公开(公告)号：WO2018024824A1

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：PCT/EP2017/069646

申请日：2017-08-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RÖMER, Rebecca ,  TANGRING, Ivar ,  LIN-LEFEBVRE, I-Hsin ,  RICHTER, Markus ,  HAUSINGER, Johannes

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/52 ,  H01L33/54 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L33/52 ,  H01L33/54 ,  H01L33/64

Abstract: Es wird ein Bauteil (9) mit einem lichtemittierenden Bauelement (1) vorgeschlagen, wobei das Bauelement (1) ausgebildet ist, um elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, mit einer Konversionsschicht (2), wobei die Konversionsschicht (2) ausgebildet ist, umeine Wellenlänge der elektromagnetischen Strahlung des Bauelementes (1) wenigstens teilweise zu konvertieren, wobei die Konversionsschicht (2) über einer lichtemittierenden Seite (3) des Bauelementes (1) angeordnet ist, wobei eine für elektromagnetische Strahlung transparente Platte (7) über der Konversionsschicht (2) angeordnet ist, wobei die Platte (7) eine Einstrahlfläche (16) und eine Ausstrahlfläche (17) für elektromagnetische Strahlung aufweist, wobei die Einstrahlfläche (16) der Platte (7) der Konversionsschicht (2) angeordnet ist.

Abstract translation:

本发明涉及一种部件（9），其具有发光器件（1），其中所述组分（1）被适配为产生电磁辐射，具有转换层（2），其中所述转换层（ 2形成），该部件的电磁辐射的umeine波长BEAR长度（1）至少部分地转换，其中所述转换层上的光出射侧（3）的组分（1）的布置（2），其中A F导航用途ř 电磁辐射透明板（7）在所述转换层（2）的布置，所述板（7）Einstrahlfl BEAR的r电磁辐射，其中，所述Einstrahlfl BEAR表面（16）和一个Ausstrahlfl BEAR表面（17），用于导航使用 转换层（2）的板（7）的金属（16）。

公开(公告)号：WO2014173721A1

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：PCT/EP2014/057543

申请日：2014-04-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BURGER, Markus ,  RICHTER, Markus

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/507 ,  B41N1/24 ,  H01L33/505 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48463

Abstract: Ein wellenlängenkonvertierendes Element ist als flaches Plättchen ausgebildet, das eine Grundform mit einer Außenkontur aufweist. Das wellenlängenkonvertierende Element weist gegenüber der Grundform eine Aussparung auf, die durch eine Begrenzungskante begrenzt wird. An jedem Zusammentreffen der Begrenzungskante mit der Außenkontur ist jeweils ein Winkel von weniger als 90° eingeschlossen.

Abstract translation: 波长元件被设计为具有一个外轮廓的形状的平板。 波长转换元件具有在一凹槽，它是由一个边界边缘界定的基本形状的优点。 在具有小于90°的角度的外轮廓的限制边缘的每个会议被包围在每一种情况下。

公开(公告)号：WO2014170271A1

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：PCT/EP2014/057528

申请日：2014-04-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RICHTER, Markus ,  BAUMGARTNER, Alexander ,  GALLMEIER, Hans-Christoph ,  ALBRECHT, Tony

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/508 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips mit den folgenden Schrittenangegeben: - Bereitstellen einer Vielzahl von Halbleiterkörpern (1), die dazu geeignet sind, elektromagnetische Strahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche (3) auszusenden, - Aufbringen der Halbleiterkörper (1) auf einen Träger (2), - Aufbringen einer ersten Maskenschicht (4) auf Bereiche des Trägers (2) zwischen den Halbleiterkörpern (1), - vollflächiges Aufbringen einer Konversionsschicht (5) mit einem Sprühbeschichtungsverfahren auf die Halbleiterkörper (1) und die erste Maskenschicht (4), und - Entfernen der ersten Maskenschicht (4), so dass jeweils eine Konversionsschicht (5) auf der Strahlungsaustrittsfläche (3) der Halbleiterkörper (1) entsteht.

