公开(公告)号：WO2018137937A1

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：PCT/EP2018/050677

申请日：2018-01-11

Applicant: SOITEC

Inventor： REYNAUD, Parick ,  BROEKAART, Marcel ,  ALLIBERT, Frédéric ,  VEYTIZOU, Christelle ,  CAPELLO, Luciana ,  BERTRAND, Isabelle

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/762

Abstract: The invention relates to a support (1) for a semiconductor structure, comprising a base substrate (3), a first silicon dioxide insulating layer (2a) positioned on the base substrate (3) and having a thickness greater than 20 nm, and a charge trapping layer (2) having a resistivity higher than 1000 ohm.cm and a thickness greater than 5 microns positioned on the first insulating layer (2a).

公开(公告)号：WO2021110513A1

公开(公告)日：2021-06-10

申请号：PCT/EP2020/083379

申请日：2020-11-25

Applicant: SOITEC

Inventor： KIM, Youngpil ,  BERTRAND, Isabelle ,  VEYTIZOU, Christelle

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/322

Abstract: The invention relates to a method for forming a high resistivity handle substrate for a composite substrate, the method comprising : - providing a base substrate made of silicon; - exposing the base substrate to a carbon single precursor at a pressure below atmospheric pressure to form a polycrystalline silicon carbide layer of at least 10 nm on the surface of the base substrate; and then - growing a polycrystalline charge trapping layer on the carbon-containing layer.

公开(公告)号：WO2020008116A1

公开(公告)日：2020-01-09

申请号：PCT/FR2018/051683

申请日：2018-07-05

Applicant: SOITEC

Inventor： VEYTIZOU, Christelle ,  REYNAUD, Patrick ,  KONONCHUK, Oleg ,  ALLIBERT, Frédéric

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/322

Abstract: L'invention porte sur un substrat (1) pour des applications dans les domaines de l'électronique et de la microélectronique radiofréquence comprenant un substrat de base (3); une unique couche de carbone (2) disposée sur et directement en contact avec le substrat de base (3), la couche de carbone (2) présentant une épaisseur strictement comprise entre lnm et 5nm; une couche d' isolant électrique (4) disposée sur la couche de carbone (2); une couche de dispositifs (5) disposée sur la couche d'isolant (4). L' invention porte également sur un procédé de fabrication de ce substrat.

公开(公告)号：WO2019186011A1

公开(公告)日：2019-10-03

申请号：PCT/FR2019/050540

申请日：2019-03-13

Applicant: SOITEC

Inventor： ALLIBERT, Frédéric ,  VEYTIZOU, Christelle

IPC: H01L41/43 ,  H01L41/08 ,  H01L41/319 ,  H03H3/007 ,  H03H9/72

Abstract: L'invention concerne une structure hybride (10) pour dispositif à ondes acoustiques de surface comprenant une couche utile (1) de matériau piézoélectrique assemblée à un substrat support (2) présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui de la couche utile (1), et une couche intermédiaire (3) située entre la couche utile (1) et le substrat support (2). La couche intermédiaire est une couche composite frittée (3), formée à partir de poudres d'au moins un premier matériau et un deuxième matériau différent du premier.

公开(公告)号：WO2020128354A1

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：PCT/FR2019/053192

申请日：2019-12-19

Applicant: SOITEC

Inventor： YOUNG PIL, Kim ,  VEYTIZOU, Christelle

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322

Abstract: La présente invention concerne un substrat (1) de type semi-conducteur sur isolant pour des applications radiofréquences, comprenant: -un substrat support (2) en silicium, -une couche électriquement isolante (3) agencée sur le substrat support, -une couche monocristalline (4) agencée sur la couche électriquement isolante, le substrat (1) étant principalement caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche de carbure de silicium SiC (5) agencée entre le substrat support (2) et la couche électriquement isolante (3), qui présente une épaisseur comprise entre 1 nm et 5 nm, la surface (6) de la couche de carbure de silicium SiC qui est du côté del a couche électriquement isolante (3) étant rugueuse.

公开(公告)号：WO2017144821A1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：PCT/FR2017/050400

申请日：2017-02-23

Applicant: SOITEC ,  UNIVERSITE CLAUDE BERNARD LYON 1 ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

Inventor： FIGUET, Christophe ,  KONONCHUK, Oleg ,  ALASSAAD, Kassam ,  FERRO, Gabriel ,  SOULIERE, Véronique ,  VEYTIZOU, Christelle ,  YEGHOYAN, Taguhi

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/0262

Abstract: L'invention porte sur un support (1) pour une structure semi-conductrice comprenant une couche de piégeage de charges (2) sur un substrat de base (3). La couche de piégeage (2) est constituée d'une couche principale polycristalline (2a) et, intercalée dans la couche principale (2a) ou entre la couche principale (2a) et le substrat de base (3), d'au moins une couche intercalaire (2b) polycristalline composée d'un alliage de silicium et de carbone ou de carbone, la couche intercalaire (2b) présentant une résistivité supérieure à 1000 ohm.cm.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于半导体结构的支撑件（1），该支撑件包括在基底衬底（3）上的电荷沉积层（2）。 镀层（2）由多晶主层（2a）形成并嵌入主层（2a）中或主层（2a）与基层（3）之间， 至少一个由硅和碳或碳的合金构成的多晶中间层（2b），所述中间层（2b）表现出电阻率; 上面＆agrave; 1000 ohm.cm.

公开(公告)号：WO2021001066A1

公开(公告)日：2021-01-07

申请号：PCT/EP2020/058316

申请日：2020-03-25

Applicant: SOITEC ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： AUGENDRE, Emmanuel ,  GAILLARD, Frédéric ,  LORNE, Thomas ,  ROLLAND, Emmanuel ,  VEYTIZOU, Christelle ,  BERTRAND, Isabelle ,  ALLIBERT, Frédéric

IPC: H01L21/762

Abstract: L'invention concerne une structure semi-conductrice (10) pour applications radiofréquences comprenant : - un substrat support (2) en silicium comportant une couche méso-poreuse (3), - une couche diélectrique (4) disposée sur la couche méso- poreuse (3), - une couche superficielle (5) disposée sur la couche diélectrique (4). La structure (10) est remarquable en ce que : - la couche méso-poreuse (3) comporte des pores creux dont les parois internes sont majoritairement tapissées d'oxyde, et présente une épaisseur comprise entre 3 et 40 microns et une résistivité supérieure à 20 kohm.cm sur toute son épaisseur, - le substrat support (2) présente une résistivité comprise entre 0.5 et 4 ohm.cm. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice (10).

公开(公告)号：WO2019186010A1

公开(公告)日：2019-10-03

申请号：PCT/FR2019/050539

申请日：2019-03-13

Applicant: SOITEC

Inventor： ALLIBERT, Frédéric ,  VEYTIZOU, Christelle ,  RADISSON, Damien

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762

Abstract: L'invention concerne un substrat pour des dispositifs microélectroniques radiofréquences comprenant un substrat support en un matériau semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend une couche composite frittée, disposée sur le substrat support et formée à partir de poudres d'au moins un premier matériau diélectrique et un deuxième matériau diélectrique différent du premier, ladite couche composite frittée présentant une épaisseur supérieure à 5 microns et un coefficient de dilatation thermique apparié avec celui du substrat support, à plus ou moins 30%.