公开(公告)号：WO2017000458A1

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：PCT/CN2015/093900

申请日：2015-11-05

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 郭炜 ,  刘兴东

IPC: H01L27/146 ,  G01T1/202

CPC classification number: H01L27/14676 ,  G01T1/202 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14672 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/308 ,  H01L31/085 ,  H01L31/115

Abstract: 一种射线检测基板及其制造方法和射线探测器。该射线检测基板包括：衬底基板（7）以及形成于衬底基板（7）上的薄膜晶体管（81）和信号存储单元；该薄膜晶体管（81）包括依次形成于该衬底基板（7）上的栅极（801）、绝缘层（802）、有源层（803）、源极（814）、漏极（824）和钝化层（806）；该信号存储单元包括存储电容（85），该存储电容（85）包括第一电极（807）和第二电极（809），该第一电极（807）形成在该绝缘层（802）上并与该漏极（824）搭接，该第二电极（809）连接接地线（820）；该钝化层（806）形成在该源极（814）、该漏极（824）、该第一电极（807）和该接地线（820）上。通过第一电极（807）与漏极（824）搭接、第二电极（809）与接地线（820）通过第一过孔（811）连接、第三电极（810）通过第二过孔（822）连接第一电极（807）的方式，减少掩膜使用次数，简化了射线检测基板生产的加工工艺，降低了生产成本。

公开(公告)号：WO2014072939A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：PCT/IB2013/059990

申请日：2013-11-08

Applicant: KONINKLIJKE PHILIPS N.V. ,  PHILIPS DEUTSCHLAND GMBH

Inventor： HERRMANN, Christoph ,  STEADMAN BOOKER, Roger

IPC: G01T1/24

CPC classification number: G01J1/44 ,  G01J2001/4446 ,  G01T1/00 ,  G01T1/24 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/085 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1832

Abstract: The invention relates to radiation detection with a directly converting semiconductor layer for converting an incident radiation into electrical signals. Sub-band infra-red (IR) irradiation considerably reduces polarization in the directly converting semiconductor material when irradiated, so that counting is possible at higher tube currents without any baseline shift. An IR irradiation device is integrated into the readout circuit to which the crystal is flip-chip bonded in order to enable 4-side-buttable crystals.

Abstract translation: 本发明涉及具有直接转换半导体层的放射线检测，用于将入射辐射转换为电信号。 子带红外（IR）照射显着降低了直接转换半导体材料的照射时的偏振，从而可以在更高的管电流下进行计数，而无任何基线偏移。 将IR照射装置集成到晶体被倒装芯片接合的读出电路中，以便能够实现4面可晶的晶体。

公开(公告)号：WO2014006812A1

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：PCT/JP2013/003256

申请日：2013-05-22

Applicant: 株式会社島津製作所

Inventor： 貝野　正知 ,  吉牟田　利典 ,  徳田　敏 ,  岸原　弘之 ,  吉松　聖菜 ,  土岐　貴弘

IPC: G01T1/24 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/09

CPC classification number: H01L27/14661 ,  H01L31/085

Abstract: 　従来では正孔阻止層が無機半導体で形成されていたのを替えて、導電性の有機結晶物で正孔阻止層２４を形成する。有機結晶物は有機溶剤に容易に溶解するので、有機結晶物が溶解した有機溶剤を塗布することにより、導電性の有機結晶物からなる正孔阻止層２４を大面積で形成することができる。具体的には、スピンコータ、ディスペンサ、インクジェットなどの塗布装置で正孔阻止層２４を一様に塗布することができる。また、インクジェットを用いれば正孔阻止層２４を画素単位で（画素電極１１毎に）パターン形成することが可能である。その結果、真空中で形成することなく塗布により、例えば数百ｎｍ～数μｍ程度の厚みの正孔阻止層２４を有した構造を簡易に実現することができる。