Abstract translation: 它是用于生产各种发射辐射的半导体芯片的步骤的方法显示： - 提供多个半导体本体（1），其能够从一个辐射出射表面（3）电磁辐射的向外发送， - 在支撑所述半导体主体（1）的应用 （2）， - 在所述载体的区域施加第一掩模层（4）（2）在半导体本体（1）之间， - 由一个喷涂的转换层（5）的全面积应用的半导体主体（1）和第一掩模层（4）上 和 - 除去所述（4），使得在每种情况下的转换层的半导体主体（1）的辐射出射表面（3）上形成第一掩模层（5）。

公开(公告)号：WO2006128446A1

公开(公告)日：2006-12-07

申请号：PCT/DE2006/000954

申请日：2006-06-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HÄRLE, Volker ,  HAHN, Berthold ,  BAUR, Johannes ,  OBERSCHMID, Raimund ,  WEIMAR, Andreas ,  GUENTHER, Ewald Karl Michael ,  EBERHARD, Franz ,  RICHTER, Markus ,  STRAUSS, Jörg

Inventor： HÄRLE, Volker ,  HAHN, Berthold ,  BAUR, Johannes ,  OBERSCHMID, Raimund ,  WEIMAR, Andreas ,  GUENTHER, Ewald Karl Michael ,  EBERHARD, Franz ,  RICHTER, Markus ,  STRAUSS, Jörg

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Bei einem Lumineszenzdiodenchip mit einer Strahlungsaustrittsfläche (1) und einer Kontaktstruktur (2, 3, 4), die auf der Strahlungsaustrittsfläche (1) angeordnet ist, und ein Bondpad (4) und mehrere zur Stromaufweitung vorgesehene Kontaktstege (2, 3), die mit dem Bondpad (4) elektrisch leitend verbunden sind, umfasst, ist das Bondpad (4) in einem Randbereich der Strahlungsaustrittsfläche (1) angeordnet. Der Lumineszenzdiodenchip zeichnet sich insbesondere durch eine verminderte Absorption der emittierten Strahlung (23) in der Kontaktstruktur (2, 3, 4) aus.

Abstract translation: 在具有辐射出射表面（1）和一个接触结构的LED芯片（2，3，4）的辐射出射表面上的（1）被布置，并且被设置用于电流扩散接触接片的键合焊盘（4）和多个（2,3）与 键合焊盘（4）导电连接包括，键合焊盘（4）被布置在所述辐射出射表面的边缘区域（1）。 LED芯片是通过减小在接触结构所发射的辐射（23）的吸收，其特征在于特别是（2，3，4）。

公开(公告)号：WO2018086909A1

公开(公告)日：2018-05-17

申请号：PCT/EP2017/077491

申请日：2017-10-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LAMFALUSI, Tamas ,  RICHTER, Markus

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48 ,  H01L33/56 ,  H01L33/64

Abstract: Es wird ein Leiterrahmen (1) für einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip (7) mit einem ersten Element (2) mit einer ersten Haupterstreckungsebene, einem zweiten Element (3) mit einer zweiten Haupterstreckungsebene und einem dritten Element (4) mit einer dritten Haupterstreckungsebene angegeben, wobei -die erste Haupterstreckungsebene, die zweite Haupterstreckungsebene und die dritte Haupterstreckungsebene parallel zueinander angeordnet sind, -die drei Elemente (2, 3, 4) in einer Stapelrichtung (R) übereinander angeordnet sind, und -das dritte Element (4) eine Auflagefläche (9) für den Halbleiterchip (7) aufweist, die kleiner ist als eine Montagefläche (8) des Halbleiterchips (7). Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben.

