公开(公告)号：WO2011078483A2

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：PCT/KR2010/008193

申请日：2010-11-19

Applicant: 제일모직 주식회사 ,  고상란 ,  김상균 ,  조현모 ,  우창수 ,  김미영 ,  윤희찬 ,  이우진 ,  김종섭

Inventor： 고상란 ,  김상균 ,  조현모 ,  우창수 ,  김미영 ,  윤희찬 ,  이우진 ,  김종섭

IPC: C08G77/04 ,  C08L83/04 ,  H01L21/469 ,  H01L21/76

CPC classification number: C07F7/0852 ,  H01L21/76877

Abstract: 본 발명은 유기실란계 중합체의 말단에, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물로부터 유도된 치환기를 포함하는 미세 갭필용 중합체 및 이를 포함하는 미세 갭필용 조성물을 제공한다. [화학식 1] HOOC-(CH 2 ) l -R 1 2 Si-O-SiR 1 ' 2 -(CH 2 ) l -COOH 상기 화학식 1에서 R 1 , R 1 ', 및 l의 정의는 명세서에 기재한 바와 같다. 이로써, 본 발명은 상기 우수한 갭필 특성 및 보관안정성을 가지는 미세 갭필용 조성물을 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 및 그로부터 제조된 반도체 집적회로 디바이스를 제공할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及精细间隙填充聚合物和包含其的细间隙填充组合物，并且包括在其末端具有由式1表示的化合物作为取代基的有机硅烷聚合物体系。 [式1] HOOC-（CH 2）l -R 1 2Si-O-SiR 1'2（CH 2）1 -COOH，其中式1的R 1，R 1'和l在描述中定义和描述。 因此。 本发明提供一种使用具有优异的间隙填充能力和良好的储存稳定性特征的精细间隙填充组合物来制造集成电路半导体器件的方法。

公开(公告)号：WO2014104528A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：PCT/KR2013/007377

申请日：2013-08-16

Applicant: 제일모직 주식회사

Inventor： 윤희찬 ,  곽택수 ,  김미영 ,  임상학 ,  한권우 ,  김고은 ,  김봉환 ,  김상균 ,  나융희 ,  박은수 ,  배진희 ,  송현지 ,  이한송 ,  홍승희

IPC: H01B3/46 ,  C08L83/08

CPC classification number: C09D1/00 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0254 ,  B05D3/0433 ,  C08G77/62 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01B3/02 ,  H01B3/303 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337

Abstract: 수소화폴리실라잔 또는 수소화폴리실록사잔을 포함하며, 중량 평균 분자량 400 이하의 환형 화합물의 농도가 1200ppm 이하인 실리카계 절연층　형성용 조성물을 제공한다.　상기 실리카계 절연층　형성용 조성물은 실리카계 절연층 형성　시 두께 산포를 감소시킬 수 있으며, 이로써 반도체 제조 공정시 화학적 연마(CMP) 공정 후 막 결함을 줄일 수 있다.

Abstract translation: 提供一种用于形成包含氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧氮烷的二氧化硅基绝缘层的组合物，其浓度为1200ppm以下的重均分子量为400以下的环状化合物。 用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物可以在形成二氧化硅基绝缘层期间减小厚度分布，从而在半导体制造过程中化学机械抛光（CMP）工艺之后降低层中的缺陷。

公开(公告)号：WO2013069921A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：PCT/KR2012/009044

申请日：2012-10-31

Applicant: 제일모직 주식회사

Inventor： 김봉환 ,  곽택수 ,  배진희 ,  윤희찬 ,  임상학 ,  김상균 ,  이진욱

IPC: C11D7/50 ,  C11D7/00 ,  H01L21/306

CPC classification number: C09K13/00 ,  C08G77/62 ,  C09D183/16 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31111

Abstract: 알코올계 용매, 에스테르계 용매, 실란올계 용매, 알콕시실란계 용매, 알킬실라잔계 용매 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 첨가제를 전체 린스액에 대하여 0.01 중량% 내지 7 중량%로 포함하는 수소화폴리실록사잔 박막용 린스액을 제공한다.

Abstract translation: 本发明提供一种聚硅氧氮烷氢氧化物薄膜漂洗溶液，其包含相对于整个漂洗溶液在0.01重量％至7重量％之间的添加剂，其选自醇基溶剂，酯基溶剂 硅烷醇溶剂，烷氧基硅烷类溶剂和烷基硅氮烷类溶剂及其组合。

公开(公告)号：WO2011081321A2

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：PCT/KR2010/008849

申请日：2010-12-10

Applicant: 제일모직 주식회사 ,  김미영 ,  김상균 ,  조현모 ,  고상란 ,  윤희찬 ,  정용진 ,  김종섭

Inventor： 김미영 ,  김상균 ,  조현모 ,  고상란 ,  윤희찬 ,  정용진 ,  김종섭

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  C08L83/06 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332

Abstract: 화학식 1로 표시되는 구조단위 40 내지 80 몰%를 포함하는 유기실란계 축중합물 및 용매를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물이 제공된다.　 이로써, 본 발명은 저장안정성 및 내에칭성이 우수한 레지스트 하층막을 제공하여 우수한 패턴을 전사할 수 있는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법을 제공할 수 있다.

