公开(公告)号：WO2014136082A1

公开(公告)日：2014-09-12

申请号：PCT/IB2014/059497

申请日：2014-03-06

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： GARANDET, Jean-Paul ,  DUBOIS, Sébastien ,  ENJALBERT, Nicolas ,  VEIRMAN, Jordi ,  VESCHETTI, Yannick

IPC: H01L31/0352 ,  H01L21/761 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L27/142 ,  H01L31/0687

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/761 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/047 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: La présente invention concerne une plaquette (10) de silicium monolithique, présentant, dans au moins un plan vertical de coupe, une alternance de zones (110) dopées n et de zones (120) dopées p, chacune des zones s'étendant sur toute l'épaisseur (e) de la plaquette, caractérisée en ce que : - lesdites zones dopées n (110) et dopées p (120) présentent chacune, dans le plan de coupe, une largeur (L 1 , L 2 ) d'au moins 1 mm; - les zones dopées n (110) présentent une concentration en donneurs thermiques à base d'oxygène distincte de celle des zones dopées p (120); et - lesdites zones dopées n (110) et lesdites zones dopées p (120) sont séparées entre elles par des zones d'isolation électrique (130). Elle concerne encore des procédés de fabrication d'une telle plaquette.

Abstract translation: 本发明涉及在至少一个垂直切割平面中具有交替的n掺杂区域（110）和p掺杂区域（120）的单片硅晶片（10），每个区域在整个厚度（e）上延伸， 的特征在于：所述n掺杂区域（110）和p掺杂区域（120）在切割平面中各自具有至少1mm的宽度（L1，L2）; - n掺杂区域（110）具有不同于p掺杂区域（120）的氧供体的浓度。 并且 - 所述n掺杂区域（110）和所述p掺杂区域通过电绝缘区域（130）彼此分离。 它还涉及生产这种晶片的方法。

公开(公告)号：WO2015063689A1

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：PCT/IB2014/065671

申请日：2014-10-28

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： GARANDET, Jean-Paul ,  CHAINTREUIL, Nicolas ,  DREVET, Béatrice ,  EUSTATHOPOULOS, Nicolas ,  FASIELLO, Annalaura ,  PILAT, Eric ,  VESCHETTI, Yannick

IPC: H01L27/142 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/03529 ,  H01L31/047 ,  Y02E10/50

Abstract: La présente invention concerne un substrat composite (1) à base de silicium, présentant, dans un plan vertical de coupe, des zones actives (10) de silicium dopé p et/ou dopé n, chacune des zones actives s'étendant sur toute l'épaisseur (e) du substrat, deux zones actives étant séparées entre elles par au moins une zone d'isolation électrique (20) formée d'un feuillard en carbure de silicium (21), brasé entre deux couches (22) de carbure de silicium adjacentes auxdites zones actives, par des joints de brasure (23).Elle concerne encore un procédé de fabrication d'un tel substrat composite.

Abstract translation: 本发明涉及一种在垂直截面中具有p掺杂和/或n掺杂硅的有源区（10）的硅基复合衬底（1），每个有源区延伸穿过整个厚度（e ），两个活性区域通过钎焊在邻近活性区域的两个碳化硅层（22）之间的碳化硅条（21）形成的至少一个电绝缘区（20）彼此分离，使用钎焊接头 （23）。 本发明还涉及这种复合基板的制造方法。

公开(公告)号：WO2011054915A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：PCT/EP2010/066863

申请日：2010-11-05

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  BETTINELLI, Armand ,  VESCHETTI, Yannick

Inventor： BETTINELLI, Armand ,  VESCHETTI, Yannick

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Procédé de réalisation d'au moins un conducteur électrique sur un matériau semi-conducteur (1), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : (E1) - dépôt par sérigraphie d'une première pâte haute température; (E2) - dépôt par sérigraphie d'une seconde pâte basse température au moins partiellement superposée à la première pâte haute température déposée lors de l'étape précédente.

