公开(公告)号：WO2018192922A2

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：PCT/EP2018/059773

申请日：2018-04-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL, Ion ,  BAUMGARTNER, Alexander ,  WILM, Alexander

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/77

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement (1) angegeben. Das Bauelement (1) umfasst einen Halbleiterchip (2) oder einen Halbleiterlaser, der im Betrieb des Bauelements eine Primärstrahlung im UV-Bereich oder im blauen Bereich des elektromagnetischen Spektrums emittiert und ein Konversionselement (3) umfassend - einen ersten Leuchtstoff, der dazu eingerichtet ist die Primärstrahlung zumindest teilweise in eine erste Sekundärstrahlung mit einer Peakwellenlänge im grünen Bereich des elektromagnetischen Spektrums zwischen einschließlich 475 nm bis einschließlich 500 nm zu konvertieren und wobei der erste Leuchtstoff aus einer Gruppe ausgewählt ist, die BaSi 4 Al 3 N 9 , SrSiAl 2 O 3 N 2 , BaSi 2 N 2 O 2 , ALi 3 XO 4 , M* (1-x*-y*-z*) Z* z* [A* a *B* b *C* c* D* d* E* e* N 4-n* O n* ] und Kombinationen daraus umfasst.

公开(公告)号：WO2018108988A1

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：PCT/EP2017/082579

申请日：2017-12-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  OSRAM GMBH

Inventor： STOLL, Ion ,  BICHLER, Daniel ,  BAUMGARTNER, Alexander

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/00

CPC classification number: H01L33/502 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L2933/0041

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angeben. Das optoelektronische Bauelement umfasst - eine Schichtenfolge mit einer aktiven Schicht, die im Betrieb des Bauelements eine elektromagnetische Primärstrahlung emittiert, - ein Konversionselement, das im Strahlengang der elektromagnetischen Primärstrahlung und über der Schichtenfolge angeordnet ist, wobei das Konversionselement ein anorganisches Matrixmaterial, ausgewählt aus einem oxidischen Glas oder einer oxidischen Keramik, und zumindest einen ersten Leuchtstoff der Formel (Mg, Ca, Sr, Ba) ( Si, Ti ) 2 O 2 N 2 : Yb 2+ umfasst und der erste Leuchtstoff dazu eingerichtet ist, die elektromagnetische Primärstrahlung zumindest teilweise in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung im roten Bereich des elektromagnetischen Spektrums zu konvertieren.

公开(公告)号：WO2015052238A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：PCT/EP2014/071544

申请日：2014-10-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  OSRAM GMBH

Inventor： FIEDLER, Tim ,  BICHLER, Daniel ,  LANGE, Stefan ,  RÖMER, Rebecca ,  JERMANN, Frank ,  THIENEL, Frauke ,  HUCKENBECK, Barbara ,  BAUMGARTNER, Alexander ,  STÖPPELKAMP, Vera ,  BÖNISCH, Norbert ,  CUI, Hailing

IPC: C09K11/64

CPC classification number: C09K11/7721 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/646 ,  C09K11/7728 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7774 ,  H01L27/322 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: Eine Ausführungsform der Erfindung beschreibt einen Leuchtstoff der eine anorganische Substanz beinhaltet, die in ihrer Zusammensetzung zumindest das Element D, das Element A1, das Element AX, das Element SX und das Element NX beinhaltet (wobei D eines, zwei oder mehrere Elemente aus der Gruppe Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm und Yb darstellt, A1 eines, zwei oder mehrere Elemente aus der Gruppe der divalenten Metalle darstellt, die nicht in D beinhaltet sind, SX eines, zwei oder mehrere Elemente aus der Gruppe der tetravalenten Metalle darstellt, AX eines, zwei oder mehrere Elemente aus der Gruppe der trivalenten Metalle darstellt, und NX eines, zwei oder mehrere Elemente aus der Gruppe O, N, S, C, C1, F darstellt) und die dieselbe Kristallstruktur aufweist, wie Sr ( Sr a Ca 1-a ) Si 2 A1 2 N 6 .

Abstract translation: 本发明的一个实施方案涉及含有无机物质，其至少包括元件D，该元件A1，元件AX，元件SX和元件NX在其组成（其中D是选自一种或两种以上的元素的荧光体 代表Mn，铈，镨，钕，钐，铕，铽，镝，钬，铒，铥和镱，A1，一个，两个或选自二价金属的多个元件不包括在D，SX一个 选自四价金属的两种或多种元素，AX表示选自三价金属的，和NX一个，两个或多个元件的一个，两个或更多个元件选自O，N，S，C，C1，F组 有）和相同的晶体结构的Sr（SraCa1-a）的Si2A12N6。

公开(公告)号：WO2014170271A1

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：PCT/EP2014/057528

申请日：2014-04-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RICHTER, Markus ,  BAUMGARTNER, Alexander ,  GALLMEIER, Hans-Christoph ,  ALBRECHT, Tony

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/508 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips mit den folgenden Schrittenangegeben: - Bereitstellen einer Vielzahl von Halbleiterkörpern (1), die dazu geeignet sind, elektromagnetische Strahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche (3) auszusenden, - Aufbringen der Halbleiterkörper (1) auf einen Träger (2), - Aufbringen einer ersten Maskenschicht (4) auf Bereiche des Trägers (2) zwischen den Halbleiterkörpern (1), - vollflächiges Aufbringen einer Konversionsschicht (5) mit einem Sprühbeschichtungsverfahren auf die Halbleiterkörper (1) und die erste Maskenschicht (4), und - Entfernen der ersten Maskenschicht (4), so dass jeweils eine Konversionsschicht (5) auf der Strahlungsaustrittsfläche (3) der Halbleiterkörper (1) entsteht.

