公开(公告)号：WO2004087989A1

公开(公告)日：2004-10-14

申请号：PCT/JP2004/003992

申请日：2004-03-23

Applicant: 東洋製罐株式会社 ,  小林 亮 ,  並木 恒久 ,  細野 寛子 ,  倉島 秀夫 ,  稲垣 肇 ,  家木 敏秀

Inventor： 小林 亮 ,  並木 恒久 ,  細野 寛子 ,  倉島 秀夫 ,  稲垣 肇 ,  家木 敏秀

IPC: C23C16/40

CPC classification number: C23C16/045 ,  B05D1/62 ,  B05D2201/00 ,  B05D2490/50 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523

Abstract: A method for forming a vapor deposition film composed of a silicon oxide on a surface of a substrate is disclosed in which the substrate to be processed is held in a plasma processing chamber and a chemical plasma processing is conducted by supplying an organic silicon compound and an oxidizing gas into the processing chamber. By changing the supply rate of the oxidizing gas during formation of a deposition film while keeping the supply rate of the organic silicon compound gas at a certain fixed rate, there can be formed a chemical vapor deposition film which is excellent in adhesion, plasticity, flexibility, oxygen barrier property and moisture barrier property.

Abstract translation: 公开了一种在基板的表面上形成由氧化硅构成的蒸镀膜的方法，其中待处理基板保持在等离子体处理室中，并且通过提供有机硅化合物和 将氧化气体进入处理室。 通过在形成沉积膜期间改变氧化气体的供给速率，同时保持有机硅化合物气体的供给速率达到一定的固定速度，可以形成粘附性，塑性，柔性优异的化学气相沉积膜 ，阻氧性和防潮性。

公开(公告)号：WO2004033753A1

公开(公告)日：2004-04-22

申请号：PCT/JP2003/012946

申请日：2003-10-09

Applicant: 東洋製罐株式会社 ,  並木 恒久 ,  家木 敏秀 ,  倉島 秀夫 ,  稲垣 肇 ,  小林 亮 ,  山田 幸司

Inventor： 並木 恒久 ,  家木 敏秀 ,  倉島 秀夫 ,  稲垣 肇 ,  小林 亮 ,  山田 幸司

IPC: C23C16/40

CPC classification number: C23C16/515 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/40 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32311

Abstract: 本発明のプラズマＣＶＤ法による金属酸化膜を形成する方法は、低出力領域でのグロー放電によって有機金属が主体とする反応を行った後、高出力領域でのグロー放電によって有機金属と酸化性ガスとの反応を行うことにより、プラスチック基体表面に、有機性層を介して金属酸化膜を形成する。この方法によれば、プラスチック等の基体の表面に、プラズマＣＶＤ法により、密着性や柔軟性、可撓性に優れた薄膜を形成することができる。

Abstract translation: 根据等离子体CVD法形成金属氧化物膜的方法，包括在低输出区域进行辉光放电，以进行主反应物为有机金属的反应，然后在高输出区域进行辉光放电，以便 进行有机金属与氧化性气体的反应，得到塑料基板，并且在其表面顺序地叠加有机层和金属氧化物膜。 该方法能够根据等离子体CVD工艺在诸如塑料的基板的表面上形成优异的粘附性，柔软性和柔性的薄膜。

公开(公告)号：WO2002092875A1

公开(公告)日：2002-11-21

申请号：PCT/JP2002/004616

申请日：2002-05-13

Applicant: 東洋製罐株式会社 ,  並木 恒久 ,  家木 敏秀 ,  倉島 秀夫 ,  稲垣 肇 ,  小林 亮 ,  山田 幸司 ,  谷川 弥和子

Inventor： 並木 恒久 ,  家木 敏秀 ,  倉島 秀夫 ,  稲垣 肇 ,  小林 亮 ,  山田 幸司 ,  谷川 弥和子

IPC: C23C16/40

CPC classification number: C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31667

Abstract: A silicon oxide membrane formed on a surface of a plastic substrate, characterized in that methyl groups and methylene groups are present in the vicinity of its side of the interface between the membrane and the plastic substrate. The silicon oxide membrane not only is excellent in the adhesion to a plastic substrate, and in softness and flexibility, but also exhibits excellent gas barrier properties, which leads to the achievement of satisfactory gas barrier property with a less thickness as compared to that of a conventional silicon oxide membrane. Further, the above membrane can be produced with excellent productivity.

