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公开(公告)号：WO2018110511A1
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：PCT/JP2017/044412
申请日：2017-12-11
Applicant: 国立大学法人北見工業大学
Abstract: 微細光学像生成素子（１００）は、準結晶パターンを同一平面上で少なくとも二つ以上組み合わせた配置パターンに基づいて複数の開口部（１４０）が配置された微細構造部（１２０）を備える。微細構造部（１２０）は、レーザ光を遮断する遮光膜（１３０）と、遮光膜（１３０）に設けられ、レーザ光を通過可能な複数の開口部（１４０）と、を備えてもよい。準結晶パターンは、例えば、準結晶の格子構造の一つであるペンローズタイルの格子点からなるパターンであってもよい。
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公开(公告)号：WO2018089411A1
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：PCT/US2017/060519
申请日：2017-11-08
Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.
Inventor： ZENG, Weimin , CAO, Yong , DIEHL, Daniel Lee , PHAN, Khoi , DAI, Huixiong , NGAI, Christopher S.
IPC: H01L21/033 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/56 , C23C14/06 , C23C14/5826 , C23C14/5846 , C23C16/0272 , C23C16/455 , G03F1/22
Abstract: Processing methods comprising depositing an initial hardmask film on a substrate by physical vapor deposition and exposing the initial hardmask film to a treatment plasma comprising a silane compound to form the hardmask.
Abstract translation: 处理方法包括通过物理气相沉积将初始硬掩模膜沉积在基板上，并将初始硬掩模膜暴露于包含硅烷化合物的处理等离子体以形成硬掩模。
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公开(公告)号：WO2015153774A1
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：PCT/US2015/023899
申请日：2015-04-01
Applicant: ZYGO CORPORATION
Inventor： TRICARD, Marc
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/22 , G03F1/24 , G03F1/46 , G03F1/48 , G03F1/60 , G03F1/76 , G21K1/062 , G21K2201/067 , H05G2/001
Abstract: A photo-mask for use in extreme ultraviolet (EUV) lithography, in which the photo-mask has low coefficient of thermal expansion and high specific stiffness.
Abstract translation: 用于极紫外（EUV）光刻的光掩模，其中光掩模具有低热膨胀系数和高比刚度。
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4.发明申请感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の製造方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、感活性光線性又は感放射線性膜を備えたマスクブランクス、フォトマスク、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス 审中-公开生产活性光敏或辐射敏感性树脂组合物的方法，活性光敏或辐射敏感性树脂组合物，主动感光或辐射敏感膜，具有活性光敏或辐射敏感膜的膜掩模，光刻胶，图案形成方法，制造方法 电子设备和电子设备
公开(公告)号：WO2015151759A1
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：PCT/JP2015/057360
申请日：2015-03-12
Applicant: 富士フイルム株式会社
CPC classification number: G03F7/0397 , G03F1/22 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/70283
Abstract: 本発明の課題は、経時安定性及び解像性である。 本発明のひとつは、樹脂、酸発生剤、有機酸、及び溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の製造方法であって、下記工程（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）から選ばれるいずれかの工程を含み、且つ、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の有機酸の含有率が、該組成物中の全固形分を基準として５質量％より大きいことを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の製造方法である。（ｉ）樹脂及び酸発生剤を実質的に含有しない溶液に、有機酸を溶解させる工程、（ｉｉ）酸発生剤を含有し、且つ、樹脂を実質的に含有しない溶液に、有機酸を溶解させる工程、及び（ｉｉｉ）樹脂を含有し、且つ、酸発生剤を実質的に含有しない溶液に、有機酸を溶解させる工程。
Abstract translation: 本发明解决了长期稳定性和分辨率问题。 本发明的一个实施方案是一种制备含有树脂，酸产生剂，有机酸和溶剂的活性光敏或辐射敏感性树脂组合物的方法，其特征在于包括选自步骤（i）中的步骤， ，（ii）和（iii），其特征还在于，活性光敏性或辐射敏感性树脂组合物中的有机酸的含量比例大于5质量％ 组成。 （i）将有机酸溶解在基本上不含有树脂和酸产生剂的溶液中的步骤（ii）将有机酸溶解在含有酸发生剂但基本上不含有树脂的溶液中的步骤（ iii）将有机酸溶解在含有树脂但基本不含酸产生剂的溶液中的步骤
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5.发明申请
公开(公告)号：WO2013158593A1
公开(公告)日：2013-10-24
申请号：PCT/US2013/036702
申请日：2013-04-16
Applicant: KLA-TENCOR CORPORATION
Inventor： SHI, Rui-fang , POKROVSKIY, Alex , SEZGINER, Abdurrahman , SOUSA, Weston L.
