膜および該膜を含有する有機半導体素子
    10.
    发明申请
    膜および該膜を含有する有機半導体素子 审中-公开
    薄膜和有机半导体元件

    公开(公告)号:WO2015163207A1

    公开(公告)日:2015-10-29

    申请号:PCT/JP2015/061555

    申请日:2015-04-15

    摘要:  高分子化合物と、キャリア輸送性を有する低分子化合物とを含有する膜であって、 低分子化合物の含有量が、高分子化合物と低分子化合物との合計100質量部に対して、5~40質量部であり、 下記の測定方法Aにより特定される回折強度Aが3~50であり、 下記の測定方法Aにより特定される回折強度Aと、下記の測定方法Bにより特定される回折強度Bとの強度比(A/B)が30以下である膜。 (測定方法A) 薄膜X線回折法を用いたOut-of-plane測定法により得られたプロファイルにおいて、散乱ベクトルが1nm -1 ~5nm -1 の範囲内で最大の回折強度を、回折強度Aとする。 (測定方法B) 薄膜X線回折法を用いたIn-plane測定法により得られたプロファイルにおいて、散乱ベクトルが10nm -1 ~21nm -1 の範囲内で最大の回折強度を、回折強度Bとする。

    摘要翻译: 含有具有载流子传输性的低分子量化合物的薄膜和高分子量化合物,薄膜中低分子量化合物的含量相对于总共为100份为5-40质量份 所述高分子量化合物和低分子量化合物的质量比,通过测定方法(A)3-50所规定的衍射强度(A)的膜和强度比(A / B) 由测量方法(A)指定的衍射强度(A)和由测量方法(B)指定的衍射强度(B)为30以下。 (测定方法(A))衍射强度(A)是通过使用薄膜的平面外测量方法获得的轮廓中的1nm-1-5nm-1范围内的散射矢量的最大衍射强度, 薄膜X射线衍射。 (测定方法(B))衍射强度(B)是通过使用薄膜X的面内测量方法获得的轮廓中的10nm-1-21nm-1范围内的散射矢量的最大衍射强度 射线衍射。