公开(公告)号：WO2017045135A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：PCT/CN2015/089658

申请日：2015-09-15

Applicant: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.

Inventor： XIE, Dini ,  WANG, Meili ,  XU, Xianbin ,  YAN, Liangchen ,  ZHANG, Xiaojin

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/473 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869

Abstract: A method for forming a thin film transistor array substrate (110) comprises forming an active layer (140) using a zinc target under an environment of oxygen and nitrogen in a sputtering chamber, and forming a source/drain buffer layer (151/152) on the active layer (140) using the zinc target by a sputtering process in the sputtering chamber under an environment containing one of oxygen and nitrogen. A thin film transistor array substrate (110) comprises an active layer (140), a source/drain buffer layer (151/152) on and in contact with the active layer (140), wherein the active layer (140) is made of oxynitride compound of zinc, and the source/drain buffer layer (151/152) is made of one of an oxide and a nitride of zinc. A display device comprising the thin film transistor array substrate (110) is also provided.

Abstract translation: 一种形成薄膜晶体管阵列基板（110）的方法包括：在溅射室内，在氧和氮环境下使用锌靶形成有源层（140），形成源/漏缓冲层（151/152） 在包含氧和氮的环境的环境中，通过溅射工艺在溅射室中使用锌靶在有源层（140）上。 薄膜晶体管阵列基板（110）包括有源层（140），与有源层（140）接触并与其接触的源极/漏极缓冲层（151/152），其中有源层（140）由 锌的氮氧化物化合物和源极/漏极缓冲层（151/152）由锌的氧化物和氮化物之一构成。 还提供了包括薄膜晶体管阵列基板（110）的显示装置。