公开(公告)号：WO2007092529A8

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：PCT/US2007003315

申请日：2007-02-07

Applicant: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ,  NUNAN PETER D ,  EROKHIN YURI

Inventor： NUNAN PETER D ,  EROKHIN YURI

IPC: C23C18/28 ,  C23C14/04 ,  C23C14/48 ,  C23C18/30 ,  H01L29/00

CPC classification number: C23C18/1608 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/32 ,  C23C18/38 ,  C23C18/48 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76879

Abstract: Techniques for deposition metallic films (150) using ion implantation surface modification for catalysis of electroless deposition are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as a method for depositing a metallic film (150). The method may comprise depositing a catalyzing material on a structure (100), wherein the structure (100) comprises a substrate (1 10), a dielectric layer (120) on the substrate ( 1 10), and a resist layer (130) on the dielectric layer (120), wherein the dielectric layer (120) and the resist layer (130 have one or more openings (140). The method may also comprise stripping the resist layer (130). The method may further comprise depositing a metallic film (150) on the catalyzing material in the one or more openings (140) of the structure (100) to fill the one or more openings (140).

Abstract translation: 公开了使用离子注入表面修饰用于无电沉积催化的沉积金属膜（150）的技术。 在一个特定的示例性实施例中，可以将这些技术实现为用于沉积金属膜（150）的方法。 该方法可以包括在结构（100）上沉积催化材料，其中所述结构（100）包括基底（110），所述基底（110）上的介电层（120）和抗蚀剂层（130） 在电介质层（120）上，其中电介质层（120）和抗蚀剂层（130）具有一个或多个开口（140），该方法还可以包括剥离抗蚀剂层（130），该方法还可以包括： 在所述结构（100）的一个或多个开口（140）中的催化材料上的金属膜（150）以填充所述一个或多个开口（140）。

公开(公告)号：WO2008048598A3

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：PCT/US2007022071

申请日：2007-10-16

Applicant: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ,  NUNAN PETER D ,  ADAMS BRET W

Inventor： NUNAN PETER D ,  ADAMS BRET W

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/31711 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A technique for matching performance of ion implantation devices using an in-situ mask. In one particular exemplary embodiment, ion implantation is performed on a portion of a substrate while the remainder is masked off. The substrate is then moved to a second implanter tool. Implantation is then performed on another portion of the same substrate using the second tool while a mask covers the remainder of the substrate including the first portion. After the second implantation process, parametric testing may be performed on semiconductor devices manufactured on the first and second portions to determine if there is variation in one or more performance characteristics of these semiconductor devices. If variations are found, changes may be suggested to one or more operating parameters of one of the implantation tools to reduce performance variation of implanters within the fabrication facility.

Abstract translation: 一种使用原位掩模来匹配离子注入装置的性能的技术。 在一个特定的示例性实施例中，在衬底的一部分上执行离子注入，而其余部分被掩蔽掉。 然后将衬底移动到第二注入工具。 然后使用第二工具在同一衬底的另一部分上执行注入，同时掩模覆盖包括第一部分的衬底的其余部分。 在第二注入工艺之后，参数测试可以在第一和第二部分上制造的半导体器件上执行，以确定这些半导体器件的一个或多个性能特征是否有变化。 如果发现变化，则可以建议对植入工具之一的一个或多个操作参数进行改变，以减少制造设施内的植入机的性能变化。

公开(公告)号：WO2007092529A3

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：PCT/US2007003315

申请日：2007-02-07

Applicant: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT

Inventor： NUNAN PETER D

IPC: C23C18/28 ,  C23C14/04 ,  C23C14/48 ,  C23C18/30 ,  H01L29/00

CPC classification number: C23C18/1608 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/32 ,  C23C18/38 ,  C23C18/48 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76879

Abstract: Techniques for deposition metallic films (150) using ion implantation surface modification for catalysis of electroless deposition are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as a method for depositing a metallic film (150). The method may comprise depositing a catalyzing material on a structure (100), wherein the structure (100) comprises a substrate (1 10), a dielectric layer (120) on the substrate ( 1 10), and a resist layer (130) on the dielectric layer (120), wherein the dielectric layer (120) and the resist layer (130 have one or more openings (140). The method may also comprise stripping the resist layer (130). The method may further comprise depositing a metallic film (150) on the catalyzing material in the one or more openings (140) of the structure (100) to fill the one or more openings (140).

Abstract translation: 公开了使用离子注入表面改性来沉积用于催化无电沉积的金属膜（150）的技术。 在一个特定的示例性实施例中，可以将这些技术实现为用于沉积金属膜（150）的方法。 该方法可以包括在结构（100）上沉积催化材料，其中该结构（100）包括衬底（110），衬底（110）上的电介质层（120）和抗蚀剂层（130） 其特征在于，所述方法还包括剥离所述抗蚀剂层（130），所述方法还包括在所述介电层（120）上沉积电介质层（120）和所述抗蚀剂层（130） 在所述结构（100）的所述一个或多个开口（140）中的所述催化材料上沉积金属膜（150）以填充所述一个或多个开口（140）。