公开(公告)号：WO2020260535A1

公开(公告)日：2020-12-30

申请号：PCT/EP2020/067949

申请日：2020-06-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EBBECKE, Jens

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/18

Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) angegeben, mit: - einem Halbleiterkörper (2), der dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung mit einer Peakwellenlänge zu emittieren, wobei - der Halbleiterkörper (2) zumindest einen Randbereich (6) aufweist, der einen Innenbereich (7) des Halbleiterkörpers (2) in lateralen Richtungen vollständig umgibt, und - der Halbleiterkörper (2) im Randbereich (6) eine größere Bandlücke (8, 9) aufweist als im Innenbereich (7). Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips (1) angegeben.

公开(公告)号：WO2018011211A1

公开(公告)日：2018-01-18

申请号：PCT/EP2017/067409

申请日：2017-07-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ZEISEL, Roland ,  BINDER, Michael ,  EBBECKE, Jens ,  MEYER, Tobias

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/22 ,  H01L33/06

Abstract: Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (10) umfassend eine erste Halbleiterstruktur (100), eine zweite Halbleiterstruktur (200) und einen aktiven Bereich (300) zwischen der ersten (100) und der zweiten Halbleiterstruktur (200), und eine Vielzahl von Aussparungen (500), die jeweils zumindest eine der Halbleiterstrukturen (100,200) und den aktiven Bereich (300) durchdringen, wobei eine Deckfläche (300a) des aktiven Bereichs (300) eine zusammenhängende Fläche ist, und zumindest in manchen der Aussparungen (500), Oberflächen (500a) der Aussparungen (500), vollständig mit elektrisch isolierendem Material (5) bedeckt sind.

Abstract translation:

本发明涉及一种具有Halbleiterk＆OUML的光电子半导体芯片（1）;主体（10）包括所述第一之间的第一半导体结构（100），第二半导体结构（200）和有源区（300）（ 100）和所述第二半导体结构（200），和多个凹部（500）的半导体结构中的每个具有至少一个（100,200）和所述有源区（300）穿透，与所述有源区的Deckfl BEAR表面（300A）（300 ）是连续的表面，并且至少在一些凹槽（500）中，凹槽（500）的表面（500a）被电绝缘材料（5）完全覆盖，

公开(公告)号：WO2015071134A1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：PCT/EP2014/073717

申请日：2014-11-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EBBECKE, Jens ,  KAUSS, Claudia ,  SUNDGREN, Petrus

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform weist die Halbleiterschichtenfolge (10) eine n-leitende n-Seite (11), eine p-leitende p-Seite (13) und eine dazwischen liegende aktive Zone (2) auf. Die aktive Zone (2) weist mindestens eine strahlungsaktive Schicht (21) mit einer ersten Materialzusammensetzung zur Erzeugung einerersten Strahlung (L1) auf. Die zumindest eine strahlungsaktive Schicht (21) ist senkrecht zu einer Wachstumsrichtung (z) der Halbleiterschichtenfolge orientiert. Ferner weist die aktive Zone (2) eine Vielzahl von strahlungsaktiven Schläuchen (22) mit einer zweiten Materialzusammensetzung oder einer anderen Kristallstruktur zur Erzeugung einer zweiten Strahlung (L2) auf, wobei die zweite Materialzusammensetzung von der ersten Materialzusammensetzung verschieden ist. Die strahlungsaktiven Schläuche (22) sind parallel zur Wachstumsrichtung (z) orientiert.

Abstract translation: 在至少一个实施例中，在n型n侧（11）的半导体层序列（10），p型的p侧（13）和中间有源区（2）。 活性区（2）包括至少一个具有用于产生第一辐射（L1）的第一材料组成的辐射活性层（21）。 所述至少一个辐射活性层（21）是垂直于半导体层序列的生长方向（z）为基础的。 此外，有源区（2）的多个辐射活性管（22）具有第二材料的组合物或不同的晶体结构，以产生一个第二辐射（L2），其中，所述第一材料成分的第二材料成分是不同的。 的辐射活性软管（22）平行于定向生长方向（z）。

