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    パターン形成方法、パターン、並びに、これらを用いたエッチング方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
    1.
    发明申请
    パターン形成方法、パターン、並びに、これらを用いたエッチング方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス 审中-公开
    图案形成方法，图案和蚀刻方法，电子设备制造方法和使用该方法的电子设备

    公开(公告)号：WO2015016191A1

    公开(公告)日：2015-02-05

    申请号：PCT/JP2014/069858

    申请日：2014-07-28

    Applicant: 富士フイルム株式会社

    Inventor： 上羽　亮介 ,  加藤　啓太

    IPC: G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/325 ,  G03F7/36 ,  H01L21/0273

    Abstract: 　（ｉ）基板上に、下記工程（ｉ－１）、下記工程（ｉ－２）及び下記工程（ｉ－３）をこの順で行い、第１のネガ型パターンを形成する工程、　（ｉ－１）前記基板上に、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第１の樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（１）を用いて第１の膜を形成する工程　（ｉ－２）前記第１の膜を露光する工程　（ｉ－３）前記露光した第１の膜を有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程 （ｉｉｉ）前記基板の、前記第１のネガ型パターンの膜部が形成されていない領域に、第２の樹脂を含有する樹脂組成物（２）を埋設して、下層を形成する工程、（ｉｖ）前記下層上に、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第３の樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（３）を用いて上層を形成する工程、（ｖ）前記上層を露光する工程、（ｖｉ）前記上層を有機溶剤を含む現像液を用いて現像し、前記第１のネガ型パターンの表面が為す面上に、第２のネガ型パターンを形成する工程、及び、（ｖｉｉ）前記下層の一部を除去する工程をこの順序で有するパターン形成方法により、種々の形状の積層構造を有する微細な（例えば、ホール径、ドット径、スペース幅、及び、ライン幅などの寸法が５００ｎｍ以下の）パターンを形成可能なパターン形成方法、これから製造されるパターン、並びに、これらを用いた、エッチング方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。

    Abstract translation: 本发明提供一种能够通过使用图案形成具有各种形状的层叠结构的精细图案（例如，孔径，点直径，空间宽度和线宽度等的500nm以下的尺寸）的图案形成方法 （i-1），（i-2）和（i-3）在步骤（i）中形成第一负型图案的步骤（i） 通过使用含有第一树脂的光化射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物（1）在基材上形成第一膜的步骤（i-1），其在含有机溶剂的显影剂中的溶解度降低 通过酸的作用使极性增加，用于将膜曝光的步骤（i-2），使用含有有机溶剂的显影剂使曝光的第一膜显影的步骤（i-3） ; 用于在不形成第一负型图案的薄膜部分的基板的区域中埋入含有第二树脂的树脂组合物（2）的步骤（iii）以形成下层; 通过使用含有第三树脂的光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物（3），在下层顶部上形成上层的步骤（iv），其在含有机溶剂的显影剂中的溶解度降低 通过酸的作用增加极性; 用于将上层曝光的步骤（v）; 通过使用含有有机溶剂的显影剂并在由第一负型图案的表面构成的表面上形成第二负型图案来显影上层的步骤（vi） 以及用于去除下层的一部分的步骤（vii）。 本发明还提供了由此制造的图案，以及蚀刻方法，电子装置制造方法和使用该图案的电子装置。

    METHODS AND APPARATUS FOR PERFORMING MULTIPLE PHOTORESIST LAYER DEVELOPMENT AND ETCHING PROCESSES
    10.
    发明申请
    METHODS AND APPARATUS FOR PERFORMING MULTIPLE PHOTORESIST LAYER DEVELOPMENT AND ETCHING PROCESSES 审中-公开
    用于执行多个光电层发展和蚀刻过程的方法和装置

    公开(公告)号：WO2012173699A1

    公开(公告)日：2012-12-20

    申请号：PCT/US2012/034944

    申请日：2012-04-25

    Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  WU, Banqiu ,  KUMAR, Ajay ,  RAMASWAMY, Kartik ,  NALAMASU, Omkaram

    Inventor： WU, Banqiu ,  KUMAR, Ajay ,  RAMASWAMY, Kartik ,  NALAMASU, Omkaram

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/36 ,  G03F7/40

    Abstract: The present invention provides methods and an apparatus controlling and minimizing process defects in a development process, and modifying line width roughness (LWR) of a photoresist layer after the development process, and maintaining good profile control during subsequent etching processes. In one embodiment, a method for forming features on a substrate includes developing and removing exposed areas in the photosensitive layer disposed on the substrate in the electron processing chamber by predominantly using electrons, removing contaminants from the substrate by predominantly using electrons, and etching the non-photosensitive polymer layer exposed by the developed photosensitive layer in the electron processing chamber by predominantly using electrons.

    Abstract translation: 本发明提供了控制和最小化显影过程中的工艺缺陷的方法和装置，并且在显影过程之后修改光致抗蚀剂层的线宽粗糙度（LWR），并且在随后的蚀刻工艺期间保持良好的轮廓控制。 在一个实施例中，用于在衬底上形成特征的方法包括通过主要使用电子来显影和去除设置在电子处理室中的衬底上的感光层中的暴露区域，主要使用电子从衬底去除污染物， 通过主要使用电子在电子处理室中由显影的感光层曝光的光敏聚合物层。

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