Abstract translation: 它是用于生产各种发射辐射的半导体芯片的步骤的方法显示： - 提供多个半导体本体（1），其能够从一个辐射出射表面（3）电磁辐射的向外发送， - 在支撑所述半导体主体（1）的应用 （2）， - 在所述载体的区域施加第一掩模层（4）（2）在半导体本体（1）之间， - 由一个喷涂的转换层（5）的全面积应用的半导体主体（1）和第一掩模层（4）上 和 - 除去所述（4），使得在每种情况下的转换层的半导体主体（1）的辐射出射表面（3）上形成第一掩模层（5）。

公开(公告)号：WO2020144029A1

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：PCT/EP2019/085954

申请日：2019-12-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUMGARTNER, Alexander ,  LEOW, T'ing Qi'ao ,  LIU, Tomin ,  SCHMIDTKE, Kathy

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/56 ,  H01L33/50

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement (1) angegeben, mit: - einem Halbleiterchip(2), der im Betrieb elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs von einer Strahlungsaustrittsfläche (3) emittiert,und - einem Verguss (4), der ein Matrixmaterial (5) und eine Vielzahl an Nanopartikel (6) umfasst, wobei - eine Konzentration der Nanopartikel (6) in dem Matrixmaterial (5) von der Strahlungsaustrittsfläche (3) des Halbleiterchips (2) ausgehend abnimmt, so dass ein Brechungsindex des Vergusses (4) ausgehend von der Strahlungsaustrittsfläche (3) des Halbleiterchips (2) abnimmt. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements(1) angegeben.

公开(公告)号：WO2018192922A3

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：PCT/EP2018/059773

申请日：2018-04-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL, Ion ,  BAUMGARTNER, Alexander ,  WILM, Alexander

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/77

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement (1) angegeben. Das Bauelement (1) umfasst einen Halbleiterchip (2) oder einen Halbleiterlaser, der im Betrieb des Bauelements eine Primärstrahlung im UV-Bereich oder im blauen Bereich des elektromagnetischen Spektrums emittiert und ein Konversionselement (3) umfassend - einen ersten Leuchtstoff, der dazu eingerichtet ist die Primärstrahlung zumindest teilweise in eine erste Sekundärstrahlung mit einer Peakwellenlänge im grünen Bereich des elektromagnetischen Spektrums zwischen einschließlich 475 nm bis einschließlich 500 nm zu konvertieren und wobei der erste Leuchtstoff aus einer Gruppe ausgewählt ist, die BaSi 4 Al 3 N 9 , SrSiAl 2 O 3 N 2 , BaSi 2 N 2 O 2 , ALi 3 XO 4 , M* (1-x*-y*-z*) Z* z* [A* a *B* b *C* c* D* d* E* e* N 4-n* O n* ] und Kombinationen daraus umfasst.

公开(公告)号：WO2014091003A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：PCT/EP2013/076575

申请日：2013-12-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GALLMEIER, Hans-Christoph ,  RICHTER, Markus ,  ALBRECHT, Tony ,  BAUMGARTNER, Alexander

IPC: H01L33/50 ,  B05B1/00

CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L2933/0041

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung von mindestens einem Strahlung emittierenden Halbleiterbauelement (11) mit den folgenden Schritten angegeben: -Bereitstellen von mindestens einem Strahlung emittierenden Halbleiterchip (4) mit einer Oberseite (6) und mindestens einer Seitenfläche (7), die schräg zu der Oberseite (6) verläuft, -Aufbringen eines Konversionselements (8) auf die Oberseite (6) und/oder die mindestens eine Seitenfläche (7) mittels Aufsprühen, wobei das Konversionselement (8) aus einem Sprühmittel (2b) erzeugt wird, das ein Matrixmaterial und Konverterpartikel enthält.

