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    HYDROPHILIC MEMBER AND FORMING METHOD OF THE SAME
    1.
    发明申请
    HYDROPHILIC MEMBER AND FORMING METHOD OF THE SAME 审中-公开
    亲水成员及其形成方法

    公开(公告)号：WO2013039252A1

    公开(公告)日：2013-03-21

    申请号：PCT/JP2012/073962

    申请日：2012-09-12

    Applicant: FUJIFILM CORPORATION ,  KASAI, Seishi

    Inventor： KASAI, Seishi

    IPC: B32B27/00 ,  B05D1/26 ,  B05D5/00 ,  B05D7/24 ,  B32B27/40 ,  C08L101/00 ,  C08L101/10 ,  C09D7/12 ,  C09D143/04 ,  C09D175/04 ,  C09D175/14 ,  C09D201/10 ,  C09K3/00

    CPC classification number: C09D11/40 ,  B05D1/26 ,  B05D1/34 ,  B05D5/00 ,  B05D2490/50 ,  C08G18/672 ,  C09D11/101

    Abstract: A hydrophilic member includes a base material; and a layer containing a hydrophilic material (1) and an oligomer or polymer (2), the layer is a composition gradient layer in which a composition of (1) and (2) continuously changes in a thickness direction of the layer in such a manner that a ratio of (1) becomes large, whereas a ratio of (2) becomes small, from the nearest side to the base material toward the farthest side to the base material, the hydrophilic material (1) is a hydrophilic material containing a hydrolyzable silyl group-containing hydrophilic polymer, the polymer having at least one hydrolyzable silyl group represented by the formula (a) as defined herein at a main chain end or side chain of a molecule thereof and having at least one hydrophilic group in the molecule, and the oligomer or polymer (2) is different from the hydrophilic polymer (1).

    Abstract translation: 亲水构件包括基材; 和含有亲水性材料（1）和低聚物或聚合物（2）的层，该层是组合物梯度层，其中（1）和（2）的组成在层的厚度方向上连续变化 （1）的比例变大，而从最近侧到基材向最远侧到基材的比例（2）变小，亲水性材料（1）是含有 含有水解性甲硅烷基的亲水性聚合物，所述聚合物在分子的主链末端或侧链上具有如本文定义的式（a）表示的至少一个可水解甲硅烷基，并且在分子中具有至少一个亲水基团， 并且低聚物或聚合物（2）不同于亲水性聚合物（1）。

    成膜方法及び成膜装置
    2.
    发明申请
    成膜方法及び成膜装置 审中-公开
    薄膜成型方法和成膜装置

    公开(公告)号：WO2013161772A1

    公开(公告)日：2013-10-31

    申请号：PCT/JP2013/061810

    申请日：2013-04-22

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 杉田　吉平 ,  橋本　浩幸 ,  原田　宗生

    IPC: H01L21/312 ,  C23C16/455 ,  H01L21/768

    CPC classification number: H01L21/02118 ,  B05D1/36 ,  B05D1/60 ,  B05D2490/50 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898

    Abstract: 　成膜方法は、被処理体を収容し、真空引きされた処理容器内に酸無水物よりなる第１の原料ガスとジアミンよりなる第２の原料ガスとを供給し、被処理体の表面に高分子薄膜よりなる絶縁膜を形成し、次いで、前記処理容器内への第２の原料ガスの供給を停止すると共に第１の原料ガスを前記処理容器内に引き続き供給し、絶縁膜を改質することにより絶縁膜にバリア機能を持たせる。

    Abstract translation: 本发明的成膜方法包括以下步骤：将由酸酐组成的第一原料气体材料和由二胺构成的第二原料气体供给到保持待处理体的真空处理容器中; 在被处理体的表面上形成由聚合物薄膜构成的绝缘膜; 停止向处理容器供应第二原料气体，并继续将第一原料气体材料供应到处理容器中; 并通过重整绝缘膜而赋予绝缘膜阻挡功能。 附图： 4：S1第一步[聚酰亚胺膜的形成]（PMDA和ODA的同时供给）S2第二步[重整处理]（PMDA的供给）AA成膜法BB结束

    UV-BESTRAHLUNGSVORRICHTUNG MIT ZUSÄTZLICHER MONOCHROMATISCHER STRAHLUNGSQUELLE
    4.
    发明申请
    UV-BESTRAHLUNGSVORRICHTUNG MIT ZUSÄTZLICHER MONOCHROMATISCHER STRAHLUNGSQUELLE 审中-公开
    额外的单色辐射源紫外线辐射装置