IPC: G01B11/24 , H01L21/66 , H01L21/027 , G01N21/88
CPC classification number: G01B11/24 , G01B11/02 , G01B2210/56 , G01N21/8806 , G01N2201/06113 , G03F1/22 , G03F1/70
Abstract: Disclosed are methods and apparatus for facilitating an inspection of a sample using an optical inspection tool. An optical inspection tool is used to obtain an optical image or signal from an EUV reticle that specifies an intensity variation across the EUV reticle, and this intensity variation is converted to a CD variation that removes a flare correction CD variation so as to generate a critical dimension uniformity (CDU) map without the flare correction CD variation. This removed flare correction CD variation originates from design data for fabricating the EUV reticle, and such flare correction CD variation is generally designed to compensate for flare differences that are present across a field of view (FOV) of a photolithography tool during a photolithography process. The CDU map is stored in one or more memory devices and/or displayed on a display device, for example, of the inspection tool or a photolithography system.
Abstract translation: 公开了使用光学检查工具便于检查样品的方法和装置。 使用光学检查工具来获得来自EUV掩模版的光学图像或信号，该光学图像或信号指定在EUV掩模版上的强度变化，并且该强度变化被转换为CD变化，其消除闪光校正CD变化以产生关键 尺寸均匀性（CDU）图，而不具有光斑校正CD变化。 这种去除的光斑校正CD变化源自用于制造EUV掩模版的设计数据，并且这种闪光校正CD变化通常被设计为补偿在光刻工艺期间在光刻工具的视场（FOV）上存在的闪光差异。 CDU图存储在一个或多个存储设备中和/或显示在例如检测工具或光刻系统的显示设备上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2013149477A1
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：PCT/CN2012/086066
申请日：2012-12-06
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , G03F1/00
CPC classification number: H01L27/1288 , G03F1/22 , H01L27/1214 , H01L29/41733 , H01L29/78696
Abstract: 提供一种薄膜晶体管、制备该薄膜晶体管的掩模板、阵列基板以及显示装置。该薄膜晶体管的沟道通过单缝隙灰度掩模板制得，该薄膜晶体管的沟道具有弯折部（B）和位于弯折部（B）两侧的延伸部（A），并且弯折部（B）的沟道宽度大于延伸部（A）的沟道宽度。
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7.发明申请マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、透過型マスクブランク、反射型マスクブランク、透過型マスク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 审中-公开掩模基板，具有多层反射膜的基板，透明蒙版，反射掩模，透明掩模和反射掩模和半导体制造方法
公开(公告)号：WO2013146990A1
公开(公告)日：2013-10-03
申请号：PCT/JP2013/059199
申请日：2013-03-28
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: G03F1/48 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C3/06 , C03C17/3435 , C03C17/3626 , C03C17/3636 , C03C17/3639 , C03C17/3649 , C03C17/3665 , C03C23/0075 , C03C2201/42 , C03C2218/33 , G02B5/08 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G03F1/22 , G03F7/16 , G03F7/2002 , G03F7/2004 , G03F7/70733 , H01L21/3081 , H01L21/3085
Abstract: リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板であって前記基板の転写パターンが形成される側の主表面は、１μｍ×１μｍの領域を原子間力顕微鏡で測定して得られる二乗平均平方根粗さ（Ｒｍｓ）が０．１５ｎｍ以下であり、且つ、空間周波数１μｍ －１ 以上のパワースペクトル密度が１０ｎｍ ４ 以下であることを特徴とするマスクブランク用基板である。
Abstract translation: 提供了一种掩模空白基板，其用于光刻中，其中形成掩模图案的基板的一侧的主表面具有均方根粗糙度（Rms），该均方根粗糙度（Rms）通过用1μm 原子力显微镜，0.15nm以下，空间频率为1μm-1以上的功率谱密度为10nm以下。
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8.发明申请
公开(公告)号：WO2013053889A1
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：PCT/EP2012/070260
申请日：2012-10-12
Applicant: FUNDACIÓ INSTITUT DE CIÈNCIES FOTÒNIQUES , INSTITUCIO CATALANA DE RECERCA I ESTUDIS AVANCATS , CARL ZEISS SMS GMBH
