公开(公告)号：WO2013127891A1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：PCT/EP2013/053986

申请日：2013-02-28

Applicant: AIXTRON SE

Inventor： LEIERS, Ralf ,  LÜNENBÜRGER, Markus ,  STRAUCH, Gerhard, Karl ,  SCHINELLER, Bernd ,  BÜCHEL, Karl-Heinz

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67 ,  C30B25/10 ,  G05D23/19

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  G05D23/1932 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Behandeln mindestens eines Substrates (105, 106, 107) in einer Prozesskammer (101) eines Reaktorgehäuses, wobei das ein oder mehrere Substrat (105, 106, 107) auf einem mit Heizelementen (109, 110, 111) beheizbaren Suszeptor (108) aufgelegt wird, wobei mit den Heizelementen (109, 110, 111) räumlich zugeordnete Zonen des Suszeptors (108) beheizt werden, denen jeweils Oberflächenzonen (112, 113, 113', 114) der zur Prozesskammer (101) weisenden Seite des Suszeptors (108) zugeordnet sind, wobei an einer Mehrzahl von Messpunkten mittels optischer Messsensoren (1 bis 35) Temperaturen der Oberflächenzonen (112, 113, 113', 114) und/oder des dort angeordneten mindestens einen Substrates (105, 106, 107) gemessen werden, und die mit den Sensoren (1 bis 35) ermittelten Messwerte einer Regeleinrichtung (115, 116, 117, 122) zugeführt werden, mit der die Heizleistung der Heizelemente (109, 110, 110', 111) geregelt wird. Zur Optimierung der Temperaturregelung wird vorgeschlagen, dass zur Regelung der Heizleistung der Heizelemente (109, 110, 110', 111) jeweils eine Kombination von Temperatur-Messwerten verwendet wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于在反应器外壳的工艺腔室（101），处理至少一个基板（105，106，107），其中在所述一个或多个基底（105，106，107）与加热元件（109，110，111） 可加热的感受器（108）放置，其特征在于，在空间上与基座（108）的区域相关联的所述加热元件（109，110，111）被加热时，其面向处理室的每个表面区域（112，113，113”，114）（101） 基座（108）的侧相关联，其中，在多个由光学测量传感器（1至35）的表面区域的温度来测量点（112，113，113”，114）和/或布置有至少一个衬底（105，106， 107）测得的，并用所述传感器（1至35）确定的测量值的控制装置（115，116，117，122）与所述加热元件（109，110的加热功率被提供，110”，111）被控制。 为了优化温度控制提出，用于控制加热输出（111 109，110，110“）中的加热元件的每一个包括温度读数的组合被使用。

公开(公告)号：WO2021140078A1

公开(公告)日：2021-07-15

申请号：PCT/EP2021/050037

申请日：2021-01-05

Applicant: AIXTRON SE

Inventor： LEIERS, Ralf

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: Die Erfindung betrifft einen CVD-Reaktor und ein Verfahren zur Steuerung/Regelung der Oberflächentemperatur von darin angeordneten Substraten, die auf Substrathalteelementen (3) liegen, welche beispielsweise von einem dynamischen Gaspolster (7) getragen werden, wobei nacheinander jeweils einem Substrathalteelement (3) zugeordnete Ist-Werte (Tn) der Oberflächentemperaturen gemessen werden und die Oberflächentemperaturen durch Variation der Höhe der Gaspolster (7) auf einen gemeinsamen Wert geregelt werden. Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, dass nach jeder Messung eines einem Substrathalteelement (3) zugeordneten gemessenen Ist-Wertes (Tn) der Oberflächentemperatur unter Verwendung jeweils nur des zuletzt gemessenen IstWertes (Tn) der Oberflächentemperatur jedes Substrathalteelementes (3) ein erster Mittel-Wert (MT) berechnet wird, durch Bildung einer Differenz des bei der Messung gemessenen Ist-Wertes (Tn) und dem ersten Mittel-Wert (MT) ein dem Substrathalteelement (3) zugeordneter Differenz-Wert (dTn) berechnet wird, und zu jedem der anderen Substrathalteelemente (3) jeweils durch Addition des zugeordneten Differenz-Wertes (dTn) zum ersten Mittel-Wert (MT) ein approximierter Ist-Wert (Tn') berechnet wird, der für die Steuerung/Regelung verwendet wird.