    公开(公告)号：WO2014170004A1

    公开(公告)日：2014-10-23

    申请号：PCT/EP2014/000990

    申请日：2014-04-14

    Applicant: OERLIKON TRADING AG, TRÜBBACH

    Inventor： SCHAEFER, Ruedigier ,  KASPAR, Martin

    IPC: B05D3/06 ,  B05D7/02 ,  B05D7/00

    CPC classification number: C23C14/58 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/067 ,  B05D7/02 ,  B05D7/53 ,  B05D7/57 ,  B05D2490/50

    Abstract: Die Erfindung bezieht sich eine Komponente, deren Oberfläche zumindest teilweise mit einer Beschichtung bedeckt ist, wobei die Beschichtung eine zwischen einer ersten Lackschicht und einer zweiten Lackschicht angeordnete PVD-Beschichtung umfasst und die erste Lackschicht eine Basecoatschicht auf der Oberfläche bildet und die zweite Lackschicht ein Topcoatschicht mit einer Topcoat-Dicke auf der PVD-Beschichtung bildet, wobei zumindest die Topcoatschicht mit UV-härtendem Lack hergestellt wurde. Ausgehend von der Grenzfläche der PVD-Beschichtung in einem Bereich kleiner als die Topcoat-Dicke hat die Topcoatschicht einen niedrigeren durch UV-Licht induzierten Vernetzungsgrad als im sich an diesen Bereich anschliessenden Teil der Tocoatschicht. Die Erfindung bezieht sich insbesondere auf ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Komponente

    Abstract translation: 本发明涉及其表面至少部分地覆盖有涂层的组分，所述包括第一油墨层和第二抗蚀剂层的PVD涂层和第一涂层之间的布置的涂层形成Basecoatschicht表面和第二清漆层上，顶部涂层 上形成PVD涂层，其中用UV固化漆产生的至少该顶涂层层的顶部涂层的厚度。 从范围比所述顶涂层厚度越小PVD涂层的界面开始有面涂层由Tocoatschicht的UV光交联度比在该范围的邻接部分具有更低的诱导。 本发明特别涉及一种用于制造这样的部件

    蒸着膜を備えたポリ乳酸成形体及びその製造方法
    5.
    发明申请
    蒸着膜を備えたポリ乳酸成形体及びその製造方法 审中-公开
    具有沉积膜的聚酯酸成型体及其制造方法

    公开(公告)号：WO2013140868A1

    公开(公告)日：2013-09-26

    申请号：PCT/JP2013/052441

    申请日：2013-02-04

    Applicant: 東洋製罐グループホールディングス株式会社

    Inventor： 伊藤　卓郎 ,  小澤　里美 ,  鬼頭　諭 ,  山崎　和彦

    IPC: B32B27/36 ,  B65D23/08 ,  B65D65/46 ,  C23C16/27

    CPC classification number: B65D23/0807 ,  B05D1/62 ,  B05D7/04 ,  B05D7/50 ,  B05D2490/50 ,  B65D1/0215 ,  B65D23/02 ,  B65D65/466 ,  C08J7/123 ,  C08J2367/04 ,  C23C16/26 ,  C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  Y02W90/12 ,  Y10T428/1379 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/31786

    Abstract: 本発明のポリ乳酸成形体は、ポリ乳酸基材１とプラズマＣＶＤ法によって該基材表面に形成された炭化水素系蒸着膜３とからなるポリ乳酸成形体において、ポリ乳酸基材１は、広角Ｘ線測定の１０°～２５°に出現するピーク半値幅が１．２２°以下のシャープなＸ線回折ピークを示し、炭化水素系蒸着膜３は、ポリ乳酸基材１表面に形成され且つＣＨ、ＣＨ ２ 及びＣＨ ３ の合計当りのＣＨ ２ 比が４０％以上の高ＣＨ ２ 層３ａと、高ＣＨ ２ 層３ａ上に形成され且つＣＨ、ＣＨ ２ 及びＣＨ ３ の合計当りのＣＨ ２ 比が３５％以下の低ＣＨ ２ 層３ｂとの二層を含んでいる。このポリ乳酸成形体は、反応ガスの切り替えを行うことなく、連続した一連のプラズマＣＶＤ工程により、ポリ乳酸基材の熱変形や熱劣化を生じせしめることなく、ポリ乳酸基材に対して高い密着性を示す炭化水素系蒸着膜が形成されている。