Abstract translation: 据说，包括以下步骤用于产生至少一个辐射的半导体器件（11）的方法包括： - 提供至少一个发射辐射的半导体芯片（4），其具有一个顶部（6）和至少一个侧表面（7），其是倾斜于 顶侧（6），在上面（6）和/或借助喷雾，雾化，所述至少一个侧表面（7），其中，所述转换元件（8）由喷雾装置产生-Aufbringen的转换元件（8）（图2b）包括基体材料 和转换器含有颗粒。

公开(公告)号：WO2014090894A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：PCT/EP2013/076271

申请日：2013-12-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUMGARTNER, Alexander ,  RICHTER, Markus ,  GALLMEIER, Hans-Christoph ,  ALBRECHT, Tony

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/505 ,  H01L33/508 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (5) angegeben, das im Betrieb mischfarbige Strahlung emittiert. Das optoelektronische Halbleiterbauelement (5) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (1), ein mit einer Krümmung versehenes Konversionselement (4) und ein Abstandselement (3), das zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip (1) und dem Konversionselement (4) angeordnet ist und eine dem Konversionselement (4) zugewandte gekrümmte Oberfläche (3A) aufweist, wobei das Konversionselement (4) mit der gekrümmten Oberfläche (3A) in direktem Kontakt steht.

Abstract translation: 本发明提供在操作期间发出混色辐射的光电子半导体器件（5）。 的光电子半导体器件（5）包括一个光电子半导体芯片（1），设置有曲率转换元件（4）和所述光电子半导体芯片（1）和（4）设置在所述转换元件和转换元件之间的间隔件（3） （4）面向曲面（3A），其中，所述转换元件（4）与所述弯曲表面（3A）是在直接接触。

公开(公告)号：WO2017153395A1

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：PCT/EP2017/055302

申请日：2017-03-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： CUI, Hailing ,  BAUMGARTNER, Alexander

IPC: C09K11/77 ,  H05B33/14 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7734 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/504 ,  H05B33/14

Abstract: Leuchtstoffmischungund optoelektronisches Bauelement mit einer Leuchtstoffmischung Es wird eine Leuchtstoffmischung umfassend einen ersten Leuchtstoff, einen zweiten Leuchtstoffund einen dritten Leuchtstoff angegeben, wobei der erste Leuchtstoff ein Emissionsspektrum mit einem ersten Peakmaximum im grünen Spektralbereich aufweist, der zweite Leuchtstoff ein Emissionsspektrum mit einem zweiten Peakmaximum im grünen Spektralbereich aufweist und der dritte Leuchtstoff ein Emissionsspektrum mit einem dritten Peakmaximum im roten Spektralbereich aufweist. Es wird weiterhin ein optoelektronisches Bauelement angegeben, das die Leuchtstoffmischung enthält.

Abstract translation: 提供包括第一磷光体，第二磷光体和第三磷光体的磷光体混合物，其中第一磷光体具有在绿色光谱范围内具有第一峰值的发射光谱，第二磷光体 磷光体具有在绿色光谱范围中具有第二峰值最大值的发射光谱，并且第三磷光体具有在红色光谱范围中具有第三峰值最大值的发射光谱。 此外，公开了一种含有磷光体混合物的光电子部件

公开(公告)号：WO2013131824A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：PCT/EP2013/054176

申请日：2013-03-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUMGARTNER, Alexander ,  PETERSEN, Kirstin

IPC: C09K11/08 ,  C09K11/77 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7734 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/504 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst eine Schichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der elektromagnetische Primärstrahlung emittiert; ein Konversionsmaterial, das im Strahlengang der elektromagnetischen Primärstrahlung angeordnet ist und zumindest teilweise die elektromagnetische Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung konvertiert. Das Konversionsmaterial umfasst einen ersten Leuchtstoff (6- 1) mit der allgemeinen Zusammensetzung A 3 B 5 O 12 und einen zweiten Leuchtstoff (6-2) mit der allgemeinen Zusammensetzung M 2 Si 5 N 8 , wobei A eines der Elemente Y, Lu, Gd und/oder Ce oder Kombinationen aus Y, Lu, Gd und/oder Ce umfasst, wobei B A1 ist, wobei im zweiten Leuchtstoff (6-2) Ca als Teil der Komponente M zu einem Anteil von 2,5 mol-% bis 25 mol-% enthalten ist, wobei die Komponente M des zweiten Leuchtstoffs (6-2) Ba zu einem Anteil größer oder gleich 40 mol-% enthält, wobei die Komponente M des zweiten Leuchtstoffs (6-2) Eu zu einem Anteil von 0,5 mol-% bis 10 mol-% enthält, und wobei die Komponente M des zweiten Leuchtstoffs (6-2) Sr enthält.

Abstract translation: 的光电元件，其包括具有发射电磁初级辐射的有源区的层序列（1）; 转换材料，其被布置在所述电磁初级辐射的光束路径和至少部分地转换电磁初级辐射为电磁次级辐射。 转换材料包括第一荧光体（6- 1）与一般组合物A3B5O12和具有一般组成M2Si5N8的第二磷光体（6-2），其中A是所述元素Y，路，Gd和/或Ce，或Y的组合中的一种， 路，Gd和/或Ce，其中B是A 1，其中所述第二荧光粉（6-2）M的Ca的含量在2.5摩尔％至25摩尔％的比例作为该组件的一部分，其中，所述组分 第二荧光体（6-2）的M含有的Ba的用量大于或等于40摩尔％，其中，所述第二荧光体（6-2）Eu的成分M以0.5摩尔％的比例至10％（摩尔） ，并且其中所述第二荧光体的组分M（6-2）含有高级