハ ジェイヴァーダン ,  林 将光 ,  古林 孝夫 ,  葛西 伸哉 ,  平山 重之 ,  三谷 誠司 ,  宝野 和博

Inventor： 高橋　有紀子 ,  アナアタクリシュナン　スリニバサン ,  ボラプラガタ　バラプラサド ,  アマナボルル　ラジニカンス ,  シンハ　ジェイヴァーダン ,  林　将光 ,  古林　孝夫 ,  葛西　伸哉 ,  平山　重之 ,  三谷　誠司 ,  宝野　和博

IPC: C22C19/07 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01F10/16 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  C22C19/07 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G01R33/1284 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3906 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/325 ,  H01F10/329 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1129 ,  Y10T428/12611

Abstract: Ｃｏ ２ Ｆｅ（Ｇａ Ｘ Ｇｅ Ｘ－１ ）であり且つ０．２５＜Ｘ＜０．６０を満足する、ＰＣＡＲ法により測定したスピン偏極率が０．６５以上でキュリー点が１２８８Ｋに達するホイスラー合金であり、当該ホイスラー合金を電極としたＣＰＰ－ＧＭＲ素子は世界最高のＭＲ比を、ＳＴＯ素子では高い出力を、ＮＬＳＶ素子では高いスピン信号を示す。

Abstract translation: 提供Co2Fe（GaxGex-1）的Heusler合金，其满足0.25

公开(公告)号：WO2010110029A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：PCT/JP2010/053611

申请日：2010-03-05

Applicant: 株式会社 東芝 ,  国立大学法人東北大学 ,  西山 勝哉 ,  ファン ウ ,  水上 成美 ,  宮崎 照宣 ,  與田 博明 ,  甲斐 正 ,  岸 達也 ,  渡邉 大輔 ,  大兼 幹彦 ,  安藤 康夫 ,  吉川 将寿 ,  永瀬 俊彦 ,  北川 英二 ,  大坊 忠臣 ,  長嶺 真

Inventor： 西山　勝哉 ,  ファン　ウ ,  水上　成美 ,  宮崎　照宣 ,  與田　博明 ,  甲斐　正 ,  岸　達也 ,  渡邉　大輔 ,  大兼　幹彦 ,  安藤　康夫 ,  吉川　将寿 ,  永瀬　俊彦 ,  北川　英二 ,  大坊　忠臣 ,  長嶺　真

IPC: H01L43/08 ,  H01F10/12 ,  H01F10/28 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/09 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01F10/123 ,  H01F10/1933 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/28 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1143

Abstract: ［課題］熱的に安定であると同時に低電流の磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式用の磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気メモリを提供する。 ［解決手段］下地層１２と、下地層上に設けられ膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が可変の第１の磁性層１３と、第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性層１５と、第１の非磁性層上に設けられ膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が固定された第２の磁性層１７と、を備え、第１の磁性層は、ＤＯ ２２ 構造またはＬ１ ０ 構造を有しｃ軸が膜面に垂直方向を向くフェリ磁性体層を含み、第１の磁性層と第１の非磁性層と第２の磁性層とを貫く電流によって、第１の磁性層の磁化方向が可変となる。

Abstract translation: 提供了一种热稳定的自旋注入写入型磁阻元件，同时能够使低电流下的磁化反转，并且还提供使用该磁阻元件的磁存储器。 磁阻元件包括：基底层（12）; 设置在所述基底层上的第一磁性层（13），在与所述膜表面垂直的方向上具有容易的磁化轴，并且在磁化方向上是可变的; 设置在第一磁性层上的第一非磁性层（15）; 以及设置在第一非磁性层上的第二磁性层（17），其在与膜表面垂直的方向上具有容易的磁化轴，并且在磁化方向上固定。 第一磁性层具有DO22结构或L10结构，并且包括其c轴朝向与膜表面垂直的方向取向的铁氧体层。 第一磁性层的磁化方向根据流过第一磁性层，第一非磁性层和第二磁性层的电流而变化。

公开(公告)号：WO2004107405A3

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：PCT/US2004016156

申请日：2004-05-24

Applicant: UNIV UTAH ,  SHI JING ,  VARDENY VALY

Inventor： SHI JING ,  VARDENY VALY

IPC: G11B5/29 ,  G11B5/31 ,  H01F10/00 ,  H01F10/32 ,  H01L35/24 ,  G11B5/39 ,  H01J1/62 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/091 ,  G11B5/29 ,  G11B5/31 ,  G11B5/3906 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/16 ,  H01F10/005 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3213 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3281 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1107

Abstract: The spacer in a spin-valve is replaced with an organic layer, allowing for numerous applications, including light-emitting structures. The invention demonstrates that the spin coherence of the organic material is sufficiently long that the carriers do not lose their spin memory even in traversing a thicker passive barrier. At least three methods to fabricate the organic spin-valve devices are disclosed, in which the difficulties associated with depositing the ferromagnetic (FM) and organic layers are addressed.