Abstract translation: 提供了一种抗蚀剂底层的组合物，包括有机硅烷系缩聚化合物和溶剂，其中，有机硅烷类缩聚化合物含有40〜80摩尔％的化学式表示的结构单元 因此，本发明涉及使用具有优异的储存稳定性和耐蚀刻性的抗蚀剂的底层，以及使用其制造半导体集成电路的方法，能够实现优异的图案转印性的抗蚀剂底层组合物 设备。

公开(公告)号：WO2014104510A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：PCT/KR2013/006291

申请日：2013-07-15

Applicant: 제일모직 주식회사

Inventor： 송현지 ,  박은수 ,  임상학 ,  곽택수 ,  김고은 ,  김미영 ,  김보선 ,  김봉환 ,  나융희 ,  배진희 ,  서진우 ,  윤희찬 ,  이한송 ,  전종대 ,  한권우 ,  홍승희 ,  황병규

IPC: C08G77/38 ,  C08G77/26 ,  C08L83/08 ,  H01B3/46

CPC classification number: C08G77/54 ,  C08G77/60 ,  C08G77/62 ,  C09D183/02 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01B3/02 ,  H01B3/303 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0229 ,  H01L21/02326

Abstract: 수소화 폴리실록사잔에 폴리실란, 폴리사이클로실란 및 실란 올리고머로 이루어진 군에서 선택되는 실란 화합물을 반응시켜 제조되는 개질 수소화 폴리실록사잔을 제공한다. 상기 개질 수소화 폴리실록사잔은, 실리콘 원자에 대한 질소 원자의 몰비가 작기 때문에 실리카계 절연층 형성용 조성물에 적용되어 실리카계 절연층 형성시 막 수축률을 현저히 감소시킬 수 있다.

Abstract translation: 提供了通过氢化聚硅氧氮烷与选自聚硅烷，聚环硅烷和硅烷低聚物的硅烷化合物反应制备的改性氢化聚硅氧氮烷。 改性氢化聚硅氧氮烷的配置使得氮原子与硅原子的摩尔比小，因此，可以将改性氢化聚硅氧氮烷用于形成二氧化硅系绝缘层的组合物，以显着降低膜收缩率 形成二氧化硅基绝缘层。

公开(公告)号：WO2011081323A2

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：PCT/KR2010/008859

申请日：2010-12-10

Applicant: 제일모직 주식회사 ,  김미영 ,  김상균 ,  조현모 ,  우창수 ,  고상란 ,  윤희찬 ,  이우진 ,  김종섭

Inventor： 김미영 ,  김상균 ,  조현모 ,  우창수 ,  고상란 ,  윤희찬 ,  이우진 ,  김종섭

IPC: G03F7/11

CPC classification number: G03F7/0752 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

Abstract: 본 발명의 일 구현예에 따른 포토레지스트 하층막용 조성물은(A) 하기 화학식 1로 표시되는 폴리실록산 수지, 및 (B) 용매를 포함한다. [화학식 1] {(SiO 1 .5 -Y-SiO 1 .5 ) x (SiO 2 ) y (XSiO 1 .5 ) z }(OH) e (OR 1 ) f 따라서, 우수한 보관 안정성 및 내에치성(etch resistance)을 가질 수 있고, 표면 물성의 조절이 용이할 수 있으며, 포토레지스트 패턴의 안정적인 형성을 가능하게 한다.

Abstract translation: （A）由下式（1）表示的聚硅氧烷树脂和（B）溶剂。 1 -Y-SiO 1 1·5 （xSiO _{1 .5 ） z （OH）e（OR 1）因此，可以具有优异的储存稳定性和耐蚀性， 物理性质可以容易地控制，并且可以实现光致抗蚀剂图案的稳定形成。}

公开(公告)号：WO2011081316A2

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：PCT/KR2010/008765

申请日：2010-12-08

Applicant: 제일모직 주식회사 ,  윤희찬 ,  김상균 ,  조현모 ,  김미영 ,  고상란 ,  정용진 ,  김종섭

Inventor： 윤희찬 ,  김상균 ,  조현모 ,  김미영 ,  고상란 ,  정용진 ,  김종섭

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/075

CPC classification number: G03F7/0752 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11

Abstract: 본 발명에서는 명세서에 기재된 화학식 1로 표시되는 구조단위 10 내지 40 몰%를 포함하는 유기실란계 축중합물 및 용매를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물이 제공된다. 이로써, 본 발명은 저장안정성 및 내에칭성이 우수한 레지스트 하층막을 제공하여 우수한 패턴을 전사할 수 있는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법을 제공할 수 있다.

Abstract translation: 提供了一种抗蚀剂底层的组合物，包括有机硅烷系缩聚化合物和溶剂。 如说明书中的化学式1所示，有机硅烷系缩聚化合物为10摩尔％〜40摩尔％的结构单元。 因此，本发明涉及使用具有优异的储存稳定性和耐蚀刻性的抗蚀剂的底层以及使用其制造半导体集成电路器件的方法，能够获得优异的图案转印性的抗蚀剂底层组合物 。