Abstract translation: 尽管迄今为止由无机半导体形成空穴阻挡层，但空穴阻挡层（24）由导电有机结晶物质形成。 由于有机结晶物质容易溶解在有机溶剂中，所以由导电有机结晶物质产生的空穴阻挡层（24）可以通过涂布有机结晶物质溶解的有机溶剂而形成为具有大的面积。 更具体地，空穴阻挡层（24）可以通过诸如旋涂机，分配器或喷墨的涂布装置均匀地涂覆。 此外，如果使用喷墨，则空穴阻挡层（24）可以逐像素地（相对于每个像素电极（11））图案形成。 结果，具有例如约几百纳米至几微米厚度的空穴阻挡层（24）的结构可以容易地通过涂覆而不在真空中形成。

公开(公告)号：WO2013082721A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：PCT/CA2012/050881

申请日：2012-12-07

Applicant: KARIM, Karim S. ,  ABBASZADEH, Shiva

Inventor： KARIM, Karim S. ,  ABBASZADEH, Shiva

IPC: G01J1/42 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02164 ,  H01L31/085 ,  H01L31/18

Abstract: The present disclosure provides a high electric field radiation detector including a first electrode, a second electrode, a radiation detecting layer, and a soft polymer layer below the radiation detecting layer and in contact with at least the first electrode. The present disclosure provides a method of manufacturing a radiation detector including obtaining a first electrode, depositing a soft polymer layer on the first electrode, depositing a radiation detecting layer above the soft polymer layer, and depositing a second electrode above the amorphous material layer. The present disclosure also provides a method of manufacturing a radiation detector including obtaining a first electrode and a second electrode, depositing a soft polymer layer on the first electrode and the second electrode, and depositing a radiation detecting layer above the soft polymer layer.

Abstract translation: 本公开提供了一种高电场辐射检测器，其包括第一电极，第二电极，放射线检测层和在辐射检测层下方并与至少第一电极接触的软聚合物层。 本公开提供一种制造辐射检测器的方法，包括获得第一电极，在第一电极上沉积软聚合物层，在软聚合物层之上沉积放射线检测层，以及在第二电极上方沉积第二电极。 本公开还提供了一种制造辐射检测器的方法，包括获得第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极上沉积软聚合物层，以及在软聚合物层上方沉积放射线检测层。

公开(公告)号：WO2012154334A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：PCT/US2012/032275

申请日：2012-04-05

Applicant: INTERNATIONAL CRYSTAL LABORATORIES ,  HERPST, Robert ,  YAKIMOVICH, Uladzimir

Inventor： HERPST, Robert ,  YAKIMOVICH, Uladzimir

IPC: G01T1/24

CPC classification number: G01T1/24 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/085 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/1864

Abstract: The present invention provides a radiation detection system for detecting X-ray and gamma rays featuring Cd 1-x M g x Te in solid solution as a crystal semiconductor and electrical connection means. The crystal has a composition in the range of Cd o.99 Mg o.01 Te to Cd o.71 M go.29 Te and may be doped with indium or another Group III element, which may be suitable for use at room temperature as well as controlled temperatures. The present invention further provides a method for detecting X- or gamma ray radiation by (a) providing a solid solution Cd i-x M gx Te crystal in the composition range of Cd o.99 Mg o.01 Te to Cd o.71 Mg o.29 Te; (b) providing an electrical contact means for connecting the Cd i-x M gx Te crystal to an amplification, measurement, identification or imaging means; and (c) detecting the presence of the X- or gamma ray radiation.

Abstract translation: 本发明提供了一种用于检测作为晶体半导体的固体溶液中具有Cd 1-x Mg x Te的X射线和γ射线的放射线检测系统和电连接装置。 晶体具有Cdo.99Mgo.01Te至Cdo.71Mo.29Te范围内的组成，并且可以掺杂铟或另一种III族元素，其可适用于室温和受控温度。 本发明还提供了一种用于通过（a）在Cdo.99Mgo.01Te至C0.71Mg0.9Te的组成范围内提供固溶体Cdi-xMgxTe晶体来检测X射线或γ射线辐射的方法; （b）提供用于将Cdi-xMgxTe晶体连接到放大，测量，识别或成像装置的电接触装置; 和（c）检测X射线或γ射线辐射的存在。

