利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

27 条记录 (耗时 0.011 秒)

    SYSTEM AND METHOD FOR DEPOSITING METAL TO FORM THREE-DIMENSIONAL PART
    1.
    发明申请
    SYSTEM AND METHOD FOR DEPOSITING METAL TO FORM THREE-DIMENSIONAL PART 审中-公开
    用于沉积金属以形成三维部分的系统和方法

    公开(公告)号：WO2017145502A1

    公开(公告)日：2017-08-31

    申请号：PCT/JP2016/087458

    申请日：2016-12-09

    申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION

    发明人： YERAZUNIS, William, S. ,  BARNWELL, John, C., Ⅲ ,  VETTERING, William, T.

    IPC分类号： B23K26/14 ,  B23K26/342

    CPC分类号： B23K26/346 ,  B23K26/083 ,  B23K26/1423 ,  B23K26/342 ,  B33Y10/00 ,  B33Y30/00

    摘要： A system and method depositing metal to form a three-dimensional (3D) part on a substrate (140). A wire (120) is moved relative to a location on the substrate while a laser heats a proximal end of the wire at the location using a laser beam (130). The laser causes the wire and substrate to reach a melting point of the wire to fuse the wire at the location on the substrate. The wire can be preheated by passing a current through the wire.

    摘要翻译： 一种沉积金属以在衬底（140）上形成三维（3D）部件的系统和方法。 当激光器使用激光束（130）在该位置加热线的近端时，使导线（120）相对于基板上的位置移动。 激光使导线和基板达到导线的熔点，以将导线熔合在基板上的位置处。 电线可以通过将电流通过电线预热。

    METHOD OF DIRECT COULOMB EXPLOSION IN LASER ABLATION OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES
    4.
    发明申请
    METHOD OF DIRECT COULOMB EXPLOSION IN LASER ABLATION OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES 审中-公开
    直接COOLOMB爆炸在半导体结构激光雷击中的应用

    公开(公告)号：WO2007149460A2

    公开(公告)日：2007-12-27

    申请号：PCT/US2007/014322

    申请日：2007-06-20

    申请人： CHISM, William, W.

    发明人： CHISM, William, W.

    IPC分类号： H01L21/00 ,  B23K26/00

    CPC分类号： B23K26/1423 ,  B23K26/03 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/50

    摘要： A new technique and Method of Direct Coulomb Explosion in Laser Ablation of Semiconductor Structures in semiconductor materials is disclosed. The Method of Direct Coulomb Explosion in Laser Ablation of Semiconductor Structures provides activation of the "Coulomb explosion" mechanism in a manner which does not invoke or require the conventional avalanche photoionization mechanism, but rather utilizes direct interband absorption to generate the Coulomb explosion threshold charge densities. This approach minimizes the laser intensity necessary for material removal and provides optimal machining quality. The technique generally comprises use of a femtosecond pulsed laser to rapidly evacuate electrons from a near surface region of a semiconductor or dielectric structure, and wherein the wavelength of the laser beam is chosen such that interband optical absorption dominates the carrier production throughout the laser pulse. The further application of a strong electric field to the semiconductor or dielectric structure provides enhancement of the absorption coefficient through a field induced fedshift of the optical absorption. The use of this electric field controlled optical absorption is available in all semiconductor materials and allows precise control of the ablation rate. When used in conjunction with nanoscale semiconductor or dielectric structures, the application of a strong electric field provides for laser ablation on sub-micron lateral scales.

    摘要翻译： 公开了半导体材料中半导体结构的激光烧蚀中的直接库仑爆炸的新技术和方法。 在半导体结构的激光烧蚀中的直接库仑爆炸的方法提供了“库仑爆炸”机制的激活，其方式不会引起或需要常规的雪崩光电离机理，而是利用直接的带间吸收来产生库仑爆炸阈值电荷密度 。 这种方法可最大限度地减少材料去除所需的激光强度，并提供最佳的加工质量。 该技术通常包括使用飞秒脉冲激光来从半导体或电介质结构的近表面区域快速排出电子，并且其中选择激光束的波长，使得带间光吸收主导整个激光脉冲中的载流子产生。 对半导体或电介质结构的强电场的进一步的应用通过光学吸收的场诱导光信号提高了吸收系数。 在所有的半导体材料中都可使用这种电场控制的光吸收，并允许精确控制烧蚀速率。 当与纳米尺度半导体或电介质结构结合使用时，强电场的应用提供了亚微米横向尺度上的激光烧蚀。

    METHOD AND APPARATUS FOR LASER MACHINING
    7.
    发明申请
    METHOD AND APPARATUS FOR LASER MACHINING 审中-公开
    激光加工的方法和装置

    公开(公告)号：WO2010006188A3

    公开(公告)日：2010-04-22

    申请号：PCT/US2009050135

    申请日：2009-07-09

    申请人： FEI CO ,  STRAW MARCUS ,  SAMSAVAR AMIN ,  UTLAUT MARK ,  TOTH MILOS

    发明人： STRAW MARCUS ,  SAMSAVAR AMIN ,  UTLAUT MARK ,  TOTH MILOS

    IPC分类号： B23K26/36 ,  B23K26/42 ,  G01N23/00 ,  G01N23/225

    CPC分类号： B23K26/03 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/14 ,  B23K26/1423 ,  B23K26/1429 ,  H01J2237/2813

    摘要： A charged particle beam and a laser beam are used together to micromachine a substrate. A first beam alters the state of a region of the work piece, and the second beam removes material whose state was altered. In one embodiment, an ion beam can create photon absorbing defects to lower the local ablation threshold, allowing the laser beam to remove material in a region defined by the ion beam. The combination of laser beam and charged particle beam allows the creation of features similar in size to the charged particle beam spot size, at milling rates greater than charged particle processing because of the increased energy provided by the laser beam.