    Abstract translation: 该聚乳酸成型体包含聚乳酸基材（1）和通过等离子体CVD形成在基材的表面上的烃类沉积膜（3），其中，聚乳酸基材（1）呈现锋利的X射线 在广角X射线测定中，在10-25°处出现峰值半宽度为1.22°以下的衍射峰，烃类沉积膜（3）包括两层，即高CH2层（ 3a）形成在聚乳酸基材（1）的表面上并且被设计成使得CH 2比率相对于CH，CH 2和CH 3的总和为40％或更高，而形成在低聚物上的低-CH 2层（3b） 该高-CH 2层（3a）并且被设计成使得CH 2比率相对于CH，CH 2和CH 3的总量为35％或更低。 通过该聚乳酸成型，形成对聚乳酸基材具有高粘合性的烃类沉积膜，不会因不存在开关的连续的等离子体CVD步骤而产生聚乳酸基材的热变形或热劣化 的反应气体。

    ACTIVE CORROSION PROTECTION COATINGS
    6.
    发明申请
    ACTIVE CORROSION PROTECTION COATINGS 审中-公开
    主动腐蚀保护涂料

    公开(公告)号：WO2013167596A1

    公开(公告)日：2013-11-14

    申请号：PCT/EP2013/059496

    申请日：2013-05-07

    Applicant: VRIJE UNIVERSITEIT BRUSSEL ,  UNIVERSITE LIBRE DE BRUXELLES

    Inventor： DE GRAEVE, Iris ,  TERRYN, Herman ,  RENIERS, François ,  DE VOS, Caroline

    IPC: B05D7/14 ,  C09D5/08 ,  B05D1/00

    CPC classification number: C23F11/02 ,  B05D1/62 ,  B05D7/14 ,  B05D2202/25 ,  B05D2490/50 ,  C23F13/005 ,  C23F13/02 ,  Y10T428/31678

    Abstract: The present invention is related to a method for protecting a metal substrate against corrosion comprising the step of: -generating a plasma in a gaseous medium by means of a plasma device; -placing the substrate in contact with the plasma, or in a post-plasma area of said plasma; -introducing in said plasma or in said post-plasma area a corrosion inhibitor along with an organic precursor, thereby depositing a barrier layer comprising the corrosion inhibitor, the deposited layer protecting the metal substrate against corrosion.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于保护金属基材免受腐蚀的方法，包括以下步骤： - 通过等离子体装置在气态介质中产生等离子体; 使衬底与等离子体接触，或在所述等离子体的后等离子体区域中; - 在所述等离子体或所述后等离子体区域中引入腐蚀抑制剂以及有机前体，从而沉积包含所述腐蚀抑制剂的阻挡层，所述沉积层保护所述金属基底免受腐蚀。

    プラズマCVD法による化学蒸着膜及びその形成方法
    7.
    发明申请
    プラズマCVD法による化学蒸着膜及びその形成方法 审中-公开
    通过等离子体CVD法形成的化学气相沉积膜及其形成方法

    公开(公告)号：WO2004087989A1

    公开(公告)日：2004-10-14

    申请号：PCT/JP2004/003992

    申请日：2004-03-23

    Applicant: 東洋製罐株式会社 ,  小林 亮 ,  並木 恒久 ,  細野 寛子 ,  倉島 秀夫 ,  稲垣 肇 ,  家木 敏秀

    Inventor： 小林 亮 ,  並木 恒久 ,  細野 寛子 ,  倉島 秀夫 ,  稲垣 肇 ,  家木 敏秀

    IPC: C23C16/40

    CPC classification number: C23C16/045 ,  B05D1/62 ,  B05D2201/00 ,  B05D2490/50 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523

    Abstract: A method for forming a vapor deposition film composed of a silicon oxide on a surface of a substrate is disclosed in which the substrate to be processed is held in a plasma processing chamber and a chemical plasma processing is conducted by supplying an organic silicon compound and an oxidizing gas into the processing chamber. By changing the supply rate of the oxidizing gas during formation of a deposition film while keeping the supply rate of the organic silicon compound gas at a certain fixed rate, there can be formed a chemical vapor deposition film which is excellent in adhesion, plasticity, flexibility, oxygen barrier property and moisture barrier property.

    Abstract translation: 公开了一种在基板的表面上形成由氧化硅构成的蒸镀膜的方法，其中待处理基板保持在等离子体处理室中，并且通过提供有机硅化合物和 将氧化气体进入处理室。 通过在形成沉积膜期间改变氧化气体的供给速率，同时保持有机硅化合物气体的供给速率达到一定的固定速度，可以形成粘附性，塑性，柔性优异的化学气相沉积膜 ，阻氧性和防潮性。

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