Abstract:
이차 전지용 음극재 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 의한 이차 전지용 음극재는 흑연 매트릭스 및 상기 흑연 매트릭스 상에 형성되는 복수개의 산화주석 나노로드를 포함함으로써 이차 전지의 음극재로서 사용하는 경우, 높은 초기 용량(1010mAhg -1 ) 및 쿨롱 효율(59.2%), 우수한 고속 충/방전 성능(rate capability) 및 향상된 전기 화학적 성질을 나타낸다. 또한, 본 발명에 의한 이차 전지용 음극재는 흑연의 표면을 활성화하는 단계, 상기 활성화된 흑연 표면 상에 산화주석 나노입자들을 코팅하여 산화주석 시드형 흑연을 제조하는 단계 및 상기 산화주석 시드형 흑연을 열수식으로 가열하여 복수개의 산화주석 나노로드를 성장시키는 단계를 포함함으로써 간단한 촉매 열수 공정에 의해 합성 용액 농도 및 반응 시간을 조절함으로써 SnO 2 나노로드의 직경 및 길이를 효율적으로 제어할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유연 기판에 관한 것으로, 상세하게는 기판 표면에 플라즈마를 조사하여 기판을 전처리하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 전처리된 기판상에 금속 배선을 형성시키는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 금속 배선이 형성된 기판 상부에 경화성 고분자를 코팅하고 경화시켜 금속 배선이 함몰된 고분자 층을 제조하는 단계(단계 3); 및 상기 단계 3에서 제조된 고분자 층을 단계 1의 기판과 분리시키는 단계(단계 4);를 포함하는 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판 의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법은 금속 배선을 유연기판 내부에 삽입된 형태로 형성시킬 수 있으며, 금속 배선의 높이에 제한되지 않고 낮은 저항의 배선을 형성시킬 수 있다. 또한, 기판 표면을 플라즈마 처리함에 따라 상기 기판으로부터 금속배선이 함몰된 유연기판을 깨끗하게 박리시킬 수 있다. 나아가, 상기 플라즈마 처리를 통해 기판 표면의 불순물을 제거할 수 있으며, 별도의 공정없이 물리적인 힘을 가하여 상기 기판으로부터 금속배선이 함몰된 유연기판을 쉽게 제거할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유연 기판에 관한 것으로, 상세하게는 기판상에 물 또는 유기용매에 가용성인 고분 자, 또는 광분해성 고분자로 이루어지는 희생층을 코팅하는 단계(단계 1); 상기 단 계 1의 희생층 상부에 금속 배선을 형성시키는 단계(단계 2); 상기 단계 2의 금속 배선이 형성된 희생층 상부에 경화성 고분자를 코팅하고 경화시켜 금속 배선이 함 몰된 고분자 층을 제조하는 단계(단계 3); 및 상기 단계 1의 기판과 단계 3의 고분 자 층 사이에 존재하는 희생층만을 물 또는 유기 용매에 용해시키거나, 광분해시켜 제거하여, 상기 단계 1의 기판과 단계 3의 고분자 층을 분리시키는 단계(단계 4)를 포함하는 금속 배선이 함몰된 유연(flexible) 기판의 제조방법을 제공한다.