Abstract translation: 自旋阀中的间隔物被有机层代替，允许许多应用，包括发光结构。 本发明表明，有机材料的自旋相干性足够长，即使穿过较厚的被动屏障，载体也不会失去其自旋记忆。 公开了制造有机自旋阀装置的至少三种方法，其中解决了与沉积铁磁（FM）和有机层有关的困难。

公开(公告)号：WO2004059745A1

公开(公告)日：2004-07-15

申请号：PCT/JP2003/016519

申请日：2003-12-24

Applicant: 松下電器産業株式会社 ,  小田川 明弘 ,  松川 望 ,  杉田 康成

Inventor： 小田川 明弘 ,  松川 望 ,  杉田 康成

IPC: H01L29/82

CPC classification number: H01F10/1936 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/15 ,  H01F1/405 ,  H01L27/228 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

Abstract: 従来とは全く異なる構成を有し、磁性体の磁化状態を変化させるためのエネルギー変換効率を向上できる磁性スイッチ素子と、それを用いた磁気メモリを提供する。磁性層と、前記磁性層と磁気的に結合した転移層と、金属および半導体から選ばれる少なくとも１つを含むキャリア供給体とを含み、前記転移層と前記キャリア供給体とは、前記転移層と前記キャリア供給体との間に電圧が印加可能な状態で配置されており、前記転移層は、前記電圧の印加によって非強磁性−強磁性転移を起こす層であり、前記転移層の前記転移によって前記磁性層の磁化状態が変化する磁性スイッチ素子とする。

Abstract translation: 公开了一种具有完全不同于现有技术的结构的磁性开关器件和用于改变磁体的磁化状态的改进的能量转换效率和使用这种磁性开关器件的磁性存储器。 磁性开关装置包括磁性层，与磁性层磁耦合的过渡层，以及载体供给器，其包含从金属和半导体中选择的至少一种材料。 过渡层和载体供应器被布置为可以在它们之间施加电压。 通过施加电压而在过渡层中发生非铁磁性和铁磁性之间的转变，从而改变磁性层的磁化状态。

公开(公告)号：WO2004010442A1

公开(公告)日：2004-01-29

申请号：PCT/ES2003/000328

申请日：2003-07-02

Applicant: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTÍFICAS ,  GARCÍA GARCÍA, Nicolas

Inventor： GARCÍA GARCÍA, Nicolas

IPC: H01F10/32

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F1/0036 ,  H01F10/1936 ,  H01F41/309 ,  H01L43/08

Abstract: El objeto de la presente invención es un material sólido, en adelante material de la invención, caracterizado porque los electrones de la banda de conducción están cuasicompletamente polarizados en el orbital seleccionado y su procedimiento de obtención. Esta invención permite construir conductores, nanocontactos y contactos a medida con una selección estricta de las propiedades de resistencia del material así constituido. Además, se describe el uso del material sólido de la invención sólido de la invención en la elaboración, fabricación y producción de dispositivos, entre otros, de tipo conductores, uniones, nanocontactos o contactos para su aplicación en el campo de la electrónica y nanoelectrónica.

Abstract translation: 本发明涉及一种固体材料，其特征在于导带的电子在所选择的轨道中几乎完全极化。 本发明还涉及获得所述材料的方法。 本发明可以用于生产定制的导体，纳米接触和接触，并对所形成的材料进行严格的电阻性质选择。 本发明还涉及本发明的固体材料在开发，制造和生产包括导体，连接器，纳米接触或接触件在电子和纳米电子学领域中的应用的用途。

公开(公告)号：WO01078070A1

公开(公告)日：2001-10-18

申请号：PCT/IB2001/000598

申请日：2001-04-11

IPC: G11B5/65 ,  G11B5/64 ,  G11B5/84 ,  G11B5/851 ,  G11B5/855 ,  H01F1/00 ,  H01F10/16 ,  H01F10/193 ,  H01F41/14 ,  H01F41/18 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  G11B5/66

CPC classification number: H01F41/14 ,  G11B5/64 ,  G11B5/855 ,  H01F10/1936 ,  H01F41/18 ,  Y10T428/12438 ,  Y10T428/12597 ,  Y10T428/265

