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    ELEKTRONISCHES SCHALTELEMENT
    1.
    发明申请
    ELEKTRONISCHES SCHALTELEMENT 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018007337A3

    公开(公告)日：2018-01-11

    申请号：PCT/EP2017/066534

    申请日：2017-07-04

    Applicant: MERCK PATENT GMBH

    Inventor： KIRSCH, Peer ,  RUHL, Andreas ,  TORNOW, Marc ,  BORA, Achyut

    IPC: C09K19/60 ,  C09B17/04 ,  C09B49/00 ,  C09B69/00 ,  G02F1/00 ,  H01L51/00

    Abstract: Ein elektronisches Schaltelement (1), welche in dieser Reihenfolge eine erste Elektrode (16), eine molekulare Schicht (18), gebunden an ein Substrat, und eine zweite Elektrode (20) umfaßt wobei die molekulare Schicht im Wesentlichen aus Verbindungen der in Anspruch 1 angegebenen Formel (I) besteht, worin ein mesogener Rest über eine Abstandsgruppe (Sp) mittels einer Ankergruppe (G) an das Substrat gebunden ist, eignet sich zur Herstellung von Bauelementen (1) als memristive Vorrichtung zur digitalen Informationsspeicherung.

    ELEKTRONISCHES SCHALTELEMENT
    2.
    发明申请
    ELEKTRONISCHES SCHALTELEMENT 审中-公开
    电子开关元件

    公开(公告)号：WO2018007337A2

    公开(公告)日：2018-01-11

    申请号：PCT/EP2017/066534

    申请日：2017-07-04

    Applicant: MERCK PATENT GMBH

    Inventor： KIRSCH, Peer ,  RUHL, Andreas ,  TORNOW, Marc ,  BORA, Achyut

    IPC: C09K19/60 ,  C09B17/04 ,  C09B49/00 ,  C09B69/00 ,  G02F1/00 ,  H01L51/00

    Abstract: Ein elektronisches Schaltelement (1), welche in dieser Reihenfolge eine erste Elektrode (16), eine molekulare Schicht (18), gebunden an ein Substrat, und eine zweite Elektrode (20) umfaßt wobei die molekulare Schicht im Wesentlichen aus Verbindungen der in Anspruch 1 angegebenen Formel I besteht, worin ein mesogener Rest über eine Abstandsgruppe (Sp) mittels einer Ankergruppe (G) an das Substrat gebunden ist, eignet sich zur Herstellung von Bauelementen (1) als memristive Vorrichtung zur digitalen Informationsspeicherung.

    Abstract translation:

    一种电子开关元件（1），其以该顺序的第一电极（16），接合到基底上的分子层（18），和第二电极（20）覆盖型大街吨的 基本上由权利要求1中给出的式I化合物组成的分子层适用于生产作为忆阻剂的组分（1），其中介晶基团通过间隔基团（Sp）通过锚定基团（G） 数字信息存储设备。

    ELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    3.
    发明申请
    ELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    电子元件

    公开(公告)号：WO2016110301A1

    公开(公告)日：2016-07-14

    申请号：PCT/EP2015/002477

    申请日：2015-12-08

    Applicant: MERCK PATENT GMBH

    Inventor： KIRSCH, Peer ,  TONG, Qiong ,  RUHL, Andreas ,  TORNOW, Marc ,  BORA, Achyut

    IPC: H01L51/10 ,  H01L27/28

    CPC classification number: H01L51/0591 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/73 ,  H01L27/285 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/102

    Abstract: Ein elektronisches Bauelement (10) umfassend mehrere Schaltelemente (1), welche in dieser Reihenfolge eine erste Elektrode (16), eine molekulare Schicht (18), gebunden an ein Substrat, und eine zweite Elektrode (20) umfassen, wobei die molekulare Schicht im Wesentlichen aus Molekülen (M) besteht, die eine Verbindungsgruppe (V) und eine Endgruppe (E) mit einer polaren oder ionischen Funktion enthalten, eignet sich als memristive Vorrichtung zur digitalen Informationsspeicherung.

    Abstract translation: 一种电子元件（10），其包括包含在该顺序的第一电极（16），接合到基底上的分子层（18），和一个第二电极（20），其中，在所述分子层上的多个开关元件（1） 本质上，其包括具有极性或离子性官能团的基团（V）的化合物和一个终端（e）中的分子（M）的，适合作为数字信息存储忆阻器件。

    TWO BIT MEMORY DEVICE AND METHOD FOR OPERATING THE TWO-BIT MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC COMPONENT
    5.
    发明申请
    TWO BIT MEMORY DEVICE AND METHOD FOR OPERATING THE TWO-BIT MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC COMPONENT 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021078714A1

    公开(公告)日：2021-04-29

    申请号：PCT/EP2020/079449

    申请日：2020-10-20

    Applicant: MERCK PATENT GMBH

    Inventor： KIRSCH, Peer ,  RESCH, Sebastian ,  SEIM, Henning ,  LIEBERMAN, Itai ,  TORNOW, Marc ,  DLUGOSCH, Julian

    IPC: H01L51/00 ,  H01L27/28

    Abstract: A two-bit memory device (1) having a layer structure (10) is proposed. The layer structure (10) comprises in this order a bottom layer (A), a molecular layer (C) comprising a chiral compound having at least one polar functional group, and a top layer (E). The top layer (E) is electrically conductive and ferromagnetic. The chiral compound of the molecular layer (C) acts as a spin filter for electrons passing through the molecular layer (C). The chiral compound is of flexible conformation and has a conformation-flexible molecular dipole moment. An electrical resistance of the layer structure (10) for an electrical current running from the bottom layer (A) to the top layer (E) has at least four distinct states which depend on the magnetization of the top layer (E) and on the orientation of the conformation-flexible dipole moment of the chiral compound of the molecular layer (C). Further aspects of the invention relate to a method for operating the two-bit memory device and an electronic component comprising at least one two- bit memory device.

    ELECTRONIC SWITCHING DEVICE
    6.
    发明申请
    ELECTRONIC SWITCHING DEVICE 审中-公开

    公开(公告)号：WO2023072795A1

    公开(公告)日：2023-05-04

    申请号：PCT/EP2022/079510

    申请日：2022-10-24

    Applicant: MERCK PATENT GMBH

    Inventor： KIRSCH, Peer ,  SEIM, Henning ,  VOGES, Frank ,  TORNOW, Marc ,  DLUGOSCH, Julian

    IPC: C07F9/38 ,  C09K19/12 ,  C07F9/655 ,  H10K85/00

    Abstract: The present invention relates to an electronic switching device, in particular to tunnel junctions, comprising an organic molecular layer for use in memory, sensors, field-effect transistors or Josephson junctions. More particularly, the invention is included in the field of random access non-volatile memristive memories (RRAM). Another aspect of the invention relates to a compound of formula (I) in which the occurring groups habe the meanings defined in claim 1, for use in the molecular layer. The invention further relates to the use of said molecular layer and to processes for the production and operation of the electronic switching element and components based thereon.

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