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公开(公告)号:WO2017223407A1
公开(公告)日:2017-12-28
申请号:PCT/US2017/038945
申请日:2017-06-23
IPC分类号: C07D333/38 , C07D409/00 , C08G61/12 , H01L51/42
CPC分类号: C07D421/14 , C07D403/14 , C07D413/14 , C07D417/14 , C08G61/126 , C08G2261/1426 , C08G2261/146 , C08G2261/3223 , C08G2261/3225 , C08G2261/3246 , C08G2261/364 , C08G2261/411 , C08G2261/414 , C08G2261/91 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/0053 , H01L51/0058 , H01L51/4253 , H01L2251/308 , Y02E10/549
摘要: The present invention is a conjugated polymer that contains both Unit (I) and Unit (II) is shown below: X, in each occurrence, is independently selected from S or Se. M 1 and M 2 are independently selected from H or F. R 1 and R 2 are independently selected from straight-chain, branched or cyclic alkyl groups with 1-40 C atoms. The number ratio of Unit (I) and Unit (II) in the polymer chain ranges from 9: 1 to 1 :9.
摘要翻译: 本发明是含有单元(I)和单元(II)两者的共轭聚合物,如下所示:X在每次出现时独立地选自S或Se。 M 1和M 2独立地选自H或F.R 1和R 2独立地选自 具有1-40个C原子的直链,支链或环状烷基。 聚合物链中的单元(I)和单元(II)的数量比为9:1至1:9。 p>
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公开(公告)号:WO2017127613A1
公开(公告)日:2017-07-27
申请号:PCT/US2017/014235
申请日:2017-01-20
发明人: YAN, He , ZHAO, Jingbo
CPC分类号: H01L51/0046 , C08G61/123 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/146 , C08G2261/18 , C08G2261/3223 , C08G2261/3246 , C08G2261/414 , C08G2261/91 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/0558 , H01L51/42 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , C08K3/045 , C08L65/00
摘要: Organic semiconductor formulations are disclosed. One of the formulations comprises a single or mixture of non-halogenated, hydrocarbon solvent, a conjugated polymer donor and a fullerene or small molecular acceptor, wherein the conjugated polymer contains branched alkyl chains with 21 or more carbon atoms. In addition, organic semiconductor film forming methods and applications using of the above-mentioned formulations are disclosed.
摘要翻译: 公开了有机半导体配方。 其中一种配方包含单一或非卤化烃溶剂,共轭聚合物供体和富勒烯或小分子受体的混合物,其中共轭聚合物包含具有21个或更多个碳原子的支链烷基链。 另外,公开了使用上述制剂的有机半导体膜形成方法和应用。 p>
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公开(公告)号:WO2017019964A1
公开(公告)日:2017-02-02
申请号:PCT/US2016/044730
申请日:2016-07-29
发明人: DONG, Guangbin , LI, Gang , YOON, Ki-Young
CPC分类号: C07C25/18 , C01B32/182 , C01B32/184 , C01B2204/06 , C07C1/321 , C07C5/42 , C07C63/46 , C07C2603/54 , C07D209/48 , C07D249/16 , C07D249/18 , C07D285/14 , C08G61/10 , C08G61/123 , C08G2261/1336 , C08G2261/1412 , C08G2261/314 , C08G2261/3246 , C07C15/14 , C07C15/20
摘要: Disclosed are graphitic compounds, for example nanographenes and graphene nanoribbons, and precursors thereof. The compounds described can, for example, have a bandgap energy of from 0.5 eV to 2.5 eV. Also disclosed are methods of making the compounds described herein, for example by performing a Suzuki Miyaura coupling reaction between an aryl bromide and an aryl boronate ester, and/or by performing a cyclodehydrogenation. Also disclosed herein are devices comprising any of the compounds described herein.