Abstract: The present invention relates to a magnetic film having a magnetic easy axis in a pre-formed area, and a method of forming the magnetic film. Especially, the present invention relates to a method of forming a multiple magnetic easy-axis in a pre-formed magnetic film and a magnetic film having multiple easy-axis by the same method of forming the multiple easy axis. It is an object of the present invention to overcome the drawbacks of the conventional magnetic film and to achieve ultrahigh density of the unit recording cells using the magnetic film. It is another object of the present invention to suggest a method of forming a magnetic film and a magnetic film device in which the exchange interaction and the magneto-static interaction between the neighboring areas are eliminated in order to accomplish ultrahigh density for storing data. The present invention presents first, a magnetic film (or area) having a magnetic easy axis and a method of forming a magnetic easy axis on the magnetic film. The magnetic moments of the magnetic area having an easy axis are automatically aligned to the axis without an external magnetic field. This means that the magnetic moments of the magnetic area having an easy axis are strictly limited to the state in which the easy axis is same in magnitude but opposite in directions. Second, this invention presents a magnetic thin film having two neighboring areas with different direction of easy axis in each area so that the exchange interaction between the two neighboring areas is greatly reduced or eliminated.

Abstract translation: 本发明涉及在预成型区域中具有易磁化轴的磁性膜以及形成该磁性膜的方法。 特别地，本发明涉及通过与形成多个容易轴相同的方法，在预成型磁性膜中形成多个磁性容易轴的方法和具有多个易于轴的磁性膜。 本发明的一个目的是克服常规磁性膜的缺陷，并且使用该磁性膜实现单位记录单元的超高密度。 本发明的另一个目的是提出一种形成磁膜和磁膜装置的方法，其中消除了相邻区域之间的交换相互作用和磁静电相互作用，以便实现用于存储数据的超高密度。 本发明首先提出具有易磁化轴的磁性膜（或区域）以及在磁性膜上形成易磁化轴的方法。 具有容易轴的磁性区域的磁矩自动地对准轴而没有外部磁场。 这意味着具有容易轴的磁性区域的磁矩被严格地限制在容易轴的大小相同但方向相反的状态。 第二，本发明提出了一种具有两个相邻区域的磁性薄膜，每个区域具有不同的易轴方向，从而大大减少或消除了两个相邻区域之间的交换相互作用。

公开(公告)号：WO2018125107A1

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：PCT/US2016/069031

申请日：2016-12-28

Applicant: INTEL CORPORATION

Inventor： MANIPATRUNI, Sasikanth ,  MORROW, Patrick ,  NIKONOV, Dmitri E. ,  LIN, Chia-Ching ,  AVCI, Uygar E. ,  YOUNG, Ian A.

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/10

CPC classification number: G11C11/1675 ,  G11C11/15 ,  G11C11/5607 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/35 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3272 ,  H03K19/18

Abstract: Described is an apparatus which comprises: a heat spreading layer; a first transition metal layer adjacent to the heat spreading layer; and a magnetic recording layer adjacent to the first transition metal layer, wherein the magnetic recording layer comprises a 4-state magnet or a 6-state magnet. Described is a system which comprises: a processor; a memory coupled to the processor, the memory including an apparatus according to the apparatus described above; and a wireless interface for allowing the processor to communicate with another device.

公开(公告)号：WO2016158910A1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：PCT/JP2016/060034

申请日：2016-03-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐々木　智生 ,  中田　勝之 ,  柴田　竜雄

IPC: H01L43/10 ,  G11B5/39 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11B5/3909 ,  G11B5/39 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/161 ,  H01F1/405 ,  H01F10/1936 ,  H01L27/105 ,  H01L27/228 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 　この磁気抵抗効果素子では、第一の強磁性金属層と、第二の強磁性金属層と、前記第一及び第二の強磁性金属層に挟持されたトンネルバリア層と、を有し、前記トンネルバリア層は、ＡＧａ ２ Ｏ ｘ （０＜ｘ≦４）という組成式で表されるスピネル構造であり、Ａサイトは非磁性の二価の陽イオンであり、マグネシウム、亜鉛及びカドミウムからなる群から選択された１種以上である。

Abstract translation: 该磁阻效应元件具有第一铁磁金属层，第二铁磁金属层和夹在第一和第二铁磁金属层之间的隧道阻挡层，其中：隧道势垒层具有由组成式AGa2Ox（0）表示的尖晶石结构

公开(公告)号：WO2013040859A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：PCT/CN2012/001283