Abstract translation: （7）具有第一主平面的第一元件（2）

有一个引线框（1）F导航用途R A发射辐射的半导体芯片，（3），其具有延伸的第二主平面的第二构件和第三构件 （4）设置有第三主延伸平面，其中-the第一主平面，延伸的第二主平面，和延伸的第三主面被布置成平行于彼此，-the三个元件（2，3，4）的层叠方向（R）导航使用制备其他布置， 以及 - 第三元件（4）具有用于半导体芯片（7）的支撑表面（9），其小于半导体芯片（7）的安装表面（8）。 此外，指定了光电子部件和用于制造光电子部件的方法

公开(公告)号：WO2015166022A1

公开(公告)日：2015-11-05

申请号：PCT/EP2015/059455

申请日：2015-04-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RACZ, David ,  SPATH, Günter ,  RICHTER, Markus

IPC: H01L33/58 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54

CPC classification number: H01L51/5268 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/322 ,  H01L33/44 ,  H01L33/505 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/56 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Leuchtvorrichtung (129), umfassend: - einen Träger (101), - auf welchem zumindest ein optoelektronisches Leuchtmittel (103, 105) zum Emittieren von Licht in einen Abstrahlbereich (122) angeordnet ist, - wobei eine Farbstreuschicht (117) zum Erzeugen einer Farbe mittels einer Streuung von Licht an einer dem Leuchtmittel (103, 105) abgewandten Oberfläche der Farbstreuschicht (117) im Abstrahlbereich (122) gebildet ist. Die Erfindung betrifft ferner ein entsprechendes Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung (129).

Abstract translation: 本发明涉及一种发光器件（129），包括： - 支承件（101）， - 在其上的至少一种用于在发光区域（122）发射光的光电子照明装置（103，105）被设置， - 其中，颜色散射层（117） 通过在灯（103，105）形成在发光区域（122）的颜色散射层（117）的表面中的一个的光的散射的装置面临由色的产生程。 本发明还涉及一种用于制造发光器件（129）的相应方法。

公开(公告)号：WO2014207037A1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：PCT/EP2014/063380

申请日：2014-06-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER, Jürgen ,  STOLL, Ion ,  SCHWARZ, Thomas ,  RICHTER, Markus ,  DIRSCHERL, Georg

IPC: H01L33/60 ,  H01L25/16 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/005 ,  H01L24/24 ,  H01L25/167 ,  H01L27/15 ,  H01L33/44 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (200), der derart in einen Formkörper (100) eingebettet ist, dass eine Oberseite (201) des optoelektronischen Halbleiterchips (200) zumindest teilweise nicht durch den Formkörper (100) bedeckt ist. Auf einer Oberseite (101) des Formkörpers (100) ist eine erste Metallisierung (510) angeordnet. Die erste Metallisierung (510) ist elektrisch gegen den optoelektronischen Halbleiterchip (200) isoliert. Auf der ersten Metallisierung (510) ist ein erstes Material (610, 615) angeordnet.

Abstract translation: 的光电元件（10，20，30，40）包括嵌入在这样的方式中的成型体的光电子半导体芯片（200）（100），使得所述光电子半导体芯片（200）至少部分地不的顶表面（201）（通过成型 100）被覆盖。 上成形的主体（100），其具有第一金属化（510）的上表面（101）被布置。 第一金属化（510）是从所述光电子半导体芯片（200）是分离的电绝缘。 在第一金属化（510）的第一材料（610，615）被布置。

公开(公告)号：WO2014202414A1

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：PCT/EP2014/061868

申请日：2014-06-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RICHTER, Markus ,  BURGER, Markus

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/505 ,  B05D1/32 ,  B05D1/322 ,  B05D3/02 ,  H01L33/50 ,  H01L2933/0041

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Konversionselements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Substrats mit einer Oberfläche, zum Ausbilden einer ersten Maskenstruktur über der Oberfläche, wobei die erste Maskenstruktur erste Stege und zwischen den ersten Stegen angeordnete erste Öffnungen aufweist, wobei die ersten Öffnungen Kavitäten bilden, in denen die Oberfläche des Substrats zugänglich ist, zum Anordnen einer zweiten Maskenstruktur über der ersten Maskenstruktur, wobei die zweite Maskenstruktur zweite Stege und zwischen den zweiten Stegen angeordnete zweite Öffnungen aufweist, wobei die ersten Stege durch die zweiten Stege zumindest teilweise abgedeckt werden, wobei die Kavitäten durch die zweiten Öffnungen zumindest teilweise zugänglich bleiben, zum Einsprühen eines Materials in die Kavitäten durch die zweiten Öffnungen, zum Entfernen der zweiten Maskenstruktur und zum Entfernen der ersten Maskenstruktur.