摘要翻译: 公开了石墨化合物,例如纳米磨料和石墨烯纳米带,及其前体。 所描述的化合物可以例如具有0.5eV至2.5eV的带隙能量。 还公开了制备本文所述化合物的方法,例如通过在芳基溴和芳基硼酸酯之间进行Suzuki Miyaura偶联反应和/或通过进行环化氢化。 本文还公开了包含本文所述的任何化合物的装置。
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公开(公告)号:WO2016158862A1
公开(公告)日:2016-10-06
申请号:PCT/JP2016/059935
申请日:2016-03-28
申请人: 東レ株式会社
IPC分类号: H01L29/861 , C08G61/12 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/868 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号: H01L51/0048 , C08G61/123 , C08G61/126 , C08G2261/1412 , C08G2261/1424 , C08G2261/1426 , C08G2261/1428 , C08G2261/148 , C08G2261/149 , C08G2261/164 , C08G2261/226 , C08G2261/228 , C08G2261/312 , C08G2261/314 , C08G2261/3142 , C08G2261/3222 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/3327 , C08G2261/3422 , C08G2261/51 , C08G2261/90 , G06K19/0723 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L51/0036 , H01L51/05 , H01L51/0575 , H01Q1/2225 , H01Q1/248 , H01Q1/368 , C08K3/041 , C08L65/00
摘要: 絶縁性基材と、前記絶縁性基材の第1表面に設けられた、(a)第一の電極と第二の電極からなる一対の電極と、(b)前記一対の電極間に設けられた半導体層とを備える整流素子であって、前記(b)半導体層が、カーボンナノチューブ表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体を含む整流素子。簡便なプロセスで、優れた整流作用を示す整流素子を提供する。
摘要翻译: 提供一种整流元件,其具有绝缘基底,(a)由第一电极和第二电极构成的一对电极,(b)配置在该对电极之间的半导体层,所述(a)和( b)设置在绝缘基座的第一表面上。 整流元件被配置为使得半导体层(b)含有碳纳米管复合体,其中共轭共聚物粘附到碳纳米管的表面的至少一部分上。 本发明提供一种通过简单的方法具有优异的整流行为的整流元件。
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公开(公告)号:WO2016148169A1
公开(公告)日:2016-09-22
申请号:PCT/JP2016/058256
申请日:2016-03-16
申请人: 富士フイルム株式会社
发明人: 北村 哲
IPC分类号: H01L51/30 , C08L65/00 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC分类号: H01L51/0036 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/1424 , C08G2261/314 , C08G2261/3222 , C08G2261/3223 , C08G2261/3225 , C08G2261/3241 , C08G2261/3243 , C08G2261/3245 , C08G2261/3246 , C08G2261/334 , C08G2261/344 , C08G2261/414 , C08G2261/512 , C08G2261/514 , C08G2261/59 , C08G2261/592 , C08L65/00 , C09D165/00 , H01L29/786 , H01L51/0003 , H01L51/0035 , H01L51/0043 , H01L51/05 , H01L51/052 , H01L51/0545 , H01L51/0566 , C08L25/02
摘要: 本発明の目的は、キャリア移動度が高く、移動度のバラツキが抑制され、高温高湿下での経時安定性に優れた有機半導体素子及びその製造方法を提供すること、有機半導体として好適な新規な化合物を提供すること、並びに、高移動度であり、移動度のバラツキが抑制され、高温高湿下での経時安定性に優れた有機半導体膜及びその製造方法、並びに、上記有機半導体膜を好適に形成することができる有機半導体組成物を提供することがである。 本発明の有機半導体素子は、式1で表される構成繰り返し単位を有する、分子量2,000以上の化合物を含有する有機半導体層を有することを特徴とする。
摘要翻译: 本发明的目的是提供一种在高温高湿下具有高载流子迁移率,抑制迁移率变动和优异的稳定性的有机半导体元件及其制造方法。 提供适合作为有机半导体的新型化合物; 并提供具有高迁移率,抑制迁移率的变化和在高温和高湿度下随时间优异的稳定性的有机半导体膜及其制造方法,以及可适当地用于形成 有机半导体膜。 该有机半导体元件的特征在于包括含有分子量为2,000以上的化合物的有机半导体层,并且具有由式1表示的结构重复单元。
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公开(公告)号:WO2016037678A1
公开(公告)日:2016-03-17
申请号:PCT/EP2015/001661
申请日:2015-08-12
IPC分类号: C08K3/04 , C08G61/12 , C09D165/00 , C08L65/00
CPC分类号: C08G61/126 , C08G61/123 , C08G2261/12 , C08G2261/1412 , C08G2261/1424 , C08G2261/18 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/344 , C08G2261/414 , C08G2261/91 , C08G2261/92 , C08G2261/95 , C08K3/045 , C08L65/00 , C09D165/00 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0043 , H01L51/4253 , H01L2251/308 , Y02E10/549
摘要: The invention relates to novel conjugated polymers containing one or more units based on dithieno[3,2-c;2',3'-e]azepine-4,6-dione that is fused to further aromatic rings, to methods for their preparation and educts or intermediates used therein, to polymer blends, mixtures and formulations containing them, to the use of the polymers, polymer blends, mixtures and formulations as organic semiconductors in, or for the preparation of, organic electronic (OE) devices, especially organic photovoltaic (OPV) devices and organic photodetectors (OPD), and to OE, OPV and OPD devices comprising, or being prepared from, these polymers, polymer blends, mixtures or formulations.