申请日：2012-09-19

Applicant: 中国科学院物理研究所

Inventor： 韩秀峰 ,  刘厚方 ,  瑞之万 ,  李大来 ,  郭鹏 ,  于国强 ,  刘东屏 ,  陈怡然

IPC: H01L45/00 ,  H01L43/08 ,  H01L27/24 ,  G11C11/15 ,  G11C11/40 ,  H01L27/092 ,  G11C11/4096 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/22 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/55 ,  H01F10/193 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/3272 ,  H01L27/22 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 一种电场调控型纳米多层膜、电场调制型场效应管、开关型电场传感器及电场驱动型随机存储器，以用来获得室温下电场调制多层薄膜中的电致电阻效应。该纳米多层膜由下至上依次包括底层(102)、基片(101)、底层(103)、功能层(104)、缓冲层(105)、绝缘层(106)、中间导电层(107)、覆盖层(108)，中间导电层(107)为磁性金属、磁性合金或者磁性金属复合层时，缓冲层(105)和绝缘层(106)可以根据实际需要选择性的添加。当中间导电层(107)为非磁性金属层或反铁磁性金属层时，缓冲层(105)和绝缘层(106)必须添加，以便获得较高的信噪比。通过变化的电场对铁电或多铁性材料的电极化特性进行调制，从而达到影响和改变金属层的电导的作用，调控器件电阻的变化，获得不同的电场下对应不同的电阻态，实现电致电阻效应。

公开(公告)号：WO2011120495A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：PCT/DE2011/000294

申请日：2011-03-16

Applicant: TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN ,  ENG, Lucas, M. ,  HAUSSMANN, Alexander ,  SCHROEDER, Mathias

Inventor： ENG, Lucas, M. ,  HAUSSMANN, Alexander ,  SCHROEDER, Mathias

IPC: H01F1/34 ,  H01F1/40 ,  H01F10/193 ,  H01F10/20 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/22 ,  C30B33/04 ,  G11C11/14 ,  H01L21/316 ,  C30B29/64 ,  G02F1/00 ,  G02F1/05 ,  G02F1/355 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01F1/344 ,  G02F1/3558 ,  G11C11/14 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/22 ,  G11C11/2275 ,  G11C13/06 ,  H01F1/407 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/20 ,  H01L41/1132

Abstract: Die Erfindung betrifft ein domänenstrukturiertes ferroisches Element, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erzeugung und zur Steuerung der elektrischen Leitfähigkeit der Domänenwände bei Raumtemperatur in diesen Elementen sowie Anwendungen des Elementes. Die Aufgabe besteht darin, ein domänenstrukturiertes Element, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erzeugung und zur Steuerung einer elektrischen Leitfähigkeit der Domänenwände bei Raumtemperatur in den Elementen sowie Anwendungen des Elementes anzugeben, die derart geeignet ausgebildet sind, dass Domänenstrukturen in nanoskaligen Längenbereichen mit einer gesteuerten Strukturgeometrie und mit Schaffung neuer Funktionalitäten für verschiedene zum Teil gänzlich neue Anwendungen, basierend auf der Domänenwandleitfähigkeit, Aufwand verringernd geschaffen werden. Die Lösung besteht darin, dass die Domänen (6, 7) und eine zwischenliegende, zumindest nanoskalige Domänenwand (2) einem isolierenden ferroelektrischen/ferroischen Einkristall (40) zugeordnet sind, wobei die zwischenliegende Domänenwand (2) unter speziellen Einflüssen (mechanischen Zug- und Druckspannungen, elektrische, magnetische oder optische Felder, Dotierung, etc.) eine messbar höhere elektrische Leitfähigkeit als die umgebenden Domänen (6, 7) aufweist, wobei die elektrische Leitfähigkeit der Domänenwand (2) zumindest mit einer Strommesseinrichtung (47), die über Domänenwandstirnseiten (45, 46) der sich gegenüberliegenden Seitenflächen (43, 44) des Einkristalls (40) mit angebrachten Elektroden (11, 12) in Kontakt mit der Domänenwand (2) ist, messbar ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种结构化域ferroisches元件，用于产生和控制磁畴壁中的这些元素室温以及在元件的应用的导电性的方法和装置。 的目的是提供一个结构域结构的元件的方法和用于产生和控制所述畴壁在元件室温下的电导率以及元件，其被构造成适于使得具有几何结构在纳米尺度长度部分控制区域结构的应用程序的装置 和部分地基于畴壁传导努力创造减少创建各种新的功能，全新的应用。 该解决方案是，结构域（6,7）和一个中间，至少纳米域的绝缘铁电体/铁性单晶（40）的壁（2）相关联，其中，所述间插结构域壁（2）（在特定影响机械拉伸和 压缩应力，电，磁或光场，掺杂等）可测定的更高的电导率比周围结构域（6,7），其中所述畴壁的电导率（2）与至少一个电流测量装置（47），该畴壁的端面 在与磁畴壁（2）接触的单晶（40）具有连接电极（11，12）的相对的侧表面（43，44）的（45，46），是可测量的。