Abstract translation: 制造包括提供具有用于形成表面，其中，所述第一掩模图案包括第一连接盘和设置在所述第一脊第一开口之间在第一掩模图案的表面的衬底的步骤的转换元件的方法，所述第一开口，以形成空腔，其中 所述衬底的所述表面是用于在第一掩模图案，其中所述第二掩模图案包括第二纤维网和布置的第二开口，其中，第一纤维网被第二腹板至少部分覆盖所述第二腹板之间，空腔通过设置第二掩模图案访问 第二开口保持至少部分开放的，用于喷射到材料通过第二开口空腔用于除去第二掩模图案，并去除所述第一掩模图案。

公开(公告)号：WO2014180697A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：PCT/EP2014/058612

申请日：2014-04-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RICHTER, Markus

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/97 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00014

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Substrats (100) mit einem auf einer Oberfläche (101) des Substrats (100) angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip (200), zum Bereitstellen einer Maske (300) mit einer unteren Lage (310) und einer oberen Lage (330), wobei die untere Lage (310) eine untere Öffnung (320) und die obere Lage (330) eine obere Öffnung (340) aufweist, die gemeinsam eine durchgehende Maskenöffnung (350) bilden, wobei die untere Öffnung (320) eine größere Fläche aufweist als die obere Öffnung (340), zum Anordnen der Maske (300) über der Oberfläche (101) des Substrats (100) derart, dass die untere Lage (310) der Oberfläche (101) des Substrats (100) zugewandt und die Maskenöffnung (350) über dem optoelektronischen Halbleiterchip (200) angeordnet ist, zum Aufsprühen einer Schicht (400) auf den optoelektronischen Halbleiterchip (200) durch die Maskenöffnung (350), und zum Entfernen der Maske (300).

Abstract translation: 制造光电子器件（10）的方法，包括在所述基板的一个表面（101）提供衬底（100）与一种的步骤（100），其布置的光电子半导体芯片（200），用于提供具有较低层的掩模（300） （310）和上部层（330），其中，所述下层（310）具有下部开口（320）和顶片（330）的上部开口（340），它们一起形成一个连续的掩模开口（350），其特征在于 下部开口（320）具有比用于布置在基板（100）的表面（101）上方的掩模（300）的上部开口（340）更大的面积，使得所述表面的下层（310）（101） 所述基板（100）的面和设置在所述掩模开口（350）到所述光电子半导体芯片（200），用于喷涂的层（400）到所述光电子半导体芯片（200）通过掩模开口（350），和DE去除 ř马斯克（300）。

公开(公告)号：WO2021073974A1

公开(公告)日：2021-04-22

申请号：PCT/EP2020/078105

申请日：2020-10-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RICHTER, Markus

IPC: H01L33/36 ,  H01L23/00 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird unter anderem ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterbauelementen mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Trägers (1) mit einer Vielzahl erster Durchbrüche (11) und zweiter Durchbrüche (12), die sich jeweils vollständig durch den Träger (1) erstrecken, - Füllen der ersten Durchbrüche (11) und der zweiten Durchbrüche (12) mit einem Anschlussmaterial (3), - Aufbringen einer Vielzahl von Halbleiterchips (4) auf den Träger (1), wobei zumindest manche der Vielzahl von Halbleiterchips (4) einen ersten Durchbruch (11) und einen zweiten Durchbruch (12) überdecken, - Herstellen einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen zumindest manchen der Vielzahl von Halbleiterchips (4) und dem Anschlussmaterial (3) in den überdeckten ersten Durchbrüchen (11) und in den überdeckten zweiten Durchbrüchen (12), - Vereinzeln in eine Vielzahl von Halbleiterbauelementen (100), wobei jedes Halbleiterbauelement (100) zumindest einen Halbleiterchip (4) umfasst, der über das Anschlussmaterial (3) von der dem Halbleiterchip (4) her abgewandten Seite elektrisch kontaktierbar ist.