公开(公告)号：WO2014011782A3

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：PCT/US2013049941

申请日：2013-07-10

申请人： DOW CORNING ,  BRADFORD MICHAEL L

发明人： BRADFORD MICHAEL L ,  HARKNESS BRIAN R ,  HYUN DAESUP ,  SCHNEIDER RYAN F

IPC分类号： C08G65/00 ,  C08G65/336 ,  C09D4/00 ,  C09D171/00

CPC分类号： C09D5/16 ,  C08G65/007 ,  C08G65/336 ,  C08G77/46 ,  C08G2650/48 ,  C09D4/00 ,  C09D171/00 ,  C09D183/12

摘要： A composition comprises a perfluorinated solvent having at least one CF3 group selected from a perfluoropolyether solvent having a boiling point temperature of at least 120 °C at atmospheric pressure and a nitrogen-containing perfluorinated solvent. The composition further comprises a polyfluoropolyether silane. The composition forms layers having excellent physical properties, including durability and appearance, in addition to stain and smudge resistance.

摘要翻译： 组合物包含具有至少一种CF 3基团的全氟化溶剂，所述CF 3基团选自沸点温度在大气压下至少120℃的全氟聚醚溶剂和含氮全氟化溶剂。 该组合物还包含多氟聚醚硅烷。 该组合物除了耐污染和抗污染之外还形成具有优异物理性能的层，包括耐久性和外观。

公开(公告)号：WO2011011139A3

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：PCT/US2010039408

申请日：2010-06-22

申请人： DOW CORNING ,  BRADFORD MICHAEL L ,  MOYER ERIC SCOTT ,  WANG SHENG

发明人： BRADFORD MICHAEL L ,  MOYER ERIC SCOTT ,  WANG SHENG

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/0337 ,  C08G77/04 ,  G03F7/405 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/3122

摘要： A silsesquioxane resin is applied on top of the patterned photo-resist and cured to produce a cured silsesquioxane resin on top of the pattern surface. Subsequently, a reactive ion etch recipe containing CF4 to "etch back" the silicon resin to the top of the photoresist material, exposing the entire top surface of the organic based photoresist. Then, a second reactive ion etch recipe containing O2 to etch away the organic photoresist. The result is a silicon resin film with via holes with the size and shape of the post that were patterned into the photoresist. Optionally, the new pattern can be transferred into the underlying layer(s).

摘要翻译： 将倍半硅氧烷树脂施加在图案化的光致抗蚀剂上并固化以在图案表面的顶部上产生固化的倍半硅氧烷树脂。 随后，包含CF 4的反应离子蚀刻配方将硅树脂“回蚀”到光致抗蚀剂材料的顶部，暴露有机基光致抗蚀剂的整个顶部表面。 然后，包含O 2的第二反应离子蚀刻配方蚀刻掉有机光刻胶。 其结果是具有过孔的硅树脂膜，其具有图案化到光刻胶中的柱的尺寸和形状。 或者，可以将新模式传送到底层。

公开(公告)号：WO2014011771A3

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：PCT/US2013049924

申请日：2013-07-10

申请人： DOW CORNING

发明人： BRADFORD MICHAEL L ,  HYUN DAESUP ,  SCHNEIDER RYAN F

IPC分类号： C08G65/00 ,  C08G65/336 ,  C09D4/00 ,  C09D171/00

CPC分类号： C09D5/1687 ,  C08G65/007 ,  C08G65/336 ,  C08G77/46 ,  C08G2650/48 ,  C08K5/544 ,  C09D4/00 ,  C09D5/1662 ,  C09D171/00 ,  C09D183/12 ,  Y10T428/31663

摘要： A composition for surface treatment comprises a polyfluoropolyether silane, a solvent, and an additive compound for improving appearance and durability of layers formed from the composition. The layers formed from the surface treatment composition have excellent physical properties, including smudge and stain resistance, as well as durability.

摘要翻译： 用于表面处理的组合物包含多氟聚醚硅烷，溶剂和用于改善由该组合物形成的层的外观和耐久性的添加剂化合物。 由表面处理组合物形成的层具有优异的物理性能，包括污迹和耐污染性以及耐久性。

公开(公告)号：WO2009111122A2

公开(公告)日：2009-09-11

申请号：PCT/US2009032907

申请日：2009-02-03

申请人： DOW CORNING ,  BRADFORD MICHAEL L ,  MOYER ERIC SCOTT ,  WANG SHENG ,  YEAKLE CRAIG ROLLIN

发明人： BRADFORD MICHAEL L ,  MOYER ERIC SCOTT ,  WANG SHENG ,  YEAKLE CRAIG ROLLIN

IPC分类号： C08G77/04

CPC分类号： C08G77/28 ,  C08G77/04 ,  C08G77/12 ,  C08G77/70 ,  C09D183/04 ,  C09D183/08 ,  G02B1/04 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  C08L83/08 ,  C08L83/04

