公开(公告)号：WO2018029419A1

公开(公告)日：2018-02-15

申请号：PCT/FR2017/052161

申请日：2017-08-01

Applicant: SOITEC ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： LANDRU, Didier ,  BEN MOHAMED, Nadia ,  KONONCHUK, Oleg ,  MAZEN, Frédéric ,  MASSY, Damien ,  REBOH, Shay ,  RIEUTORD, François

IPC: H01L21/762

Abstract: L'invention porte sur un procédé de transfert d'une couche utile (3) sur un support (4) comprenant les étapes de formation d'un plan de fragilisation (2) par implantation d'espèces légères dans un premier substrat (1), de manière à former une couche utile (3) entre ce plan et une surface du premier substrat (1); d'application du support (4) sur la surface du premier substrat (1) pour former un ensemble à fracturer (5); de traitement thermique de fragilisation de l'ensemble à fracturer (5); et d'initiation et propagation d'une onde de fracture dans le premier substrat (1) le long du plan de fragilisation (3). Selon l'invention, l'initiation de l'onde de fracture est située dans une zone centrale du plan de fragilisation (2) et la vitesse de propagation de cette onde est contrôlée pour présenter une vitesse suffisante. De la sorte, les interactions de l'onde de fracture avec des vibrations acoustiques émises lors de son initiation et/ou de sa propagation sont limitées à une zone périphérique de la couche utile (3).

Abstract translation:

本发明涉及一种方法 将有用层（3）转移到载体（4）上，该方法包括以下步骤：通过将这些元件注入第一基板（1）中来形成脆化面（2）; ），以这种方式 在该平面与第一衬底（1）的表面之间形成有用层（3）; 将支撑件（4）施加到第一基板（1）的表面以形成组件; 断裂（5）; 机组的脆化热处理; 断裂（5）; 以及沿着脆化面（3）在第一衬底（1）中开始并传播断裂波。 根据本发明，断裂波的起始位于弱化平面（2）的中心区域，并且该波的传播速度被控制以呈现足够的速度。 。 通过这种方式，在开始和/或传播期间断裂波与声振动的相互作用受到限制。 有用层（3）的区域。

公开(公告)号：WO2017072276A1

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：PCT/EP2016/076033

申请日：2016-10-28

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： TAUZIN, Aurélie ,  LAGOUTTE, Emmanuelle ,  MAZEN, Frédéric ,  PIEGAS LUCE, Flavia ,  REBOH, Shay

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: L'invention concerne un procédé de traitement d'un film mince (1) transféré d'un substrat donneur vers un substrat récepteur par fracture au niveau d'une zone du substrat donneur fragilisée par implantation ionique d'hydrogène, le procédé comprenant une étape d'amincissement du film mince transféré (1) pour éliminer une région de défauts résiduels (11) induits par l'implantation ionique d'hydrogène, et étant caractérisé en ce qu'il comprend, directement après la fracture et avant l'étape d'amincissement du film mince transféré, une étape de formation d'une couche de piégeage d'hydrogène (13) dans la région de défauts résiduels du film mince transféré (1). Un traitement thermique peut être mis en œuvre après formation de la couche de piégeage d'hydrogène et avant amincissement du film mince.

Abstract translation:

本发明涉及一种方法 用于治疗转染的薄膜（1） 从施主衬底到供体衬底的通过离子注入氢而脆化的区域的裂缝恢复衬底，去污方法 包括薄膜转移到身体的薄化步骤; （1）消除由离子注入氢引起的剩余事件（11）的区域，并且其特征在于 因为其在刚刚断裂之后且在薄膜转移的薄化步骤之前包括形成水凝胶形成层的步骤。 （13）在所转移的薄膜的残余缺陷区域中。 （1）。 在氢化层形成之后和薄膜变薄之前可以进行热处理。

公开(公告)号：WO2022117930A2

公开(公告)日：2022-06-09

申请号：PCT/FR2021/052047

申请日：2021-11-19

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  SOITEC

Inventor： LARREY, Vincent ,  REBOH, Shay ,  LE VAN-JODIN, Lucie ,  MILESI, Frédéric ,  ECARNOT, Ludovic ,  GAUDIN, Gweltaz ,  LANDRU, Didier

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256

Abstract: L'invention concerne un substrat donneur (100) pour le transfert d'une couche mince monocristalline (1) en un premier matériau, sur un substrat receveur (2), le substrat donneur (100) présentant une face avant (100a) et une face arrière (100b), et comprenant : - un plan fragile enterré (30) qui délimite une portion supérieure (101) et une portion inférieure (102) du substrat donneur (100), - dans la portion supérieure (101), une première couche (10) du côté de la face avant (100a), une deuxième couche (20) adjacente au plan fragile enterré (30), et une couche d'arrêt (15) intercalée entre la première couche (10) et la deuxième couche (20), la première couche (10) étant composée du premier matériau, la couche d'arrêt (15) étant formée en un deuxième matériau apte à procurer une gravure sélective par rapport au premier matériau, - une sous-portion amorphisée (101',101'',101'''), rendue amorphe par implantation ionique, présentant une épaisseur strictement inférieure à celle de la portion supérieure (101), et incluant au moins la première couche (10); la deuxième couche (20) comprenant au moins une sous-couche (22) monocristalline, adjacente au plan fragile enterré (30). L'invention concerne également deux modes de mise en œuvre d'un procédé de transfert d'une couche mince monocristalline (1) à partir du substrat donneur (100).