公开(公告)号：WO2013140223A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：PCT/IB2013/000412

申请日：2013-03-14

Applicant: SOITEC

Inventor： BEN MOHAMED, Nadia ,  DAVID, Carole ,  RIGAL, Camille

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76259

Abstract: The invention relates to a method for implantation of atomic or ionic species into a batch of substrates made of semiconductor material, in which: - each substrate made of semiconductor material is positioned on a respective support of a batch implanter, each substrate comprising a thin layer of electrical insulator on its surface, and - a dose of at least one ionic or atomic species is implanted over the whole surface of the said substrates, through their layer of insulator, so as to form a fragilization region within each substrate and to bound there a thin layer of semiconductor material between the thin layer of insulator and the fragilization region of the substrate, the implantation method being characterized in that, during the said method, each support on which a substrate is positioned has at least two separate inclinations with respect to the plane orthogonal to the direction of implantation of the species, in order to improve the implantation depth of the species in the substrate. The invention also relates to structures of the semiconductor-on-insulator type obtained by the implementation of the implantation method.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于将原子或离子物质注入由半导体材料制成的一批衬底中的方法，其中： - 由半导体材料制成的每个衬底位于批量注入机的相应支撑件上，每个衬底包括薄层 的电绝缘体，以及 - 至少一种离子或原子物质的剂量通过它们的绝缘体层被注入到所述基底的整个表面上，以在每个基底内形成脆性区域并结合在该基底上 绝缘子薄层和基片的脆性区之间的薄层半导体材料，其特征在于，在所述方法期间，其上放置基板的每个载体具有至少两个独立的相对于 该平面垂直于物种的植入方向，以提高物种在植被中的植入深度 trate。 本发明还涉及通过实施注入方法获得的绝缘体上半导体类型的结构。

公开(公告)号：WO2013088226A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：PCT/IB2012/002698

申请日：2012-12-13

Applicant: SOITEC

Inventor： LANDRU, Didier ,  DAVID, Carole ,  RADU, Ionut ,  CAPELLO, Lucianna ,  SINQUIN, Yann

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/324 ,  H01L21/428

Abstract: The invention relates to a process for stabilizing a bonding interface, located within a structure for applications in the fields of electronics, optics and/or optoelectronics and which comprises an oxide layer buried between an active layer and a receiver substrate, said bonding interface having been obtained by molecular adhesion. In accordance with the invention, the process consists in irradiating this structure with a light energy flux provided by a laser, so that the flux, directed towards the structure, - is absorbed by said energy conversion layer and converted to heat in this layer, and in that this heat diffuses into said structure towards the bonding interface, so as to thus stabilize said bonding interface.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于稳定接合界面的方法，所述接合界面位于用于电子学，光学和/或光电子学领域的结构内，并且包括掩埋在有源层和接收器衬底之间的氧化层，所述接合界面已被 通过分子粘附获得。 根据本发明，该方法包括用由激光器提供的光能通量照射该结构，使得朝向该结构的通量被所述能量转换层吸收，并在该层中转化为热，以及 因为这种热向结合界面扩散到所述结构中，从而稳定所述接合界面。

公开(公告)号：WO2014202866A1

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：PCT/FR2014/051406

申请日：2014-06-11

Applicant: SOITEC

Inventor： LANDRU, Didier ,  KONONCHUK, Oleg ,  GOURDEL, Christophe ,  DAVID, Carole ,  MOUGEL, Sébastien ,  SCHNEIDER, Xavier

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/7624

Abstract: Ce procédé comportant les étapes a) fourniture d'une enceinte (10) adaptée pour recevoir la pluralité de structures (S), b) circulation d'un flux gazeux (F) dans l'enceinte (10) de sorte que l'enceinte (10) présente une atmosphère non oxydante, c) traitement thermique de la pluralité de structures (S) à une température supérieure à une valeur seuil au-delà de laquelle l'oxygène présent dans l'oxyde du diélectrique diffuse à travers la couche active, réagit avec le matériau semi-conducteur de la couche active, et produit un matériau volatil, le procédé étant remarquable en ce que l'étape b) est exécutée de sorte que le flux gazeux (F) présente une vitesse de circulation entre la pluralité de structures (S) supérieure à la vitesse de diffusion du matériau volatil dans le flux gazeux.

Abstract translation: 该方法包括以下步骤：a）提供适于接纳多个结构（S）的腔室（10），b）使腔室（10）中的气流（F）循环，使得腔室（10） 氧化气氛，c）在高于绝缘氧化物中存在的氧扩散通过有源层的阈值以上的温度下热处理多个结构（S），与活性层的半导体材料反应， 并且产生挥发性物质，该方法是显着的，因为步骤b）被执行，使得气流（F）具有比多个结构（S）中的挥发物质的扩散速度高的循环速度 气流。