公开(公告)号：WO2017009777A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：PCT/IB2016/054159

申请日：2016-07-12

Applicant: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： HE, Jr-Hau ,  LIN, Chun-Ho

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/10 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/03926 ,  G01J1/429 ,  G01J2001/4446 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/032 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/50

Abstract: Deformable optoelectronic devices are provided, including photodetectors, photodiodes, and photovoltaic cells. The devices can be made on a variety of paper substrates, and can include a plurality of fold segments in the paper substrate creating a deformable pattern. Thin electrode layers and semiconductor nanowire layers can be attached to the substrate, creating the optoelectronic device. The devices can be highly deformable, e.g. capable of undergoing strains of 500% or more, bending angles of 25° or more, and/or twist angles of 270° or more. Methods of making the deformable optoelectronic devices and methods of using, e.g. as a photodetector, are also provided.

Abstract translation: 提供了可变形的光电子器件，包括光电检测器，光电二极管和光伏电池。 这些装置可以在各种纸基材上制成，并且可以在纸基材中包括多个折叠部分，从而产生可变形图案。 可以将薄电极层和半导体纳米线层附着到衬底上，从而产生光电器件。 这些装置可以是高度可变形的，例如。 能够承受500％以上的弯曲角度，25°以上的弯曲角度和270°以上的扭曲角度的应变。 制造可变形光电子器件的方法和使用方法，例如， 作为光电检测器也被提供。

公开(公告)号：WO2018017976A1

公开(公告)日：2018-01-25

申请号：PCT/US2017/043329

申请日：2017-07-21

Applicant: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY ,  TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LIMITED ,  CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY

Inventor： CHAN, Ching-Kit ,  LEE, Patrick A. ,  LINDNER, Netanel ,  REFAEL, Gil ,  MA, Qiong ,  XU, Suyang ,  GEDIK, Nuh

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L49/003 ,  G01J1/0429 ,  G01J1/44 ,  G01J3/0224 ,  G01J5/10 ,  G01J2001/4446 ,  H01L31/0264

Abstract: The generation of photocurrent in an ideal two-dimensional Dirac spectrum is symmetry forbidden. In sharp contrast, a three-dimensional Weyl semimetal can generically support significant photocurrent due to the combination of inversion symmetry breaking and finite tilts of the Weyl spectrum. To realize this photocurrent, a noncentrosymmetric Weyl semimetal is coupled to a pair of electrodes and illuminated with circularly polarized light without any voltage applied to the Weyl semimetal. The wavelength of the incident light can range over tens of microns and can be adjusted by doping the Weyl semimetal to change its chemical potential.

Abstract translation: 在理想的二维狄拉克光谱中产生光电流是对称禁止的。 与此形成鲜明对比的是，由于Weyl光谱的反演对称性破缺和有限倾斜的组合，三维Weyl半金属一般可支持显着的光电流。 为了实现这种光电流，将非中心对称的Weyl半金属耦合到一对电极并用圆偏振光照射，而没有任何电压施加到Weyl半金属上。 入射光的波长可以在几十微米的范围内，并且可以通过掺杂Weyl半金属以改变其化学势来进行调节。

公开(公告)号：WO2016204855A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/US2016/027946

申请日：2016-04-15

Applicant: RAYTHEON BBN TECHNOLOGIES CORP.

Inventor： FONG, Kin, Chung ,  OHKI, Thomas, A.

IPC: H01L29/16 ,  G01J1/42 ,  G01J1/44

CPC classification number: H01L31/109 ,  G01J1/42 ,  G01J1/4257 ,  G01J1/44 ,  G01J5/20 ,  G01J2001/442 ,  G01J2001/4446 ,  H01L29/1606 ,  H01L31/03044 ,  H01L39/223

Abstract: A detector for detecting single photons of infrared radiation. A waveguide configured to transmit infrared radiation is arranged to be adjacent a graphene sheet and configured so that evanescent waves from the waveguide overlap the graphene sheet. An infrared photon absorbed by the graphene sheet from the evanescent waves heats the graphene sheet. The graphene sheet is coupled to the weak link of a Josephson junction, and a constant bias current is driven through the Josephson junction, so that an increase in the temperature of the graphene sheet results in a decrease in the critical current of the Josephson junction and a voltage pulse in the voltage across the Josephson junction. The voltage pulse is detected by the pulse detector.

