公开(公告)号：WO2004087989A1

公开(公告)日：2004-10-14

申请号：PCT/JP2004/003992

申请日：2004-03-23

Applicant: 東洋製罐株式会社 ,  小林 亮 ,  並木 恒久 ,  細野 寛子 ,  倉島 秀夫 ,  稲垣 肇 ,  家木 敏秀

Inventor： 小林 亮 ,  並木 恒久 ,  細野 寛子 ,  倉島 秀夫 ,  稲垣 肇 ,  家木 敏秀

IPC: C23C16/40

CPC classification number: C23C16/045 ,  B05D1/62 ,  B05D2201/00 ,  B05D2490/50 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523

Abstract: A method for forming a vapor deposition film composed of a silicon oxide on a surface of a substrate is disclosed in which the substrate to be processed is held in a plasma processing chamber and a chemical plasma processing is conducted by supplying an organic silicon compound and an oxidizing gas into the processing chamber. By changing the supply rate of the oxidizing gas during formation of a deposition film while keeping the supply rate of the organic silicon compound gas at a certain fixed rate, there can be formed a chemical vapor deposition film which is excellent in adhesion, plasticity, flexibility, oxygen barrier property and moisture barrier property.

Abstract translation: 公开了一种在基板的表面上形成由氧化硅构成的蒸镀膜的方法，其中待处理基板保持在等离子体处理室中，并且通过提供有机硅化合物和 将氧化气体进入处理室。 通过在形成沉积膜期间改变氧化气体的供给速率，同时保持有机硅化合物气体的供给速率达到一定的固定速度，可以形成粘附性，塑性，柔性优异的化学气相沉积膜 ，阻氧性和防潮性。

公开(公告)号：WO2004033753A1

公开(公告)日：2004-04-22

申请号：PCT/JP2003/012946

申请日：2003-10-09

Applicant: 東洋製罐株式会社 ,  並木 恒久 ,  家木 敏秀 ,  倉島 秀夫 ,  稲垣 肇 ,  小林 亮 ,  山田 幸司

Inventor： 並木 恒久 ,  家木 敏秀 ,  倉島 秀夫 ,  稲垣 肇 ,  小林 亮 ,  山田 幸司

IPC: C23C16/40

CPC classification number: C23C16/515 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/40 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32311

Abstract: 本発明のプラズマＣＶＤ法による金属酸化膜を形成する方法は、低出力領域でのグロー放電によって有機金属が主体とする反応を行った後、高出力領域でのグロー放電によって有機金属と酸化性ガスとの反応を行うことにより、プラスチック基体表面に、有機性層を介して金属酸化膜を形成する。この方法によれば、プラスチック等の基体の表面に、プラズマＣＶＤ法により、密着性や柔軟性、可撓性に優れた薄膜を形成することができる。

Abstract translation: 根据等离子体CVD法形成金属氧化物膜的方法，包括在低输出区域进行辉光放电，以进行主反应物为有机金属的反应，然后在高输出区域进行辉光放电，以便 进行有机金属与氧化性气体的反应，得到塑料基板，并且在其表面顺序地叠加有机层和金属氧化物膜。 该方法能够根据等离子体CVD工艺在诸如塑料的基板的表面上形成优异的粘附性，柔软性和柔性的薄膜。

公开(公告)号：WO2002092875A1

公开(公告)日：2002-11-21

申请号：PCT/JP2002/004616

申请日：2002-05-13

Applicant: 東洋製罐株式会社 ,  並木 恒久 ,  家木 敏秀 ,  倉島 秀夫 ,  稲垣 肇 ,  小林 亮 ,  山田 幸司 ,  谷川 弥和子

Inventor： 並木 恒久 ,  家木 敏秀 ,  倉島 秀夫 ,  稲垣 肇 ,  小林 亮 ,  山田 幸司 ,  谷川 弥和子

IPC: C23C16/40

CPC classification number: C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31667

Abstract: A silicon oxide membrane formed on a surface of a plastic substrate, characterized in that methyl groups and methylene groups are present in the vicinity of its side of the interface between the membrane and the plastic substrate. The silicon oxide membrane not only is excellent in the adhesion to a plastic substrate, and in softness and flexibility, but also exhibits excellent gas barrier properties, which leads to the achievement of satisfactory gas barrier property with a less thickness as compared to that of a conventional silicon oxide membrane. Further, the above membrane can be produced with excellent productivity.

