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    PASSIVATION OF METALLIC IMPURITIES IN A SINGLE CRYSTALLINE REGION BY HYDROGENATION
    3.
    发明申请
    PASSIVATION OF METALLIC IMPURITIES IN A SINGLE CRYSTALLINE REGION BY HYDROGENATION 审中-公开
    通过加氢处理单晶区域金属污染问题

    公开(公告)号：WO2016102990A1

    公开(公告)日：2016-06-30

    申请号：PCT/IB2014/003118

    申请日：2014-12-22

    Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

    Inventor： DUBOIS, Sébastien ,  ENJALBERT, Nicolas ,  GARANDET, Jean-Paul ,  MARTEL, Benoît ,  TURMAGAMBETOV, Tleuzhan ,  VEIRMAN, Jordi

    IPC: H01L31/18

    CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    Abstract: Substrate comprising at least a single-crystalline silicon region having a thickness between two opposite faces, characterized in that said region has, in a vertical cross-section plan, a hydrogen rich zone which extends from at least a surface of one of the two opposite faces, in the vertical direction over at least 50 % of the thickness of said single crystalline region, and in which the average dislocation density is greater than or equal to 10 3 cm -2 , and characterized in that a part of the surface of one of the two opposite faces of the said region facing to the hydrogen rich zone comprises strain high areas separated by a strain low area, the distance between two successive strain high areas being comprised between 5 μm and 50% of said thickness of said single crystalline silicon region.

    Abstract translation: 至少包括在两个相对面之间具有厚度的单晶硅区的衬底，其特征在于，所述区域在垂直截面图中具有富氢区，该富氢区从两个相对面之一的至少一个表面延伸 在所述单晶区域的厚度的至少50％上在垂直方向上的平面位错密度大于或等于103cm -2，其特征在于，其中一个表面的一部分 面对富氢区的所述区域的两个相对面包括通过应变低区域分开的应变高区域，两个连续应变高区域之间的距离在所述单晶硅区域的所述厚度的5％和50％之间 。

    DÉTERMINATION DES TENEURS EN DOPANTS DANS UN ÉCHANTILLION DE SILICIUM COMPENSÉ
    5.
    发明申请
    DÉTERMINATION DES TENEURS EN DOPANTS DANS UN ÉCHANTILLION DE SILICIUM COMPENSÉ 审中-公开
    确定补偿性硅样品的含量

    公开(公告)号：WO2013014342A1

    公开(公告)日：2013-01-31

    申请号：PCT/FR2012/000299

    申请日：2012-07-20

    Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  DUBOIS, Sébastien ,  ENJALBERT, Nicolas ,  VEIRMAN, Jordi

    Inventor： DUBOIS, Sébastien ,  ENJALBERT, Nicolas ,  VEIRMAN, Jordi

    IPC: G01N27/04 ,  C30B29/06

    CPC classification number: G01N27/041 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00

    Abstract: Le procédé de détermination des concentrations en impuretés dopantes dans un échantillon de silicium comprend la prévision d'un lingot de silicium comportant des impuretés dopantes de type donneur et des impuretés dopantes de type accepteur, une étape (F1) de détermination de la position d'une première zone du lingot, dans laquelle s'effectue une transition entre un premier type de conductivité et un second type de conductivité opposé, une étape (F2) de mesure de la concentration en porteurs de charge libres dans une seconde zone du lingot, distincte de la première zone, par effet Hall, par spectroscopie infrarouge à transformée de Fourrier ou par une méthode faisant intervenir la durée de vie des porteurs de charge, et une étape (F3) de détermination des concentrations en impuretés dopantes dans l'échantillon à partir de la position de la première zone et de la concentration en porteurs de charge libres dans la seconde zone du lingot.

    Abstract translation: 确定硅样品中掺杂剂杂质浓度的方法包括提供包括施主型掺杂剂杂质和受主型掺杂杂质的硅锭，步骤（F1），用于确定锭的第一区的位置，其中 发生第一导电类型和第二相反导电类型之间的转变;步骤（F2），用于使用霍尔效应来测量与第一区分离的锭的第二区中的自由电荷载流子的浓度，傅里叶 变换红外光谱或使用电荷载流子的寿命的方法，以及步骤（F3），用于基于第一区的位置和第二区中的自由电荷载流子的浓度来确定样品中掺杂剂杂质的浓度 锭。

    SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR MONOLITHIQUE À BASE DE SILICIUM, DIVISÉ EN SOUS-CELLULES
    6.
    发明申请
    SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR MONOLITHIQUE À BASE DE SILICIUM, DIVISÉ EN SOUS-CELLULES 审中-公开
    基于硅的单晶半导体衬底，分为子电池

    公开(公告)号：WO2014136083A1

    公开(公告)日：2014-09-12

    申请号：PCT/IB2014/059498

    申请日：2014-03-06

    Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

    Inventor： VESCHETTI, Yannick ,  DUBOIS, Sébastien ,  ENJALBERT, Nicolas ,  GARANDET, Jean-Paul ,  VEIRMAN, Jordi