摘要翻译: 本发明涉及含有一个或多个基于与其它芳环稠合的二噻吩并[3,2-c; 2',3'-e]吖庚因-4,6-二酮的单元的新型共轭聚合物,其制备方法 聚合物共混物,混合物和配方作为有机半导体在有机电子(OE)器件中,尤其是有机电子(OE)器件)的制备中的应用 光伏(OPV)器件和有机光电探测器(OPD),以及包括或由这些聚合物,聚合物共混物,混合物或制剂制备的OE,OPV和OPD器件。
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公开(公告)号:WO2016025632A1
公开(公告)日:2016-02-18
申请号:PCT/US2015/044906
申请日:2015-08-12
申请人: POLYERA CORPORATION
CPC分类号: H01L51/0036 , C07D285/14 , C07D417/14 , C07D495/04 , C07F7/0816 , C08G61/123 , C08G61/126 , C08G2261/12 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/1424 , C08G2261/146 , C08G2261/149 , C08G2261/228 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/414 , C08G2261/91 , C08G2261/92 , C08K3/045 , C08L65/00 , H01L51/0043 , H01L51/0047 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , C08K3/04
摘要: The present invention relates to new semiconducting compounds having at least one optionally substituted benzo[d][1,2,3]thiadiazole moiety. The compounds disclosed herein can exhibit high carrier mobility and/or efficient light absorption/emission characteristics, and can possess certain processing advantages such as solution-processability and/or good stability at ambient conditions.
摘要翻译: 本发明涉及具有至少一个任选取代的苯并[d] [1,2,3]噻二唑部分的新的半导体化合物。 本文公开的化合物可以表现出高的载流子迁移率和/或有效的光吸收/释放特性,并且可以具有某些加工优点,例如在环境条件下的溶液加工性和/或良好的稳定性。
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公开(公告)号:WO2016013460A1
公开(公告)日:2016-01-28
申请号:PCT/JP2015/070235
申请日:2015-07-15
申请人: 住友化学株式会社
IPC分类号: C08G61/12 , C07D495/02 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/46 , H01L51/50
CPC分类号: C07D495/14 , C07D495/02 , C07D495/22 , C07F5/025 , C07F7/2212 , C08G61/12 , C08G61/123 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/314 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/411 , C08G2261/51 , C08G2261/92 , H01L29/786 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/0074 , H01L51/0508 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/42 , H01L51/50
摘要: 式(1)で表される構造単位を含む高分子化合物。環Aおよび環Bは、複素環を表す。環Cは、線対称軸及び回転軸を有していない縮合した芳香族複素環を表す。Z 1 およびZ 2 は、式(Z-1)で表される基、式(Z-2)で表される基、式(Z-3)で表される基、式(Z-4)で表される基、式(Z-5)で表される基、式(Z-6)で表される基、または式(Z-7)で表される基を表す。Rは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリール基または1価の複素環基を表す。〕