Abstract translation: 形成在塑料基板的表面上的氧化硅膜，其特征在于甲基和亚甲基存在于膜和塑料基板之间的界面侧面附近。 氧化硅膜不仅在塑性基材的粘附性以及柔软性和柔软性方面优异，而且还具有优异的阻气性，这导致了与 常规氧化硅膜。 此外，可以以优异的生产率制造上述膜。

公开(公告)号：WO2006109754A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：PCT/JP2006/307508

申请日：2006-04-03

Applicant: 東洋製罐株式会社 ,  山田 幸司 ,  國廣 一郎 ,  稲垣 肇 ,  倉島 秀夫

Inventor： 山田 幸司 ,  國廣 一郎 ,  稲垣 肇 ,  倉島 秀夫

IPC: C23C16/511

CPC classification number: C23C16/545 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3277

Abstract: A vapor deposition film formation method includes a step for arranging a surface wave generating device (10) using a microwave in a vacuum region, a step for continuously feeding a plastic film substrate (13) into the vacuum region so as to oppose to the surface wave generating device, a step of continuously supplying a reaction gas containing at least organic metal compound into the vacuum region, and a step for executing plasma reaction by the surface wave of the microwave from the surface wave generating device (10), thereby continuously forming a vapor deposition film on the surface of the film substrate (13). This method enables continuous formation of a vapor deposition film on the surface of a film substrate, especially a long film, by the surface wave plasma of the microwave.

Abstract translation: 蒸镀膜形成方法包括在真空区域中使用微波配置表面波产生装置（10）的步骤，将塑料膜基板（13）连续供给到真空区域中以与表面相对的步骤 波形发生装置，将至少含有有机金属化合物的反应气体连续供给到真空区域的步骤，以及通过来自表面波生成装置（10）的微波表面波进行等离子体反应的工序，从而连续地形成 在薄膜基板（13）的表面上的蒸镀膜。 该方法能够通过微波的表面波等离子体在膜基板的表面，特别是长的膜的表面上连续地形成气相沉积膜。

公开(公告)号：WO2006090602A1

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：PCT/JP2006/302426

申请日：2006-02-07

Applicant: 東洋製罐株式会社 ,  稲垣 肇 ,  家木 敏秀 ,  鬼頭 諭 ,  中野 龍太 ,  中山 めぐみ

Inventor： 稲垣 肇 ,  家木 敏秀 ,  鬼頭 諭 ,  中野 龍太 ,  中山 めぐみ

IPC: C23C16/44 ,  B65D1/00 ,  B65D23/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/401 ,  B05D1/62 ,  B05D2201/00 ,  B05D2490/50 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/515 ,  Y10T428/13 ,  Y10T428/131 ,  Y10T428/1317 ,  Y10T428/1321 ,  Y10T428/1355 ,  Y10T428/1359 ,  Y10T428/1383 ,  Y10T428/1393 ,  Y10T428/31678

Abstract: A vapor deposited film is formed on a base material surface by a plasma CVD method wherein an organic metal compound and an oxidizing gas are used as a reactive gas. The vapor deposited film has three sections of a base material side adhesive layer having 5% or more carbon, a barrier intermediate layer having less than 5% carbon, and a surface protection film having 5% or more carbon, by element concentration with respect to the total amount of three elements of a metal element (M), oxygen (O) and carbon (C) derived from the organic metal compound. The vapor deposited film has excellent adhesiveness to the base material, and has excellent resistance to water, especially to alkaline aqueous solutions, as well.

Abstract translation: 通过使用有机金属化合物和氧化气体作为反应气体的等离子体CVD法在基材表面上形成蒸镀膜。 气相沉积膜具有三个部分，其具有5％或更多碳的基材侧粘合剂层，具有小于5％碳的阻挡中间层和具有5％或更多碳的表面保护膜，元素浓度相对于 由有机金属化合物衍生的金属元素（M），氧（O）和碳（C）的三种元素的总量。 蒸镀膜与基材的密合性优异，耐水性优异，特别是碱性水溶液。