Abstract translation: 用于在半导体材料（1）上制造至少一个电导体的工艺，其特征在于包括以下步骤：（E1）高温第一糊剂的丝网印刷沉积; 和（E2）丝网印刷沉积低温第二浆料至少部分地叠加在上一步沉积的高温第一糊剂上。

公开(公告)号：WO2014136083A1

公开(公告)日：2014-09-12

申请号：PCT/IB2014/059498

申请日：2014-03-06

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： VESCHETTI, Yannick ,  DUBOIS, Sébastien ,  ENJALBERT, Nicolas ,  GARANDET, Jean-Paul ,  VEIRMAN, Jordi

IPC: H01L21/761

CPC classification number: H01L21/761 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: La présente invention concerne un substrat semi-conducteur monolithique (10) à base de silicium, divisé verticalement en sous-cellules isolées les unes des autres, comprenant un base (1) en silicium de type p ou de type n présentant une concentration en oxygène interstitiel comprise entre 1017 et 2.1018 cm"3, et intégrant au niveau d'au moins une de ses faces des caissons surdopés n+ et/ou p+ non contigus les uns par rapport aux autres, caractérisé en ce qu'au moins une zone du substrat, intercalée entre deux caissons successifs et s'étendant sur toute l'épaisseur (e) du substrat, est une zone d'isolation électrique (3) présentant une concentration en donneurs thermiques à base d'oxygène interstitiel distincte de celle de la base (1). Elle concerne encore des procédés de fabrication d'un tel substrat.

Abstract translation: 本发明涉及一种基于硅的整体式半导体衬底（10），其垂直分成彼此隔离的子电池，包括具有间隙氧浓度的p型或n型硅基底（1） 在1017和2.1018cm 3之间，并且在其至少一个面上包括相对于彼此不连续的n +和/或p +超掺杂盒，其特征在于，插入在两个之间的至少一个衬底区域 连续的盒子并且在衬底的整个厚度上延伸，是具有基于不同于基底（1）的间隙氧的热供体浓度的电绝缘区域（3），本发明还涉及生产这种衬底的方法 。

公开(公告)号：WO2010057964A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：PCT/EP2009/065521

申请日：2009-11-20

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  GARANDET, Jean-Paul ,  FEDERZONI, Luc ,  VESCHETTI, Yannick

Inventor： GARANDET, Jean-Paul ,  FEDERZONI, Luc ,  VESCHETTI, Yannick

IPC: H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/03529 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Cellule photovoltaïque (100) comportant un substrat (102) à base de semi-conducteur d'un premier type de conductivité comportant deux faces principales (104, 106) parallèles l'une par rapport à l'autre, le substrat comprenant une pluralité de trous borgnes (108) dont des ouvertures sont disposées au niveau d'une seule (106) des deux faces principales, les trous borgnes étant remplis par un semi-conducteur (110) d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité formant l'émetteur de la cellule photovoltaïque, le substrat formant la base de la cellule photovoltaïque, la cellule comportant en outre des premiers doigts de collecte (112) à base d'un semi-conducteur du second type de conductivité en contact avec l'émetteur de la cellule photovoltaïque, et des seconds doigts de collecte (114) à base d'un semi-conducteur du premier type de conductivité en contact avec le substrat et interdigités avec les premiers doigts de collecte.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括基板（102）的光伏电池（100），该基板（102）包括具有第一导电类型并包括彼此平行的两个主表面（104,106）的半导体，所述基板包括多个盲孔 108），其具有仅位于两个主表面中的一个（106）的开口，盲孔填充有具有与第一导电类型相反的第二导电类型并限定光伏电池的发射器的半导体（110），以及 所述基板限定所述光伏电池的基座，其中所述电池还包括包含所述第二导电类型的半导体并与所述光伏电池的发射器接触的第一收集突片（112）和包含 第一导电类型的半导体，与基板接触并与第一收集片交叉指向。

公开(公告)号：WO2023041864A1

公开(公告)日：2023-03-23

申请号：PCT/FR2022/051713

申请日：2022-09-12

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： GAUME, Julien ,  FRANCOIS, Jérôme ,  COMMAULT, Benjamin ,  CHAMBION, Bertrand ,  VESCHETTI, Yannick

IPC: H01L31/048 ,  H01L31/049

Abstract: L'objet principal de l'invention est un module photovoltaïque (1) obtenu à partir d'un empilement comportant : une première couche (2) transparente formant la face avant; une pluralité de cellules photovoltaïques (4); un ensemble encapsulant (3) la pluralité de cellules (4); une deuxième couche (5) formant la face arrière. La première couche (2) comporte : une couche avant réalisée en au moins un matériau polymère (2a); au moins un ensemble avant (2b, 2c) comprenant une couche avant d'interface (2b) et une couche avant en verre (2c), la avec une épaisseur inférieure ou égale à 2 mm, ledit au moins un ensemble avant (2b, 2c) étant situé entre la couche avant polymère (2a) et l'ensemble encapsulant (3), et la couche avant d'interface (2b) dudit au moins un ensemble avant (2b, 2c) étant située entre la couche avant polymère (2a) et la couche avant en verre (2c).

