公开(公告)号：WO2021078699A1

公开(公告)日：2021-04-29

申请号：PCT/EP2020/079417

申请日：2020-10-20

Applicant: MERCK PATENT GMBH

Inventor： KIRSCH, Peer ,  RESCH, Sebastian ,  SEIM, Henning ,  LIEBERMAN, Itai ,  ARAI, Shintaro ,  TORNOW, Marc ,  KAMIYAMA, Takuya ,  DLUGOSCH, Julian ,  MOINPOUR, Mansour

IPC: H01L27/28 ,  H01L51/00 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00

Abstract: The present invention relates to an electronic switching device comprising an organic molecular layer in contact with a metal nitride electrode for use in memory, sensors, field-effect transistors or Josephson junctions. More particularly, the invention is included in the field of random access non-volatile memristive memories (RRAM). The invention thus further relates to an electronic component comprising a crossbar array comprising a multitude of said electronic switching devices.

公开(公告)号：WO2019238649A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：PCT/EP2019/065160

申请日：2019-06-11

Applicant: MERCK PATENT GMBH

Inventor： KIRSCH, Peer ,  RESCH, Sebastian ,  SEIM, Henning ,  TORNOW, Marc ,  KAMIYAMA, Takuya ,  ROESCHENTHALER, Gerd-Volker ,  PAJKERT, Romana

IPC: G11C13/00 ,  H01L27/28 ,  H01L51/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils enthaltend eine selbstorganisierte Monolage (engl.: self assembled monolayer, SAM) unter Verwendung von Verbindungen der Formel I R 1 -(A 1 -Z 1 )-(B 1 ) n -(Z 2 -A 2 ) s -Sp-G (I) worin die auftretenden Gruppen die in Anspruch 1 definierten Bedeutungen haben; weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung die Verwendung der Bauteile in elektronischen Schaltelementen sowie Verbindungen zur Herstellung der SAM.