含フッ素化合物、含フッ素ポリマー、レジスト組成物、およびレジスト保護膜組成物
    1.
    发明申请
    含フッ素化合物、含フッ素ポリマー、レジスト組成物、およびレジスト保護膜組成物 审中-公开
    含氟化合物,含氟聚合物,耐腐蚀组合物和耐腐蚀保护膜组合物

    公开(公告)号:WO2006011427A1

    公开(公告)日:2006-02-02

    申请号:PCT/JP2005/013507

    申请日:2005-07-22

    Abstract:  官能基を有し、幅広い波長領域で高い透明性を有する含フッ素ポリマーならびに該含フッ素ポリマーからなるレジスト用組成物およびレジスト保護膜組成物の提供。  下記式(1)で表される含フッ素ジエンを環化重合してなるモノマー単位を有する含フッ素ポリマー。  CF 2 =CFCF 2 C(CF 3 )(OR 1 )-(CH 2 ) n CR 2 =CHR 3  ・・・(1) (ただし、式(1)中、R 1 は、水素原子、炭素数20以下のアルキル基、または(CH 2 ) a COOR 4 (aは0または1であり、R 4 は水素原子または炭素数20以下のアルキル基)を表す。R 2 およびR 3 は、それぞれ独立に水素原子または炭素数12以下のアルキル基を表す。nは0または2を表す。但し、n=0の場合、R 1 、R 2 およびR 3 のうち少なくとも1つは水素原子以外である。)

    Abstract translation: 公开了具有官能团并且在宽波长范围内高度透明的含氟聚合物。 还公开了由这种含氟聚合物和抗蚀剂保护膜组合物组成的抗蚀剂组合物。 具体公开了具有通过含氟二烯的成环聚合获得的由下式(1)表示的单体单元的含氟聚合物:CF 2 2 = CFCF 2 < / SUB> C(CF 3 )(OR 1 ) - (CH 2 名词 CR 2 = CHR 3 。 [式(1)中,R 1表示氢原子,碳原子数为20以下的烷基或(CH 2)2) COOR 4(其中a为0或1,R 4表示氢原子或碳原子数为20以下的烷基),R 2, R 0和R 3独立地表示氢原子或碳原子数为12以下的烷基,n表示0或2.当n为0时,R 1 R 2,R 3和R 3不同于氢原子。]

    含フッ素共重合体とその製造方法およびそれを含むレジスト組成物
    2.
    发明申请
    含フッ素共重合体とその製造方法およびそれを含むレジスト組成物 审中-公开
    荧光聚合物,其制造方法和含有它们的抗蚀剂组合物

    公开(公告)号:WO2006132287A1

    公开(公告)日:2006-12-14

    申请号:PCT/JP2006/311451

    申请日:2006-06-07

    CPC classification number: G03F7/0046 C08F214/186 C08F236/20 G03F7/0397

    Abstract:  官能基濃度が高く、幅広い波長領域で高い透明性を有する含フッ素ポリマーおよびその製造方法、ならびに該含フッ素ポリマーを用いたレジスト組成物の提供。  下記式(1)で表される含フッ素ジエンが環化重合してなるモノマー単位に由来する単位と、特定の構造を有するアクリル系単量体が重合してなるモノマー単位に由来する単位と、を有する含フッ素共重合体。 CF 2 =CFCH 2 CH(C(CF 3 ) 2 (OR 3 ))(CH 2 ) n CR 1 =CHR 2  (1) ただし、式(1)中R 1 およびR 2 は、それぞれ独立に水素原子または炭素数12以下のアルキル基を表す。R 3 は水素原子、炭素数20以下のアルキル基、炭素数15以下のアルコキシカルボニル基またはCH 2 R 4 (R 4 は炭素数15以下のアルコキシカルボニル基)であり、R 3 を構成するアルキル基、アルコキシカルボニル基およびR 4 は、その水素原子の一部または全てがフッ素原子で置換されていてもよく、エーテル性酸素原子を有してもよい。nは0から2の整数を表す。