公开(公告)号：WO2012145641A2

公开(公告)日：2012-10-26

申请号：PCT/US2012/034473

申请日：2012-04-20

Applicant: REDLEN TECHNOLOGIES ,  CHEN, Henry ,  AWADALLA, Salah ,  MARTHANDAM, Pramodha

Inventor： CHEN, Henry ,  AWADALLA, Salah ,  MARTHANDAM, Pramodha

IPC: H01L31/115

CPC classification number: H01L31/085 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/1828 ,  Y02E10/543

Abstract: A radiation detector includes a semiconductor substrate which contains front and rear major surfaces and at least one side surface, a guard ring and a plurality of anode electrode pixels located over the rear surface of the semiconductor substrate, where each anode electrode pixel is formed between adjacent pixel separation regions, a side insulating layer formed on the at least one side surface of the semiconductor substrate, a cathode electrode located over the front major surface of the semiconductor substrate, and an electrically conductive cathode extension formed over at least a portion of side insulating layer, where the cathode extension contacts an edge of the cathode electrode. Further embodiments include various methods of making such semiconductor radiation detector.

Abstract translation: 辐射检测器包括半导体衬底，其包含前后主表面和至少一个侧表面，保护环和位于半导体衬底的后表面上方的多个阳极电极像素，其中每个阳极电极像素形成在相邻 像素分离区域，形成在半导体衬底的至少一个侧表面上的侧绝缘层，位于半导体衬底的前主表面上方的阴极电极和形成在侧绝缘层的至少一部分侧壁上的导电阴极延伸部 其中阴极延伸部接触阴极电极的边缘。 另外的实施例包括制造这种半导体辐射检测器的各种方法。

公开(公告)号：WO2011124421A3

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：PCT/EP2011052960

申请日：2011-03-01

Applicant: GSI HELMHOLTZZENTRUM SCHWERIONENFORSCHUNG GMBH ,  VOSS BERND

Inventor： VOSS BERND

IPC: G01T1/29 ,  G01T1/26

CPC classification number: G01T1/26 ,  G01T1/29 ,  H01L31/085

Abstract: The invention relates to a detector element device (2, 14) for detecting particle radiation (3). The detector element device (2, 14) has a substrate layer (4) and two electrode layers (5, 6, 15, 16). The substrate layer (4) consists of hetero-epitaxially produced diamond material (23) at least in regions, while at least one electrode layer (5, 6, 15, 16) consists of diamond-like carbon (29) at least in regions.

Abstract translation: 本发明涉及一种检测器元件的装置（2,14），用于检测粒子辐射（3）。 检测器元件的装置（2，14）具有基体层（4）和两个电极层（5，6，15，16）。 基材层（4）至少部分地由异质外延生产的金刚石材料（23），同时至少一个电极层（5,6，15，16）至少部分的类金刚石碳（29）。

公开(公告)号：WO2012021519A2

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：PCT/US2011/047088

申请日：2011-08-09

Applicant: NORTHWESTERN UNIVERSITY ,  KANATZIDIS, Mercouri G. ,  ANDROULAKIS, Ioannis ,  JOHNSEN, Simon ,  PETER, Sebastian C.

Inventor： KANATZIDIS, Mercouri G. ,  ANDROULAKIS, Ioannis ,  JOHNSEN, Simon ,  PETER, Sebastian C.

IPC: G01T1/24 ,  H01L31/09

CPC classification number: G01T1/24 ,  H01L31/085

Abstract: Compounds, methods and devices for detecting incident radiation, such as incident x-rays or gamma-rays, are provided. The detection of incident radiation can be accomplished by employing inorganic compounds that include elements with high atomic numbers, that have band gaps of at least about 1.5 eV, and that have an electrical resistivity of at least 10 6 Ωcm as photoelectric materials in a radiation detector. The compounds include inorganic compounds comprising at least one element from periods five or six of the Periodic Table of the Elements.