    IPC: H01L21/761

    CPC classification number: H01L21/761 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    Abstract: La présente invention concerne un substrat semi-conducteur monolithique (10) à base de silicium, divisé verticalement en sous-cellules isolées les unes des autres, comprenant un base (1) en silicium de type p ou de type n présentant une concentration en oxygène interstitiel comprise entre 1017 et 2.1018 cm"3, et intégrant au niveau d'au moins une de ses faces des caissons surdopés n+ et/ou p+ non contigus les uns par rapport aux autres, caractérisé en ce qu'au moins une zone du substrat, intercalée entre deux caissons successifs et s'étendant sur toute l'épaisseur (e) du substrat, est une zone d'isolation électrique (3) présentant une concentration en donneurs thermiques à base d'oxygène interstitiel distincte de celle de la base (1). Elle concerne encore des procédés de fabrication d'un tel substrat.

    Abstract translation: 本发明涉及一种基于硅的整体式半导体衬底（10），其垂直分成彼此隔离的子电池，包括具有间隙氧浓度的p型或n型硅基底（1） 在1017和2.1018cm 3之间，并且在其至少一个面上包括相对于彼此不连续的n +和/或p +超掺杂盒，其特征在于，插入在两个之间的至少一个衬底区域 连续的盒子并且在衬底的整个厚度上延伸，是具有基于不同于基底（1）的间隙氧的热供体浓度的电绝缘区域（3），本发明还涉及生产这种衬底的方法 。

    PROCEDE DE TRAITEMENT DE CELLULES PHOTOVOLTAIQUES CONTRE LA DIMINUTION DU RENDEMENT LORS DE L'ECLAIREMENT.
    7.
    发明申请
    PROCEDE DE TRAITEMENT DE CELLULES PHOTOVOLTAIQUES CONTRE LA DIMINUTION DU RENDEMENT LORS DE L'ECLAIREMENT. 审中-公开
    在照明过程中处理光伏电池降低效率的方法

    公开(公告)号：WO2011027045A2

    公开(公告)日：2011-03-10

    申请号：PCT/FR2010/000578

    申请日：2010-08-19

    Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  DUBOIS, Sébastien ,  ENJALBERT, Nicolas ,  GARANDET, Jean-Paul ,  VEIRMAN, Jordi

    Inventor： DUBOIS, Sébastien ,  ENJALBERT, Nicolas ,  GARANDET, Jean-Paul ,  VEIRMAN, Jordi

    IPC: H01L31/18

    CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L21/3225 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    Abstract: L'invention propose un procédé de traitement de cellules photovoltaïques contre la dégradation du rendement lors de l'éclairement, permettant de réduire la durée de traitement tout en améliorant la stabilité de l'état « régénéré » à des températures supérieures à 170°C. A cette fin, l'invention se rapporte à un procédé de traitement de cellules photovoltaïques contre la dégradation du rendement lors de l'éclairement, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : - fournir un substrat en silicium dopé au bore et comprenant des dimères d'oxygène pour former une cellule photovoltaïque; - chauffer ce substrat à une température comprise entre 300°C et 500°C pendant une durée de traitement déterminée; - polariser en direct la cellule photovoltaïque à une différence de potentiel déterminée pendant ladite durée de traitement déterminée.

    Abstract translation: 本发明涉及一种在照明过程中对光伏电池的效率损失进行处理的方法，允许在“再生”状态下的稳定性提高至170℃以上的温度的同时降低处理时间。 为此，本发明涉及一种用于在照明期间对光伏电池的效率损失进行处理的方法，所述方法包括以下步骤：获得含有氧二聚体的硼掺杂硅衬底以形成光伏电池，将衬底加热至 温度在300℃和500℃之间，以预定的处理时间，并且以预定的电位差将光伏电池直接偏振预定的处理时间。

    PROCEDE DE FORMATION D'UN LINGOT EN SILICIUM DOPÉ DE RESISTIVITE UNIFORME.
    8.
    发明申请
    PROCEDE DE FORMATION D'UN LINGOT EN SILICIUM DOPÉ DE RESISTIVITE UNIFORME. 审中-公开
    形成均匀电阻率的掺硅的方法

    公开(公告)号：WO2014064347A1

    公开(公告)日：2014-05-01

    申请号：PCT/FR2013/000276

    申请日：2013-10-23

    Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

    Inventor： VEIRMAN, Jordi ,  DUBOIS, Sébastien ,  ENJALBERT, Nicolas

    IPC: C30B29/06 ,  C30B33/02

    CPC classification number: C30B33/02 ,  B28D1/22 ,  B28D5/0011 ,  C30B29/06 ,  F27D19/00 ,  F27D21/00 ,  G01N27/041

    Abstract: Un procédé de formation de lingot en silicium comprend les étapes suivantes : prévoir (F1) un lingot en silicium de résistivité électrique variable et contenant de l'oxygène interstitiel, déterminer (F2) la concentration en oxygène interstitiel en différentes zones du lingot en silicium, calculer (F3) la concentration en donneurs thermiques à créer dans les différentes zones pour atteindre une valeur cible de la résistivité électrique, et soumettre (F5) les différentes zones du lingot en silicium à un recuit de manière à former les donneurs thermiques. La température du recuit dans chaque zone est déterminée (F4) à partir des concentrations en donneurs thermiques et en oxygène interstitiel de la zone et d'une durée de recuit prédéterminée.