    Abstract translation: 具有高官能团浓度并且在宽波长区域具有高透明度的含氟聚合物。 含氟共聚物具有由下式(1)表示的氟化二烯和由具有特定结构的丙烯酸单体的聚合得到的单体单元的环化聚合得到的单体单元。 CF 2 = CFCH 2 CH(C(CF 3 2 (OR 3

    電子線、X線またはEUV光を用いたリソグラフィー法に用いられるレジスト組成物
    3.
    发明申请
    電子線、X線またはEUV光を用いたリソグラフィー法に用いられるレジスト組成物 审中-公开
    使用电子束,X射线或EUV光的光刻工艺使用的耐蚀组合物。

    公开(公告)号:WO2009011364A1

    公开(公告)日:2009-01-22

    申请号:PCT/JP2008/062847

    申请日:2008-07-16

    CPC classification number: G03F7/0392 G03F7/0046

    Abstract:  電子線、X線またはEUV光を用いたリソグラフィー法に用いられるレジスト組成物を提供する。  主鎖に結合したフッ素原子または含フッ素アルキル基を有し、側鎖に芳香族環構造を有する繰り返し単位(F)を含む酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する含フッ素重合体(PF)と、酸発生剤とを含む、電子線、X線またはEUV光を用いたリソグラフィー法に用いられるレジスト組成物。たとえば、前記繰り返し単位(F)は、下記繰り返し単位(F V 1)、(F V 2)、(F V 3)および(F V 4)からなる群から選ばれる少なくとも1種の繰り返し単位(F V n)である(X F1 は-Fまたは-CF 3 を、r1およびr2はそれぞれ独立に0~2の整数(r1とr2の和は1~3の整数である。)を、Y F はアルキル基、アルコキシアルキル基、アルキルカルボニル基およびアルコキシカルボニルアルキル基からなる群から選ばれる、フッ素原子を有していてもよい炭素数1~20の基、W F はアルキル基、アルコキシアルキル基およびアルコキシカルボニルアルキル基からなる群から選ばれる、フッ素原子を有していてもよい炭素数1~20の基、を示す。)。

    Abstract translation: 公开了用于使用电子束,X射线或EUV光的光刻工艺的抗蚀剂组合物。 具体公开了用于使用电子束,X射线或EUV光的光刻工艺的抗蚀剂组合物,其含有含有氟原子或含氟的重复单元(F)的含氟聚合物(PF) 与主链键合的烷基和在酸的作用下碱溶性增加的侧链中的芳香环结构和酸发生剂。 例如,重复单元(F)为选自下述重复单元(FV1),(FV2),(FV3),(FV4))中的至少一种重复单元(FVn)。 (在下式中,XF1表示-F-或-CF3-; r1和r2独立地表示0-2的整数(r1和r2的和为1-3的整数); YF表示具有1 -20个碳原子,并且任选地含有选自烷基,烷氧基烷基,烷氧基羰基和烷氧基羰基烷基的氟原子; WF表示具有1-20个碳原子并且任选地含有氟原子的基团,其中 选自烷基,烷氧基烷基和烷氧基羰基烷基。)

    電子線、X線またはEUV光を用いたリソグラフィー法に用いられるレジスト組成物
    4.
    发明申请
    電子線、X線またはEUV光を用いたリソグラフィー法に用いられるレジスト組成物 审中-公开
    使用电子束,X射线或EUV光的光刻方法中的耐蚀组合物