Abstract translation: 提供了用于检测诸如入射X射线或伽马射线的入射辐射的化合物，方法和装置。 入射辐射的检测可以通过使用无机化合物来实现，所述无机化合物包括具有高原子序数的元素，其具有至少约1.5eV的带隙并且具有至少10 6Ωcm的电阻率 作为辐射探测器中的光电材料。 这些化合物包括含有至少一种元素周期表第五或第六周期元素的无机化合物。

公开(公告)号：WO2008136188A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：PCT/JP2008/001099

申请日：2008-04-25

Applicant: パナソニック株式会社 ,  山本敏義 ,  井野芳浩

Inventor： 山本敏義 ,  井野芳浩

IPC: H01J31/49 ,  G01T1/24 ,  H01L31/09 ,  H04N5/32

CPC classification number: H01L31/085 ,  G01T1/246 ,  H01J31/28 ,  H01J31/49 ,  H01L27/14676 ,  H04N5/32

Abstract: 　Ｘ線撮像デバイス（１）は、Ｘ線検出部（２）、冷電子源（３）、及び遮光コーティング層（９）を備える。Ｘ線検出部（２）は、Ｘ線が入射すると電荷を発生するＸ線変換材料からなるＸ線変換層と、Ｘ線変換層の入射面に形成された第１の電荷注入阻止層、及びＸ線変換層の背面に形成された第２の電荷注入阻止層を備える。冷電子源（３）は、それぞれＸ線検出部（２）の第２の電荷注入阻止層に向けて電子を放出可能である複数のマトリクス状に配置された電子放出部を備える。遮光コーティング層（９）はＸ線検出部（２）への可視光の入射を遮る。

Abstract translation: 公开了一种包括X射线检测单元（2），冷电子源（3）和遮光涂层（9）的X射线成像设备（1）。 X射线检测单元（2）包括由在X射线入射时产生电荷的X射线转换材料构成的X射线转换层，形成在入射面的入射面上的第一电荷注入阻挡层 X射线转换层和形成在X射线转换层的后表面上的第二电荷注入阻挡层。 冷电子源（3）包括排列成矩阵状的多个电子发射部分，每个电子发射部分能够向X射线检测单元（2）的第二电荷注入阻挡层发射电子。 遮光涂层（9）阻挡可见光入射到X射线检测单元（2）中。

公开(公告)号：WO2006022583A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：PCT/SE2005/001228

申请日：2005-08-23

Applicant: NILSSON MATERIALS AB ,  JUNNO, Bert ,  STÅLEMARK, Jan

Inventor： JUNNO, Bert ,  STÅLEMARK, Jan

IPC: G01T1/24

CPC classification number: G01T1/2928 ,  G01T1/2018 ,  H01L27/14659 ,  H01L31/085

Abstract: A detector for detecting ionising radiation comprising at least one detector arranged to be connected to a read-out arrangement for the reading-out and the evaluation of a signal from the detector, which detector comprises a carrier material and a layer (4) comprising an active detector material applied to the carrier material, which active detector material is arranged, in the event of its receiving incident ionising radiation (3) that is incident upon the said layer (4), to give rise to ionisation in the said active detector material in the said layer (4), where an electrical field is applied across the said layer (4), whereby the said ionisation gives rise to an electric current, which said read-out arrangement is arranged to detect such that it can in this way detect the said incident ionising radiation (3) . The invention is characterised in that the said active detector material in the said layer contains ZnO to such an extent that ionising radiation gives rise to a detectable electric current.

Abstract translation: 一种用于检测电离辐射的检测器，包括至少一个检测器，其布置成连接到读出装置，用于读出和评估来自检测器的信号，该检测器包括载体材料和包括 在其接收入射在所述层（4）上的入射电离辐射（3）的情况下，施加到所述载体材料的主动检测器材料，所述有源检测器材料被布置，以在所述有源检测器材料中引起电离 在所述层（4）中，其中电场施加在所述层（4）上，由此所述电离产生电流，所述读出装置被布置成检测以使得其可以以这种方式 检测所述入射电离辐射（3）。 本发明的特征在于，所述层中的所述有源检测器材料含有ZnO，使得电离辐射产生可检测的电流。