Abstract translation: 用于检测单个光子的红外辐射的检测器。 布置成透射红外辐射的波导被布置成与石墨烯片相邻并且被配置为使得来自波导的消逝波与石墨烯片重叠。 石墨烯片从ev逝波吸收的红外光子加热石墨烯片。 石墨烯片被耦合到约瑟夫逊结的弱连接处，并且通过约瑟夫逊结驱动恒定的偏置电流，使得石墨烯片的温度升高导致约瑟夫逊结的临界电流的降低，并且 在约瑟夫逊结的电压中的电压脉冲。 电压脉冲由脉冲检测器检测。

公开(公告)号：WO2017136585A1

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：PCT/US2017/016270

申请日：2017-02-02

Applicant: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY

Inventor： ZHAO, Qingyuan ,  BERGGREN, Karl, K.

IPC: G01J1/00 ,  G01J1/44 ,  H01L27/18 ,  B82Y15/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y25/00

CPC classification number: H01L27/18 ,  G01J1/42 ,  G01J1/44 ,  G01J3/0286 ,  G01J3/2803 ,  G01J5/023 ,  G01J5/061 ,  G01J5/20 ,  G01J2001/442 ,  G01J2001/4446 ,  H01L23/66 ,  H01L39/10 ,  H01L39/125 ,  H01L39/16 ,  H01L39/2416 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6672 ,  H04N5/378

Abstract: An integrated, superconducting imaging sensor may be formed from a single, meandering nanowire. The sensor is capable of single-photon (or single-event) detection and imaging with -10 micron spatial resolution and sub-lOO-picosecond temporal resolution. The sensor may be readily scaled to large areas.

Abstract translation: 集成超导成像传感器可以由单一曲折纳米线形成。 该传感器能够以-10微米的空间分辨率和低于100微微秒的时间分辨率进行单光子（或单一事件）检测和成像。 传感器可以很容易地扩展到大面积。

公开(公告)号：WO2015098073A1

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：PCT/JP2014/006359

申请日：2014-12-22

Applicant: CANON KABUSHIKI KAISHA

Inventor： SEKIGUCHI, Ryota ,  OUCHI, Toshihiko

IPC: H01L27/144 ,  G01N21/3581 ,  H01L31/108 ,  H01L31/112 ,  H01L31/18 ,  H01L29/872 ,  H01L27/07

CPC classification number: H01L31/1123 ,  G01J1/44 ,  G01J2001/4446 ,  G01N21/3581 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872 ,  H01L31/1085 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: A semiconductor device includes a silicon substrate and a detection element and p-type and n-type MOS transistors, which are arranged on the silicon substrate, wherein the detection element includes a semiconductor layer, electrodes, and a Schottkey barrier disposed therebetween, the semiconductor layer is arranged just above a layer having the same composition and height as those of an impurity diffusion layer in the source or drain of the p-type or n-type MOS transistor, a region, in the silicon substrate, having the same composition and height as those of a channel region, in the silicon substrate, just below a gate oxide film of the p-type MOS transistor or the n-type MOS transistor, or a region, in the silicon substrate, having the same composition and height as those of a region just below a field oxide film disposed between the p-type and the n-type MOS transistor.

Abstract translation: 半导体器件包括硅衬底和布置在硅衬底上的检测元件和p型和n型MOS晶体管，其中检测元件包括半导体层，电极和设置在其间的肖特基势垒，半导体 层位于具有与p型或n型MOS晶体管的源极或漏极中的杂质扩散层相同的组成和高度的层的正上方，硅衬底中具有相同组成的区域，以及 在硅衬底中刚好在p型MOS晶体管或n型MOS晶体管的栅极氧化膜的下方或硅衬底中的具有相同组成和高度的区域中的沟道区的高度， 位于p型和n型MOS晶体管之间的场氧化膜的正下方的区域。

公开(公告)号：WO2011063991A1

公开(公告)日：2011-06-03

申请号：PCT/EP2010/007281

申请日：2010-11-24

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  BACH, Heinz-Gunter

Inventor： BACH, Heinz-Gunter

IPC: H04B10/158 ,  H01L31/02

CPC classification number: H04B10/6911 ,  G01J1/44 ,  G01J2001/4446 ,  G01J2001/446 ,  H01L31/02 ,  H03F3/08 ,  H04B10/69