Abstract: The present inventions relates to a substrate for a photolithographic mask comprising a coating deposited on a rear surface of the substrate, wherein the coating comprises (a) at least one electrically conducting layer, and (b) wherein a thickness of the at least one layer is smaller than 30 nm, preferably smaller than 20 nm, and most preferably smaller than 10 nm.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于光刻掩模的基板，其包括沉积在基板的后表面上的涂层，其中涂层包括（a）至少一个导电层，和（b）其中至少一层的厚度 小于30nm，优选小于20nm，最优选小于10nm。
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9.发明申请METHOD AND APPARATUS FOR ANALYZING AND FOR REMOVING A DEFECT OF AN EUV PHOTOMASK 审中-公开用于分析和去除EUV光刻胶缺陷的方法和装置
公开(公告)号：WO2013010976A2
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：PCT/EP2012/063881
申请日：2012-07-16
Applicant: CARL ZEISS SMS GMBH , BUDACH, Michael , BRET, Tristan , EDINGER, Klaus , HOFMANN, Thorsten
Inventor： BUDACH, Michael , BRET, Tristan , EDINGER, Klaus , HOFMANN, Thorsten
Abstract: The invention refers to a method for analyzing a defect of an optical element for the extreme ultra-violet wavelength range comprising at least one substrate and at least one multi-layer structure, the method comprising the steps: (a) determining first data by exposing the defect to ultra-violet radiation, (b) determining second data by scanning the defect with a scanning probe microscope, (c) determining third data by scanning the defect with a scanning particle microscope, and (d) combining the first, the second and the third data.
Abstract translation: 本发明涉及用于分析包括至少一个基底和至少一个多层结构的用于极紫外波长范围的光学元件的缺陷的方法，所述方法包括以下步骤：（a）通过曝光来确定第一数据 （b）通过用扫描探针显微镜扫描缺陷来确定第二数据，（c）通过用扫描粒子显微镜扫描缺陷来确定第三数据，以及（d）将第一，第二 和第三个数据。
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10.发明申请
公开(公告)号：WO2009085240A2
公开(公告)日：2009-07-09
申请号：PCT/US2008/013958
申请日：2008-12-22
Applicant: CORNELL RESEARCH FOUNDATION, INC. , LAL, Amit
Inventor： LAL, Amit
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/20 , G03F1/22 , G03F7/2039 , G03F7/2065
Abstract: A self-powered 'near field' lithographic system 100 includes three primary components, namely, a thin film or emitter substrate 110 including a radioactive material (e.g., a radioisotope 112), a target substrate 120 which carries an energy-modifiable layer 122 (e.g., photo-resist) and a stencil (e.g., 130) that is either positioned between the emitter and target substrates fabricated upon and defined in the emitter substrate. The stencil is made from a material capable of blocking particles emitted through radioactive decay from the radioisotope of the emitter substrate. The stencil includes openings or vias 132 patterned to permit selective transmission of the particles emitted through radioactive decay from the radioisotope of the emitter substrate 110, and the stencil is preferably placed up against (or very close to) the target substrate 120.
Abstract translation: 自供电的“近场”光刻系统100包括三个主要部件，即包括放射性材料（例如放射性同位素112）的薄膜或发射极衬底110，目标衬底120 携带能量可修改层122（例如，光刻胶）和模板（例如130），该模板位于在发射器基板上制造并限定在发射器基板上的发射器基板和目标基板之间。 模板由能够阻挡来自发射器基板的放射性同位素的放射性衰减而发射的粒子的材料制成。 该模板包括开口或通孔132，该开口或通孔被图案化以允许通过放射性衰变从发射器基板110的放射性同位素发射的粒子的选择性透射，并且模板优选地被放置在目标基板120上（或非常接近）。
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