公开(公告)号：WO2019224458A1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：PCT/FR2019/051114

申请日：2019-05-16

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： GAUME, Julien ,  GUERIN, Thomas ,  VESCHETTI, Yannick

IPC: H01L31/049 ,  H01L31/048

Abstract: L'objet principal de l'invention est un module photovoltaïque léger (1) comportant : une première couche (2) transparente formant la face avant, des cellules photovoltaïques (4), un ensemble encapsulant (3) les cellules photovoltaïques (4), et une deuxième couche (5), l'ensemble encapsulant (3) et les cellules photovoltaïques (4) étant situés entre les première (2) et deuxième (5) couches, caractérisé en ce que la première couche (2) comporte un matériau polymère et présente une épaisseur (e2) inférieure à 50 µm, en ce que la deuxième couche (5) comporte au moins un matériau composite de type préimprégné à base de résine polymère et de fibres, et présente un poids surfacique inférieur à 150 g/m², et en ce que l'ensemble encapsulant (3) présente une épaisseur maximale (e3) inférieure à 150 µm.

公开(公告)号：WO2015063688A1

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：PCT/IB2014/065670

申请日：2014-10-28

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： GARANDET, Jean-Paul ,  CHAINTREUIL, Nicolas ,  DREVET, Béatrice ,  EUSTATHOPOULOS, Nicolas ,  FASIELLO, Annalaura ,  PILAT, Eric ,  VESCHETTI, Yannick

IPC: H01L27/142 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L31/0475 ,  H01L21/76264 ,  Y02E10/50

Abstract: La présente invention concerne un substrat composite (1) à base de silicium, présentant, dans un plan vertical de coupe, des zones actives (10) de silicium dopé p et/ou dopé n, chacune des zones actives s'étendant sur toute l'épaisseur (e) du substrat, deux zones actives étant séparées entre elles par au moins une zone d'isolation électrique (20) comprenant une teneur massique en oxyde de silicium SiO 2 supérieure ou égale à 50 %. Elle concerne encore des procédés de fabrication d'un tel substrat composite.

Abstract translation: 本发明涉及一种在垂直截面中具有p掺杂和/或n掺杂硅的有源区（10）的硅基复合衬底（1），每个有源区延伸穿过整个厚度（e ），两个活性区通过至少一个具有大于或等于50％的氧化硅SiO 2的质量含量的电绝缘区（20）彼此分离。 本发明还涉及制备这种复合基材的方法。

公开(公告)号：WO2014037878A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：PCT/IB2013/058262

申请日：2013-09-03

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： GARANDET, Jean-Paul ,  CHAINTREUIL, Nicolas ,  FASIELLO, Annalaura ,  PILAT, Eric ,  VESCHETTI, Yannick

IPC: C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  H01J31/14 ,  H01J31/18 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/047 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une plaquette (10) en silicium monolithique à multi-jonctions verticales (2) présentant une alternance de zones dopées n et de zones dopées p, comprenant au moins les étapes consistant à : (i) disposer d'un bain liquide (100) comprenant du silicium, au moins un agent dopant de type n et au moins un agent dopant de type p; (ii) procéder à la solidification directionnelle du silicium selon une direction (I), en faisant varier les paramètres de convection-diffusion pour alterner la croissance de couches de silicium dopé n (101) et de couches de silicium dopé p (102); et (iii) découper une tranche (104), parallèlement à la direction (I), de la structure multicouche obtenue à l'issue de l'étape (ii), de manière à obtenir ladite plaquette (10) attendue.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造单片硅晶片（10）的方法，其包括具有n掺杂区域和p掺杂区域的交替的多个垂直结（2），至少包括以下步骤：（i）提供液体 包括硅，至少一种n型掺杂剂和至少一种p型掺杂剂的浴（100）; （ii）继续沿方向（I）定向凝固硅，改变其对流扩散参数，以交替n掺杂硅层（101）和p掺杂硅层（102）的生长。 以及（iii）切割平行于步骤（ii）结束时获得的多层结构的方向（I）的切片（104），以获得所述预期晶片（10）。