公开(公告)号：WO2023016987A1

公开(公告)日：2023-02-16

申请号：PCT/EP2022/072239

申请日：2022-08-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FUCHS, Peter ,  EICHLER, Christoph ,  EBBECKE, Jens

IPC: H01S5/125

Abstract: Es wird ein Spiegel (20) für einen Laser (21) angegeben, der Spiegel (20) umfassend einen Schichtenstapel (22) mit mindestens einer ersten Schicht (23), die ein erstes Material aufweist, und mindestens einer zweiten Schicht (24), die ein zweites Material aufweist, wobei das erste Material einen ersten Brechungsindex aufweist und das zweite Material einen zweiten Brechungsindex aufweist, der erste Brechungsindex und der zweite Brechungsindex sich um mindestens 0,2 unterscheiden, und die Reflektivität (R) des Spiegels (20) in dem Fall, dass ein erstes Austrittsmedium (25), welches zumindest stellenweise transluzent für elektromagnetische Strahlung einer vorgebbaren Wellenlänge ist, an den Spiegel (20) angrenzt sich um weniger als 10 % von der Reflektivität (R) des Spiegels (20) in dem Fall, dass ein vom ersten Austrittsmedium (25) verschiedenes zweites Austrittsmedium (26), welches zumindest stellenweise transluzent für elektromagnetische Strahlung der vorgebbaren Wellenlänge ist, an den Spiegel (20) angrenzt, unterscheidet für einen Wellenlängenbereich von mindestens ± 20 nm um die vorgebbare Wellenlänge herum. Des Weiteren werden ein Laser (21) und ein Laserbauteil (40) angegeben.

公开(公告)号：WO2023016827A1

公开(公告)日：2023-02-16

申请号：PCT/EP2022/071318

申请日：2022-07-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EBBECKE, Jens

IPC: G01S7/481 ,  G01S7/484 ,  H01S3/106 ,  H01S3/08

Abstract: Es wird ein Messverfahren mit den folgenden Schritten angegeben: - Aussenden eines Sendesignals, das zumindest einen Lichtpuls umfasst, wobei eine Amplitude einer Intensität des Lichtpulses mit einer Modulationsfrequenz moduliert ist, - Detektieren eines Empfangssignals, das zumindest einen Teil des Sendesignals umfasst, das von einem externen Objekt reflektiert wird, - Auswählen zumindest einer Frequenzkomponente des Empfangssignals, die der Modulationsfrequenz des Sendesignals entspricht, - Ermitteln eines Abstandes zum externen Objekt aus einer Zeitdifferenz zwischen dem Aussenden des Sendesignals und der Detektion der ausgewählten Frequenzkomponente des Empfangssignales. Des Weiteren wird eine Messvorrichtung angegeben.

公开(公告)号：WO2023001921A1

公开(公告)日：2023-01-26

申请号：PCT/EP2022/070415

申请日：2022-07-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EBBECKE, Jens

IPC: H01L33/00 ,  H01L23/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Transfer eines Bauelements, insbesondere eines optoelektronischen Bauelements, bei dem wenigstens ein Bauelement bereitgestellt wird, welches über eine Stützhalterung an einem ersten Träger befestigt ist, wobei das Bauelement auf einer dem ersten Träger abgewandten Seite einen Transferbereich aufweist. Ein lichtleitendes Abhebeelement wird mit einem Lichtaustrittsbereich gegenüber dem Transferbereich positioniert und ein erster Laserlichtpuls erzeugt. Dadurch wird ein Transfermaterial zwischen dem Lichtaustrittsbereich und Transferbereich aufgeschmolzen, so dass der Lichtaustrittsbereich mit dem Transferbereich durch das aufgeschmolzene Transfermaterial verbunden wird. Das Bauelement wird abgehoben und über einem Ablegebereich positioniert. Dann wird ein zweiter Laserlichtpuls erzeugt, so dass das Transfermaterial erneut aufgeschmolzen wird und das Abhebeelement von dem Transferbereich vor einem Erstarren des Transfermaterials wegbewegt, so dass das Bauelement auf dem Ablegebereich verbleibt.