Abstract translation: 形成在塑料基板的表面上的氧化硅膜，其特征在于甲基和亚甲基存在于膜和塑料基板之间的界面侧面附近。 氧化硅膜不仅在塑性基材的粘附性以及柔软性和柔软性方面优异，而且还具有优异的阻气性，这导致了与 常规氧化硅膜。 此外，可以以优异的生产率制造上述膜。

公开(公告)号：WO2004092443A1

公开(公告)日：2004-10-28

申请号：PCT/JP2004/005202

申请日：2004-04-12

Applicant: 東洋製罐株式会社 ,  倉島 秀夫 ,  小林 亮 ,  山田 幸司 ,  並木 恒久

Inventor： 倉島 秀夫 ,  小林 亮 ,  山田 幸司 ,  並木 恒久

IPC: C23C16/511

CPC classification number: H01J37/32284 ,  C23C16/045 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H05B6/80

Abstract: 処理対象の表面に均一な薄膜層を形成でき、しかも、短時間に処理することができるマイクロ波プラズマ処理方法を提供する。プラズマ処理室１にマイクロ波を導入し、処理用ガスをプラズマ化することにより、前記プラズマ処理室内１に配置した基体１３に薄膜層を形成するマイクロ波プラズマ処理方法において、前記基体１３をプラズマ処理室１の中心軸と同軸上に固定し、前記プラズマ処理室内のマイクロ波の定在波モードを、前記基体の口部１３１から胴部１３３までは、ＴＥモード又はＴＥＭモードとし、前記基体の底部１３２は、ＴＥモードとＴＭモードが共在するモードとしたマイクロ波プラズマ処理方法としてある。

Abstract translation: 能够在未处理物体的表面上形成均匀的薄膜的微波等离子体处理方法和短期处理。 微波等离子体处理方法，其向等离子体处理室（1）引入微波以将处理气体转换为等离子体并在设置在等离子体处理室（1）中的基板（13）上形成薄膜层，其中基板 13）固定在与等离子体处理室（1）的中心轴同轴的轴上，等离子体处理室（1）中的微波驻波模式被设定为TE模式或TEM模式 衬底的口（131）到主体（133），并且到TE模和TM模共同存在于衬底的底部（132）的模式。

公开(公告)号：WO2004081254A1

公开(公告)日：2004-09-23

申请号：PCT/JP2004/003202

申请日：2004-03-11

Applicant: 東洋製罐株式会社 ,  小林 亮 ,  山田 幸司 ,  倉島 秀夫 ,  並木 恒久 ,  藍原 武志 ,  小野澤 康哲

Inventor： 小林 亮 ,  山田 幸司 ,  倉島 秀夫 ,  並木 恒久 ,  藍原 武志 ,  小野澤 康哲

IPC: C23C16/511

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: 　処理基体に均一な薄膜を形成できるマイクロ波プラズマ処理装置及びガス供給部材を提供する。プラズマ処理室内の中心軸上に処理対象である基体を固定する固定手段と、基体の内部及び外部を減圧する排気手段と、基体の内部にあってプラズマ処理室と半同軸円筒共振系をなす金属製の処理用ガス供給部材と、プラズマ処理室にマイクロ波を導入して処理を行うマイクロ波導入手段とを有するマイクロ波プラズマ処理装置において、固定手段の基体を把持する部分の所定位置にマイクロ波封止部材を設けるとともに、マイクロ波導入手段の接続位置をプラズマ処理室の内部に形成される電界強度分布のうち、電界の弱い所定位置に設定した構成としてある。

Abstract translation: 微波等离子体处理装置和能够在待加工基板上形成均匀薄膜的气体供给部件。 微波等离子体处理装置包括：将待处理基板固定在等离子体处理室中的中心轴上的固定装置，对基板内部和外部进行减压的排气装置;存在于基板中的金属加工气体供给部件;以及 与等离子体处理室一起形成可折入的圆柱形谐振系统，以及将微波引入等离子体处理室以进行处理的装置，其中微波密封构件设置在固定装置的基板保持部分的指定位置 并且微波引入装置的连接位置被设定在等离子体处理室内形成的场强分布之外的特定的弱磁场位置。