    公开(公告)号:WO2008044741A1

    公开(公告)日:2008-04-17

    申请号:PCT/JP2007/069881

    申请日:2007-10-11

    Abstract:  電子線、X線またはEUV光を用いたリソグラフィー法に用いられるレジスト組成物を提供する。  側鎖に含フッ素芳香族環構造を有する繰り返し単位(F)を含む酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する含フッ素重合体(F)と、酸を発生する化合物とを含む、電子線、X線またはEUV光を用いたリソグラフィー法に用いられるレジスト組成物。たとえば、繰り返し単位(F)は、下記繰り返し単位(F V )である(ただし、R F は水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはハロメチル基(3個のR F は同一であってもよく、異なっていてもよい。)であり、Y F は炭素数1~20の酸分解性基または水素原子であり、p、qおよびrはそれぞれ独立に0~5の整数であり、かつp、qおよびrの和は1~5の整数である。)。

    Abstract translation: 公开了一种使用电子束,X射线或EUV光的光刻方法中使用的抗蚀剂组合物。 具体公开了一种利用电子束,X射线或EUV光的光刻方法中使用的抗蚀剂组合物,其包含:在侧链具有氟化芳环结构的重复单元(F)的含氟聚合物(F) 其碱溶性可以通过酸的作用而增加; 和能产生酸的化合物。 例如,重复单元(F)是重复单元(F-V),其中R F表示氢原子,卤素原子,甲基或 卤代甲基(条件是三条R 6可以彼此相同或不同); Y代表具有1至20个碳原子的酸可降解基团或氢原子; 并且p,q和r独立地表示0〜5的整数,条件是p,q和r的总和为1〜5]。

    含フッ素重合体溶液組成物
    7.
    发明申请
    含フッ素重合体溶液組成物 审中-公开
    含氟聚合物溶液组合物

    公开(公告)号:WO2007145288A1

    公开(公告)日:2007-12-21

    申请号:PCT/JP2007/062031

    申请日:2007-06-14

    CPC classification number: C09D133/16 C08F220/22

    Abstract:  含フッ素重合体溶液組成物を提供する。  側鎖に含フッ素脂環式炭化水素基を有する繰り返し単位(A)を含む含フッ素重合体(F)と、フッ素系有機溶媒(S)とを含む含フッ素重合体溶液組成物。たとえば、繰り返し単位(A)は、下式(1)、下式(2)、下式(3)、下式(4)および下式(5)で表される化合物からなる群から選ばれる一種以上の環式飽和炭化水素化合物の水素原子をn個除いたn価の基(ただし、nは1~4の整数を示す。)であって、残余の水素原子の50%以上がフッ素原子に置換された基(G)を有する繰り返し単位である。

    Abstract translation: 公开了含氟聚合物溶液组合物。 公开了含有含侧链中具有含氟脂肪族烃基的重复单元(A)的含氟聚合物(F)和含氟有机溶剂(S)的含氟聚合物溶液组合物。 例如,重复单元(A)具有通过从一种或多种选自以下的环状饱和烃化合物中除去n个氢原子(条件是n表示1-4的整数)而获得的n价基团(G) 由以下所示的式(1),式(2),式(3),式(4)和式(5)表示的化合物组成,并且用氟原子代替不少于50%的剩余氢原子。

    含フッ素化合物、含フッ素ポリマーとその製造方法
    8.
    发明申请
    含フッ素化合物、含フッ素ポリマーとその製造方法 审中-公开
    氟化合物,氟聚合物及其制造方法

    公开(公告)号:WO2005042453A1

    公开(公告)日:2005-05-12

    申请号:PCT/JP2004/016160

    申请日:2004-10-29

    Abstract:  官能基の濃度が高く充分な官能基の特性を得ることができ、幅広い波長領域で高い透明性を有する含フッ素化合物、含フッ素ポリマーおよびその製造方法を提供する  下記式(1)で表される含フッ素ジエンを提供する。  CF 2 =CFCH 2 CH(C(R 1 )(R 2 )(OH))CH 2 CH=CH 2  (1) ただし、R 1 とR 2 は、それぞれ独立にフッ素原子、あるいは炭素数5以下のフルオロアルキル基を表す。

