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公开(公告)号:WO2015190900A1
公开(公告)日:2015-12-17
申请号:PCT/KR2015/006039
申请日:2015-06-15
Applicant: 주식회사 유진테크 머티리얼즈
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 의한 성막용 전구체 화합물은, 상기 의 M은 주기율표상에서 4A족 또는 4B족에 속하는 금속 원소 중에서 선택된 어느 하나이며, m은 1 내지 5의 정수 중에서 선택된 어느 하나이고, L은 C 1 -C 5 의 알콕사이드기, C 1 -C 5 의 아미노기 또는 C 1 -C 5 의 다이알킬아미노기 중에서 선택된 어느 하나이다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施方案的用于成膜的前体化合物,其中在化学式(1)中,M是选自属于周期表的4A族或4B族的金属元素中的任何一种,m是选自 从整数1-5,L是选自C1-C5烷氧基,C1-C5氨基和C1-C5二烷基氨基中的任一种。
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公开(公告)号:WO2017086630A1
公开(公告)日:2017-05-26
申请号:PCT/KR2016/012456
申请日:2016-11-01
Applicant: 주식회사 유진테크 머티리얼즈
CPC classification number: C07F5/06 , C07F7/00 , C07F7/30 , C09D4/00 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L51/00
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 의한 전구체 조성물은, 유기 알루미늄 화합물, 유기 갈륨 화합물 또는 유기 게르마늄 화합물 중에서 선택된 어느 하나의 화합물과 유기 4족 화합물의 혼합물을 포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施方式的前体组合物包含有机铝化合物,有机镓化合物或有机锗化合物和有机第IV族化合物的混合物。 p>
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公开(公告)号:WO2016108398A1
公开(公告)日:2016-07-07
申请号:PCT/KR2015/009872
申请日:2015-09-21
Applicant: 주식회사 유진테크 머티리얼즈
IPC: C07F5/06 , H01L21/205
CPC classification number: C07F5/06 , H01L21/205
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 13족 전구체는 (R 1 R 2 N)M(L 1 L 2 )로 표시되며, 상기 M은 주기율표상에서 13족 원소에 속하는 금속 원소 중에서 선택된 어느 하나이며, 상기 L 1 및 L 2 는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 3 내지 6의 시클로 알킬기 중에서 선택된 어느 하나이며, 상기 R 1 및 R 2 는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 3 내지 6의 시클로 알킬기 중에서 선택된 어느 하나이다.
Abstract translation: 根据本发明一个实施方案的有机基团13前体表示为(R1R2N)M(L1L2),其中M选自属于周期图中第13族元素的金属,L1和L2独立地选自烷基 具有1至6个碳数的基团或具有3至6个碳数的环烷基,R 1和R 2独立地选自具有1至6个碳数的烷基或具有3至6个碳数的环烷基。
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公开(公告)号:WO2015142053A1
公开(公告)日:2015-09-24
申请号:PCT/KR2015/002628
申请日:2015-03-18
Applicant: 주식회사 유진테크 머티리얼즈
IPC: C07F7/30 , C07C211/14 , C23C14/26
CPC classification number: H01L21/02205 , C07F7/30 , C23C16/28 , C23C16/303 , C23C16/34 , C23C16/407 , C23C16/45553 , H01L21/02112 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 청구항 1 기재의 화학식 1로 표시되는 유기 게르마늄 아민 화합물 및 이 화합물을 전구체로서 이용하는 막 형성 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 상기 화합물을 전구체로서 사용하면 게르마늄 산화물막, 게르마늄 질화물막, 금속 게르마늄 산화물막, 또는 금속 게르마늄 질화물막 등을 효과적으로 증착 형성할 수 있다.
Abstract translation: 公开了由权利要求1所述的化学式1表示的有机锗胺化合物和使用该化合物作为前体的成膜方法。 当根据本发明的化合物用作前体时,可以通过沉积有效地形成氧化锗膜,氮化锗膜,金属氧化锗膜,金属锗氮化膜等。
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