摘要翻译: 含有由式(1)表示的结构单元的高分子化合物。 [环A和环B独立地表示杂环; 环C表示没有线对称轴或旋转轴的稠合芳族杂环; Z 1和Z 2独立地表示由式(Z-1)表示的基团,由式(Z-2)表示的基团,由式(Z-3)表示的基团,由式(Z-4)表示的基团, 由式(Z-5)表示的基团,由式(Z-6)表示的基团或由式(Z-7)表示的基团; R表示烷基,环烷基,烷氧基,环烷氧基,烷硫基,环烷硫基,芳基或1价杂环基。
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公开(公告)号:WO2016005891A1
公开(公告)日:2016-01-14
申请号:PCT/IB2015/055118
申请日:2015-07-07
发明人: MCCULLOCH, Iain , MEAGER, Iain , SCHROEDER, Bob , HAYOZ, Pascal , FLORES, Jean-Charles , MATHAUER, Klemens , BUJARD, Patrice , KÄLBLEIN, Daniel
IPC分类号: C07D495/14 , C08G61/12 , H01L51/05 , H01L51/00 , H01B1/12
CPC分类号: H01L51/0036 , C08G61/124 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/314 , C08G2261/3223 , C08G2261/3246 , C08G2261/344 , C08G2261/411 , C08G2261/414 , C08G2261/512 , C08G2261/514 , C08G2261/516 , C08G2261/91 , C08G2261/92 , C08G2261/95 , H01L51/0035 , H01L51/0043 , H01L51/0558
摘要: Disclosed are polymers comprising at least one unit of formula (1), a process for their preparation, intermediates and electronic devices comprising these polymers as semiconducting material.
摘要翻译: 公开了包含至少一种式(1)单元的聚合物,其制备方法,中间体和包含这些聚合物作为半导体材料的电子器件。
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公开(公告)号:WO2015163207A1
公开(公告)日:2015-10-29
申请号:PCT/JP2015/061555
申请日:2015-04-15
申请人: 住友化学株式会社
CPC分类号: H01L51/0036 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/3246 , C08G2261/411 , C08G2261/92 , C08K5/45 , C08K5/54 , C08K5/5406 , C08K2201/001 , C08L65/00 , C09D5/24 , C09D7/63 , C09D165/00 , H01L29/80 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/05 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0554 , H01L51/0566 , H01L51/057 , Y02E10/549
摘要: 高分子化合物と、キャリア輸送性を有する低分子化合物とを含有する膜であって、 低分子化合物の含有量が、高分子化合物と低分子化合物との合計100質量部に対して、5~40質量部であり、 下記の測定方法Aにより特定される回折強度Aが3~50であり、 下記の測定方法Aにより特定される回折強度Aと、下記の測定方法Bにより特定される回折強度Bとの強度比(A/B)が30以下である膜。 (測定方法A) 薄膜X線回折法を用いたOut-of-plane測定法により得られたプロファイルにおいて、散乱ベクトルが1nm -1 ~5nm -1 の範囲内で最大の回折強度を、回折強度Aとする。 (測定方法B) 薄膜X線回折法を用いたIn-plane測定法により得られたプロファイルにおいて、散乱ベクトルが10nm -1 ~21nm -1 の範囲内で最大の回折強度を、回折強度Bとする。
摘要翻译: 含有具有载流子传输性的低分子量化合物的薄膜和高分子量化合物,薄膜中低分子量化合物的含量相对于总共为100份为5-40质量份 所述高分子量化合物和低分子量化合物的质量比,通过测定方法(A)3-50所规定的衍射强度(A)的膜和强度比(A / B) 由测量方法(A)指定的衍射强度(A)和由测量方法(B)指定的衍射强度(B)为30以下。 (测定方法(A))衍射强度(A)是通过使用薄膜的平面外测量方法获得的轮廓中的1nm-1-5nm-1范围内的散射矢量的最大衍射强度, 薄膜X射线衍射。 (测定方法(B))衍射强度(B)是通过使用薄膜X的面内测量方法获得的轮廓中的10nm-1-21nm-1范围内的散射矢量的最大衍射强度 射线衍射。
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