    摘要翻译： 带电粒子束和激光束一起用于微机械衬底。 第一光束改变工件的区域的状态，第二光束去除状态被改变的材料。 在一个实施例中，离子束可以产生光子吸收缺陷以降低局部消融阈值，允许激光束去除由离子束限定的区域中的材料。 激光束和带电粒子束的组合允​​许在大小与带电粒子束点尺寸相似的特征的情况下产生大于带电粒子处理的铣削速率，因为激光束提供的能量增加。

    METHOD OF DIRECT COULOMB EXPLOSION IN LASER ABLATION OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES
    8.
    发明申请
    METHOD OF DIRECT COULOMB EXPLOSION IN LASER ABLATION OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES 审中-公开
    直接COOLOMB爆炸在半导体结构激光雷击中的应用

    公开(公告)号：WO2007149460A3

    公开(公告)日：2008-04-03

    申请号：PCT/US2007014322

    申请日：2007-06-20

    申请人： CHISM WILLIAM W

    发明人： CHISM WILLIAM W

    IPC分类号： B23K26/00

    CPC分类号： B23K26/1423 ,  B23K26/03 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/50

    摘要： A new technique and Method of Direct Coulomb Explosion in Laser Ablation of Semiconductor Structures in semiconductor materials is disclosed. The Method of Direct Coulomb Explosion in Laser Ablation of Semiconductor Structures provides activation of the "Coulomb explosion" mechanism in a manner which does not invoke or require the conventional avalanche photoionization mechanism, but rather utilizes direct interband absorption to generate the Coulomb explosion threshold charge densities. This approach minimizes the laser intensity necessary for material removal and provides optimal machining quality. The technique generally comprises use of a femtosecond pulsed laser to rapidly evacuate electrons from a near surface region of a semiconductor or dielectric structure, and wherein the wavelength of the laser beam is chosen such that interband optical absorption dominates the carrier production throughout the laser pulse. The further application of a strong electric field to the semiconductor or dielectric structure provides enhancement of the absorption coefficient through a field induced fedshift of the optical absorption. The use of this electric field controlled optical absorption is available in all semiconductor materials and allows precise control of the ablation rate. When used in conjunction with nanoscale semiconductor or dielectric structures, the application of a strong electric field provides for laser ablation on sub-micron lateral scales.

    摘要翻译： 公开了半导体材料中半导体结构的激光烧蚀中的直接库仑爆炸的新技术和方法。 在半导体结构的激光烧蚀中的直接库仑爆炸的方法提供了“库仑爆炸”机制的激活，其方式不会引起或需要常规的雪崩光电离机理，而是利用直接的带间吸收来产生库仑爆炸阈值电荷密度 。 这种方法可最大限度地减少材料去除所需的激光强度，并提供最佳的加工质量。 该技术通常包括使用飞秒脉冲激光来从半导体或电介质结构的近表面区域快速排出电子，并且其中选择激光束的波长，使得带间光吸收主导整个激光脉冲中的载流子产生。 对半导体或电介质结构的强电场的进一步的应用通过光学吸收的场诱导光信号提高了吸收系数。 在所有的半导体材料中都可使用这种电场控制的光吸收，并允许精确控制烧蚀速率。 当与纳米尺度半导体或电介质结构结合使用时，强电场的应用提供了亚微米横向尺度上的激光烧蚀。

    電源装置、接合システム、及び、通電加工方法
    9.
    发明申请
    電源装置、接合システム、及び、通電加工方法 审中-公开
    电源装置，接合系统和导电加工方法

    公开(公告)号：WO2016093340A1

    公开(公告)日：2016-06-16

    申请号：PCT/JP2015/084776

    申请日：2015-12-11

    申请人： 新日鐵住金株式会社

    发明人： 渡辺　史徳 ,  福谷　和彦 ,  古迫　誠司 ,  若林　千智 ,  岡田　徹

    IPC分类号： H02M7/48 ,  B23K11/11 ,  H05B3/00

    CPC分类号： B23K26/0342 ,  B23K11/043 ,  B23K11/11 ,  B23K11/241 ,  B23K26/1423 ,  H02M7/48 ,  H05B3/00 ,  H05B37/02 ,  Y02P70/181

    摘要： 　被加工材を通電加工する通電加工装置に出力電流を供給する電源装置であって、第１電源と；前記第１電源から供給される電流を受けて前記出力電流に変換する磁気エネルギー回生スイッチと；前記通電加工装置による一回の通電加工時間内に、前記出力電流の通電周波数が相互に異なる第１の通電周波数及び第２の通電周波数を含むように前記磁気エネルギー回生スイッチを制御する制御部と；を備える。

    摘要翻译： 一种用于向用于工件的电导处理的电导处理装置提供输出电流的电源装置，其中所述电源装置设置有：第一电源; 磁能再生开关，用于接收从第一电源提供的电流并将电流转换成输出电流; 以及控制单元，用于控制磁能再生开关，以包括第一导电频率和第二导电频率，其中输出电流的导电频率在电导处理的一个时间段内彼此不同 电导处理装置。