摘要:
Disclosed are polymers comprising at least one unit of formula (1), a process for their preparation, intermediates and electronic devices comprising these polymers as semiconducting material.
摘要:
The present invention relates to compounds of the formula (I) where R 1 and R 2 independently of each other, are selected from 1H,1H-C 2 -C 10 - perfluoroalkyl and 1H,1H,2H,2H-C 3 -C 10 -perfluoroalkyl,except for the compound of formula (I), where R 1 and R 2 are both 1H,1H-perfluorobutyl, and to their use, especially as an n-type semiconductor.
摘要:
Polymers comprising at least one unit of formula (1) wherein n is 0 or 1, m and p are independently from each other 0,1,2,3,4,5 or 6, provided that the sum of n, m and p is at least 2, and n and p are not 0 at the same time, Ar 1 and Ar 2 are independently from each other C 6-14 -arylene or C 6-14 -aryl,which may be substituted with 1 to 4 substituents independently selected from the group consisting of C 1-30 -alkyl, C 2-30 -alkenyl, C 2-30 -alkynyl, C 5-8 -cycloalkyl, C 6-14 -aryl and 5 to 14 membered heteroaryl, and X 1 ,X 2 and X 3 are independently from each other and at each occurrence O or S, compositions comprising these polymers, and electronic devices comprising a layer formed from the compositions. Preferably, the electronic device is an organic field effect transistor and the layer is the dielectric layer.
摘要:
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von ϒ-Cäsium-Zinn-Iodid aus einer Cäsium-Zinn-Iodid-Lösung, wobei das Lösungsmittel abgedampft und das Cäsium-Zinn-Iodid anschließend thermisch behandelt wird, sowie auf einen lösungsmittelbasierten Auftrag von ϒ-Cäsium-Zinn-Iodid, Cs 1-x A x B 1-y C y I 3 , Bi 1-x MI 3-y X y oder Bismuthiodid auf ein Substrat und die Verwendung als Halbleitermaterial in Transistorstrukturen, wobei eine CsSnI 3 -Lösung, eine Cs 1-x A x B 1-y C y I 3-z X z -Lösung, eine Bi 1-x M x I 3-y X y -Lösung oder eine BiI 3 -Lösung auf ein Substrat mit Hilfe von Drucktechniken aufgebracht wird, wobei unter Verwendung von einer CsSnI 3 -Lösung der Auftrag unter inerter Atmosphäre und/oder Vakuum durchgeführt wird.