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1.시아누릭산 유도체, 상기 시아누릭산 유도체를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 상기 레지스트 하층막용 조성물을 사용한 패턴 형성 방법 审中-公开
Title translation: 氨基酸衍生物,包含氰尿酸衍生物的抗菌性底物组合物,以及使用抗性底物组合物的图案形成方法公开(公告)号:WO2013100411A1
公开(公告)日:2013-07-04
申请号:PCT/KR2012/010205
申请日:2012-11-29
Applicant: 제일모직 주식회사
IPC: C07D417/14 , C07D403/14 , G03F7/11 , G03F7/00
CPC classification number: C07D403/14 , C07D417/14 , G03F7/091 , G03F7/094
Abstract: 화학식 1로 표현되는 시아누릭산 유도체, 상기 시아누릭산 유도체를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 상기 조성물을 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及:由化学式1表示的氰尿酸衍生物; 包含氰尿酸衍生物的抗蚀剂底层组合物; 以及使用该组合物的图案形成方法。
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2.열산발생제 결합 모노머, 상기 열산발생제 결합 모노머로부터 얻어진 중합체, 상기 중합체를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 상기 레지스트 하층막용 조성물을 사용한 패턴 형성 방법 审中-公开
Title translation: 与热酸发生器联合的单体,与热酸发生器联合的单体获得的聚合物,包括聚合物在内的电阻膜的组合物,以及使用组合物形成电阻膜层的方法公开(公告)号:WO2013062255A2
公开(公告)日:2013-05-02
申请号:PCT/KR2012/008314
申请日:2012-10-12
Applicant: 제일모직 주식회사
IPC: C07C309/29 , C08G61/12 , G03F7/26 , G03F7/00 , C07C309/04
CPC classification number: C07C309/17 , C07C309/42 , C07D209/48 , C08F20/38 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038
Abstract: 열산발생제 결합 모노머, 상기 열산발생제 결합 모노머로부터 얻어진 중합체, 상기 중합체를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 상기 레지스트 하층막용 조성물을 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 一种用于抗蚀剂下层膜的组合物,其包含热酸产生剂,从与热酸发生剂偶联的单体获得的聚合物,包含聚合物的抗蚀剂下层膜用组合物,以及使用该抗蚀剂组合物形成图案的方法 底层膜
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3.하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 审中-公开
Title translation: 用于HARDMASK组合物的单体,包括所述单体的HARDMASK组合物以及使用合适的硬质合金形成图案的方法公开(公告)号:WO2014104544A1
公开(公告)日:2014-07-03
申请号:PCT/KR2013/008836
申请日:2013-10-02
Applicant: 제일모직 주식회사
CPC classification number: G03F7/004 , C07C63/15 , C07C63/26 , C07C65/32 , C07C65/34 , C07C65/40 , G03F1/00 , G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/26 , G03F7/30 , G03F7/36 , G03F7/40
Abstract: 화학식 1로 표현되는 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 상기 화학식 1에서, A, A', L, L', X 및 n의 정의는 명세서에서 정의한 바와 같다.
Abstract translation: 本发明涉及一种由化学式1表示的硬掩模组合物的单体,涉及包含所述单体的硬掩模组合物,以及使用所述硬掩模组合物形成图案的方法。 在上述化学式1中,A,A',L,L',X和n的定义与说明书中定义的相同。
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4.레지스트 하층막용 조성물 및 상기 레지스트 하층막용 조성물을 사용한 패턴 형성 방법 审中-公开
Title translation: 用于抗静电膜的组合物,以及使用用于抗静电膜的合成组合物形成图案的方法公开(公告)号:WO2014069718A1
公开(公告)日:2014-05-08
申请号:PCT/KR2013/000179
申请日:2013-01-09
Applicant: 제일모직 주식회사
Abstract: 하기 화학식 1로 표현되는 부분을 가지는 중합체, 그리고 용매를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 상기 레지스트 하층막용 조성물을 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及具有由下式I表示的部分的聚合物,包含溶剂的抗蚀剂下层膜的组合物,以及使用该抗蚀剂下层膜用组合物形成图案的方法。
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