公开(公告)号：WO2021009006A1

公开(公告)日：2021-01-21

申请号：PCT/EP2020/069411

申请日：2020-07-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HETZL, Martin ,  SUNDGREN, Petrus ,  EBBECKE, Jens ,  STRAUSS, Uwe

IPC: H01S5/32 ,  H01S5/10 ,  H01S5/16 ,  H01S5/30 ,  H01S5/34

Abstract: Die kantenemittierende Halbleiterlaserdiode (100) umfasst ein Aufwachssubstrat (2), eine auf dem Aufwachssubstrat (2) angebrachte Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (13) und zwei einander gegenüberliegende Facetten (4). Die Facetten (4) begrenzen die Halbleiterschichtenfolge (1) in einer lateralen Richtung (L). Die Halbleiterschichtenfolge (1) umfasst zwei an die Facetten (4) grenzende Randbereiche (R) und einen direkt an beide Randbereiche (R) grenzenden Zentralbereich (Z). Innerhalb der Randbereiche (R) ist ein Volumenanteil der aktiven Schicht (13) an der Halbleiterschichtenfolge (1) jeweils geringer als im Zentralbereich (Z).

公开(公告)号：WO2020239526A1

公开(公告)日：2020-12-03

申请号：PCT/EP2020/063906

申请日：2020-05-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EBBECKE, Jens ,  KREUTER, Philipp ,  KLEMP, Christoph ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  PIETZONKA, Ines ,  SUNDGREN, Petrus

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/268 ,  H01L21/18

Abstract: A method of treating a semiconductor wafer (10) comprising a set of Aluminum Gallium Indium Phosphide light emitting diodes or AlGaInP-LEDs to increase the light generating efficiency of the AlGaInP-LEDs, wherein each ALGaInP-LED includes a core active layer for light generation sandwiched between two outer layers, the core active layer having a central light generating area (20) and a peripheral edge (22) surrounding the central light generating area, the method comprising the step of treating the peripheral edge (22) of the core active layer of each AlGaInP-LED with a laser beam (L), thus increasing the minimum band gap in each peripheral edge (22) to such an extent that, during later operation of the AlGaInP-LED, the electron-hole recombination is essentially confined to the central light generating area.

公开(公告)号：WO2017085200A1

公开(公告)日：2017-05-26

申请号：PCT/EP2016/078032

申请日：2016-11-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EBBECKE, Jens ,  SUNDGREN, Petrus ,  ZEISEL, Roland

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/30 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/30 ,  H01L2933/0025

Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Zone (2), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt undeiner Passivierungsschicht (10) angegeben, in der elektrische Ladungsträger statisch fixiert sind oder die zu einer Absättigung der Oberflächenzustände der Halbleiterschichtenfolge (1) führt. Die Passivierungsschicht (10) ist auf einer Seitenfläche (8) der Halbleiterschichtenfolge (1) aufgebracht und die Passivierungsschicht (10) überdeckt zumindest die aktive Zone (2).

Abstract translation:

这是具有一外延半导体层序列（1）与活性区域（2），其在操作期间产生的电磁辐射所指示的电Ladungstr BEAR安达钝化层（10）被固定GER静态或LED芯片 这导致半导体层序列（1）的表面去饱和。 钝化层（10）被施加在半导体层序列（1）的侧表面（8）上，并且钝化层（10）至少覆盖有源区（2）。

公开(公告)号：WO2022243352A1

公开(公告)日：2022-11-24

申请号：PCT/EP2022/063389

申请日：2022-05-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EBBECKE, Jens

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L25/075

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers mit einer elektrischen Kontaktfläche, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbeiterchips auf der elektrischen Kontaktfläche des Trägers, zum Anordnen eines Einbettungsmaterials über dem Träger, wobei das Einbettungsmaterial eingebettete Partikel aufweist, wobei der optoelektronische Halbleiterchip zumindest teilweise in das Einbettungsmaterial einbettet wird, zum Anordnen einer Elektrode über dem optoelektronischen Halbleiterchip und dem Einbettungsmaterial, zum Anlegen eines inhomogenen elektrischen Felds zwischen der elektrischen Kontaktfläche und der Elektrode, wobei die Partikel durch das elektrische Feld zumindest teilweise umorientiert werden, und zum Aushärten des Einbettungsmaterials.