    Abstract translation: 一种形成硅锭的方法，包括以下步骤：提供（F1）可变电阻率并包含间隙氧的硅锭，确定（F2）硅锭不同区域中间隙氧的浓度，计算（F3） 在不同区域产生的热供体的浓度以达到目标电阻率值，并且（F5）硅锭的不同区域退火以形成热供体。 从区域内的热供体和间隙氧的浓度以及预定的退火时间来确定每个区域的退火温度（F4）。

    PROCEDE DE DETERMINATION DE LA CONCENTRATION EN OXYGENE INTERSTITIEL
    9.
    发明申请
    PROCEDE DE DETERMINATION DE LA CONCENTRATION EN OXYGENE INTERSTITIEL 审中-公开
    确定间质氧浓度的方法

    公开(公告)号：WO2012140340A1

    公开(公告)日：2012-10-18

    申请号：PCT/FR2012/000144

    申请日：2012-04-13

    Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  VEIRMAN, Jordi ,  DUBOIS, Sébastien ,  ENJALBERT, Nicolas

    Inventor： VEIRMAN, Jordi ,  DUBOIS, Sébastien ,  ENJALBERT, Nicolas

    IPC: G01N25/00 ,  G01N27/04 ,  H01L21/66

    CPC classification number: G01N27/041 ,  G01J3/42 ,  G01N27/125 ,  H01L21/3225 ,  H01L22/12

    Abstract: Un procédé de détermination de la concentration en oxygène interstitiel d'un échantillon en matériau semi-conducteur dopé de type p comprend une étape de traitement thermique (F1) de l'échantillon pour former des donneurs thermiques, la détermination (F1) de la durée du traitement thermique (t) requise pour obtenir un matériau semi-conducteur compensé, la détermination (F2) de la concentration en donneurs thermiques (N DDT ) de l'échantillon en matériau semi-conducteur compensé, à partir de la concentration en porteurs de charge (p o ), et la détermination (F3) de la concentration en oxygène (C o ) à partir de la concentration en donneurs thermiques (N DDT ) et de la durée du traitement thermique (t).

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于确定由p掺杂半导体材料制成的样品的间隙氧浓度的方法，其包括样品的热处理（F1）步骤以形成热供体，确定（F1）热 获得补偿半导体材料所需的处理时间（t），从电荷载流子浓度（po）确定（F2）由补偿半导体材料制成的样品中的供体的浓度（NDDT），并确定（F3） 来自热供体浓度（NDDT）和热处理时间（t）的氧浓度（Co）。

    PROCEDE DE CARTOGRAPHIE DE LA CONCENTRATION EN OXYGENE
    10.
    发明申请
    PROCEDE DE CARTOGRAPHIE DE LA CONCENTRATION EN OXYGENE 审中-公开
    用于测定氧气浓度的方法

    公开(公告)号：WO2012028791A1

    公开(公告)日：2012-03-08

    申请号：PCT/FR2011/000482

    申请日：2011-08-30

    Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  VEIRMAN, Jordi ,  DUBOIS, Sébastien ,  ENJALBERT, Nicolas

    Inventor： VEIRMAN, Jordi ,  DUBOIS, Sébastien ,  ENJALBERT, Nicolas

    IPC: G01N27/04

    CPC classification number: G01N27/041 ,  G06F17/11

    Abstract: Un procédé de détermination de la concentration en oxygène d'un échantillon en matériau semi-conducteur comprend une étape de traitement thermique (F1) de l'échantillon pour former des donneurs thermiques, la mesure (F2) de la résistivité en une zone de l'échantillon, la détermination (F3) de la concentration en donneurs thermiques à partir d'une relation exprimant la mobilité des porteurs de charge en fonction d'une concentration en impuretés dopantes ionisées, en ajoutant à la concentration en impuretés dopantes quatre fois la concentration en donneurs thermiques, et de la valeur de résistivité mesurée. Le procédé comprend enfin la détermination (F4) de la concentration en oxygène à partir de la concentration en donneurs thermiques.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于确定半导体材料样品的氧浓度的方法，所述方法包括热处理（F1）样品以形成热供体的步骤，电阻率的测量（F2） 在样品的一个区域中，根据电离掺杂杂质的浓度，从表征载流子迁移率的关系中确定（F3）热供体的浓度，通过将掺杂杂质的浓度加入到热供体的四倍 浓度和测量的电阻率值。 该方法还包括从供体浓度测定（F4）氧浓度。

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