    Abstract translation: 具有高浓度的官能团的氟化合物因此可以具有归功于该官能团的足够的性质,并且在宽波长区域中是高度透明的。 由下式(1)表示的氟化二烯:CF 2 = CFCH 2 CH(C(R 1)(R 2)(OH))CH 2 CH = CH 2(1)其中R 1和R 2 >各自独立地表示氟或C5或更低的氟代烷基。

    レジスト組成物、レジスト保護膜組成物およびレジストパターンの形成方法
    9.
    发明申请
    レジスト組成物、レジスト保護膜組成物およびレジストパターンの形成方法 审中-公开
    耐蚀组合物,耐蚀保护膜组合物和形成耐蚀图案的方法

    公开(公告)号:WO2008120743A1

    公开(公告)日:2008-10-09

    申请号:PCT/JP2008/056170

    申请日:2008-03-28

    Abstract:  レジスト組成物を提供する。  式CF 2 =CFCF 2 C(X A )(C(O)OZ A )(CH 2 ) na CR A =CHR A で表される化合物の重合により形成された繰り返し単位(A)を有する重合体(PA)を含むレジスト組成物(ただし、X A は水素原子、シアノ基または式-C(O)OZ A で表される基を示し、Z A は水素原子または炭素数1~20の1価有機基を示し、naは0、1または2を示し、R A は水素原子または炭素数1~20の1価有機基であって、2個のR A は同一であってもよく異なっていてもよい。)。

    Abstract translation: 公开了抗蚀剂组合物。 具体公开的是含有具有重复单元(A)的聚合物(PA)的抗蚀剂组合物,该重复单元通过聚合由下式表示的化合物形成:CF 2 2 = CFCF 2 C(X A )(C(O)OZ A )(CH 2 NA CR A = CHR A 。 (式中,X A表示氢原子,氰基或下式表示的基团:-C(O)OZ A; Z < A 表示氢原子或具有1-20个碳原子的一价有机基团; n a表示0,1或2; R A表示氢原子或具有1个碳原子的一价有机基团 -20个碳原子,两个R a可以彼此相同或不同。)

    リソグラフィー用レジスト材料およびレジストパターンの形成方法
    10.
    发明申请
    リソグラフィー用レジスト材料およびレジストパターンの形成方法 审中-公开
    用于形成电阻图案的电阻材料和方法

    公开(公告)号:WO2008032716A1

    公开(公告)日:2008-03-20

    申请号:PCT/JP2007/067680

    申请日:2007-09-11

    CPC classification number: G03F7/0397 G03F7/0046 G03F7/11 G03F7/2041

    Abstract:  リソグラフィー用レジスト材料およびレジストパターンの形成方法の提供。  下記化合物(a)の重合により形成された繰り返し単位(A)を含む重合体を含むリソグラフィー用レジスト材料。ただし、Wは重合性の1価有機基を、TはH、F、炭素数1~6のアルキル基または炭素数1~6のフルオロアルキル基を、Qは式中の炭素原子と共同して含フッ素単環式炭化水素基を形成する炭素数3~11のフルオロアルキレン基を、示す。TまたはQ中の炭素原子-炭素原子間には、-O-、-C(O)-または-C(O)O-が挿入されていてもよい。

    Abstract translation: 公开了用于光刻的抗蚀剂材料。 还公开了形成抗蚀剂图案的方法。 用于光刻的抗蚀剂材料包括具有通过化合物(a)的聚合形成的重复单元(A)的聚合物[在该式中,W表示可聚合的一价有机基团; T表示H,F,碳原子数1〜6的烷基或碳原子数1〜6的氟烷基。 Q表示碳原子数3〜11的氟代亚烷基,与式(1)中的碳原子一起形成氟化单环烃基,条件是-O - , - C(O) - 或-C(O) O-可以插入在T或Q中的(碳原子) - (碳原子)键之间。(a)

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