摘要： A silsesquioxane resin comprised of the units (Ph(CH2)rSiO(3-x)/2(OR')x)m, (HSiO(3-x)/2(OR')x)n' (MeSiO(3-x)/2(OR' )x)o' (RSiO(3-x)/2(OR')x)p, (R1SiO(3-x)/2(OR')x)q where Ph is a phenyl group, Me is a methyl group; R' is hydrogen atom or a hydrocarbon group having from 1 to 4 carbon atoms; R is selected from an aryl sulfonate ester group; and R1 is selected from substituted phenyl groups, ester groups, polyether groups; mercapto groups, and reactive or curable organic functional groups; and r has a value of 0, 1,2, 3, or 4; x has a value of 0, 1 or 2; wherein in the resin m has a value of 0 to 0,95; n has a value of 0.05 to 0.95; o has a value of 0.05 to 0.95; p has a value of 0.05 to 0.5; q has a value of 0 to 0.5; and m + n + o + p + q = I.

摘要翻译： 由单元（Ph（CH 2）r SiO（3-x）/ 2（OR'）x）m，（HSiO（3-x）/ 2（OR'）x）n'（MeSiO x）/ 2（OR'）x）o'（RSiO（3-x）/ 2（OR'）x）p，（R1SiO（3-x）/ 2（OR'）x）q其中Ph是苯基 组，我是甲基; R'是氢原子或具有1至4个碳原子的烃基; R选自芳基磺酸酯基; 并且R 1选自取代的苯基，酯基，聚醚基团; 巯基和反应性或可固化的有机官能团; 并且r的值为0,1,2,3或4; x的值为0,1或2; 其中在树脂m中具有0至0.95的值; n的值为0.05〜0.95; o的值为0.05〜0.95; p的值为0.05〜0.5; q的值为0〜0.5; 并且m + n + o + p + q = I.

公开(公告)号：WO2015164068A3

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：PCT/US2015024626

申请日：2015-04-07

申请人： DOW CORNING

发明人： FAN FENGQIU ,  HARKNESS BRIAN ROBERT ,  LIU JUNYING ,  RONG WEI ,  TSUDA TAKEAKI ,  BRADFORD MICHAEL L

IPC分类号： G02B1/11 ,  B32B7/04

CPC分类号： G02B1/11 ,  C03C17/30 ,  C03C2217/732 ,  C03C2218/116 ,  C03C2218/32 ,  C08J9/28 ,  C08J2201/0502 ,  C08J2383/04 ,  C09D183/04 ,  C09D183/08 ,  G02B1/111 ,  G02B2207/107 ,  G02F1/133502

摘要： An optical element comprises an antireflective layer that is disposed on and in contact with a substrate. The antireflective layer has a refractive index of greater than 1 to less than 1.41 and has a pore size ranging from greater than 0 to less than 300 nm. The antireflective layer includes an outermost surface having a water contact angle ranging from greater than or equal to 70° to less than or equal to 120° as determined using ASTM 5946-04.

摘要翻译： 光学元件包括设置在基板上并与基板接触的抗反射层。 抗反射层的折射率大于1至小于1.41，并具有大于0至小于300nm的孔径。 防反射层包括具有大于或等于70°至小于或等于120°的水接触角的最外表面，如使用ASTM 5946-04所确定的。

公开(公告)号：WO2011011142A3

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：PCT/US2010039415

申请日：2010-06-22

申请人： DOW CORNING ,  BRADFORD MICHAEL L ,  MOYER ERIC SCOTT ,  TAKEUCHI KASUMI ,  WANG SHENG ,  YEAKLE CRAIG

发明人： BRADFORD MICHAEL L ,  MOYER ERIC SCOTT ,  TAKEUCHI KASUMI ,  WANG SHENG ,  YEAKLE CRAIG

IPC分类号： C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  C09D183/04 ,  G03F7/075 ,  G03F7/20

CPC分类号： C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0337

摘要： A silsesquioxane resin is applied on top of the patterned photo-resist and cured to produce a cured silsesquioxane resin on top of the pattern surface. Subsequently, an aqueous base stripper or a reactive ion etch recipe containing CF4 is used to "etch back" the silicon resin to the top of the photoresist material, exposing the entire top surface of the photoresist. Then, a second reactive ion etch recipe containing O2 to etch away the photoresist. The result is a silicon resin film with via holes with the size and shape of the post that were patterned into the photoresist. Optionally, the new pattern can be transferred into the underlying layer(s).

摘要翻译： 将一倍半硅氧烷树脂施加在图案化的光致抗蚀剂的顶部并固化，以在图案表面的顶部上产生固化的倍半硅氧烷树脂。 随后，使用包含CF 4的水性碱性剥离剂或反应性离子蚀刻配方将硅树脂“回蚀”到光致抗蚀剂材料的顶部，暴露光致抗蚀剂的整个顶表面。 然后，第二反应离子蚀刻配方含有O 2以蚀刻掉光致抗蚀剂。 结果是具有图案化为光致抗蚀剂的柱的尺寸和形状的通孔的硅树脂膜。 可选地，新图案可以被转移到下层中。