Abstract: Es wird eine Schaltungsanordnung zum Einstellen eines Ausgangspotentials am HF-Ausgang eines pin-Photoempfängers, der sich in Gleichspannungskopplung mit einem nachfolgenden Elektronikschaltkreis befindet, auf ein bestimmtes Potential vorgeschlagen. Dabei ist an den pin- Photoempfänger eine über einen ohmschen Abschlusswiderstand das Ausgangspotential beeinflussende Versorgungs Spannung anlegbar. Die Schaltungsanordnung umfasst eine Regelschleife zum Erzeugen und Regeln der Spannung der Spannungsversorgung, die einen Ausgangsanschluss aufweist, wobei die Regel -schleife einen ohmschen Nachbildungswiderstand, der an den ohmschen Abschlusswiderstand angeglichen ist, und Mittel zur Messung einer Spannungsdifferenz über den Nachbildungswiders tand und zum Reproduzieren der Spannungsdifferenz als Spannungspotential an den Ausgangsanschluss der Regelschleife aufweist. Weiterhin betrifft die Erfindung eine Photoempfängeranordnung mit einem pin-Photoempfänger mit mindestens einer Photodiode und der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung zum Einstellen des Ausgangspotentials am HF-Ausgang des Photoempfängers.

Abstract translation: 提出了一种用于在一个销光接收器的RF输出，这是在直流耦合至下游电子电路至预定的电势设置的输出电位的电路布置。 在这里，通过终端电阻器的电阻被连接到光电检测器销，输出电位影响电源电压可以施加。 该电路装置包括用于产生和控制具有输出端的电压电源的电压，一个控制回路，其中，所述控制回路的欧姆复制品电阻器，其与所述电阻终止对准，并且t和装置，用于测量跨过所述复制RESIS的电压差和再现 包括如在控制回路的输出端子处的电压电势差。 此外，本发明涉及一种光接收装置，其具有销相片接收器的至少一个光电二极管和根据本发明的用于在光接收器的RF输出调整输出电位的电路布置的。

公开(公告)号：WO2017014328A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：PCT/KR2015/007464

申请日：2015-07-17

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 김건년 ,  곽연화 ,  오해관

IPC: G01J1/42 ,  H01L31/09

CPC classification number: G01J1/429 ,  G01J1/42 ,  G01J2001/4446 ,  H01L31/09 ,  H03H9/02976

Abstract: 자외선 센서는 압전 물질; 압전 물질 상에 배치되고 자외선을 감지하는 감지막; 압전 물질 상에서 감지막의 일단에 배치되고 전기적 신호를 기초로 생성된 탄성파를 감지막에 제공하는 탄성파 입력부; 및 압전 물질 상에서 감지막의 다른 일단에 배치되고 제공된 탄성파를 기초로 생성된 전기적 신호의 주파수의 변화를 감지하는 탄성파 출력부를 포함한다. 따라서, 자외선 센서는 파티클 자체의 특성상 표면적이 넓어 더 많은 자외선에 반응할 수 있으므로 센서의 감도를 향상시킬 수 있고, 산화아연(ZnO) 나노파티클을 사용하여 탄성파의 주파수 변화를 측정하기 때문에 가격 경쟁력을 확보할 수 있다.

Abstract translation: 公开了一种紫外线传感器，包括：压电材料; 检测膜，布置在压电材料上，用于检测紫外线; 弹性波输入单元，布置在压电材料上，位于检测膜的一端，用于向检测膜提供基于电信号产生的弹性波; 以及布置在压电材料上的弹性波输出单元，位于检测膜的另一端，用于检测基于所提供的弹性波产生的电信号的频率变化。 因此，由于由于颗粒本身的特性，紫外线传感器能够响应于更多数量的紫外线，因此能够提高传感器的灵敏度，并且随着测量弹性波的频率变化 通过氧化锌（ZnO）纳米粒子，可以确保成本竞争力。

公开(公告)号：WO2016182732A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：PCT/US2016/029420

申请日：2016-04-27

Applicant: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.

Inventor： ZABEL, Brian ,  CARTY, Chad ,  COLE, Barrett E.

IPC: G01J1/18 ,  G01J1/02

CPC classification number: G01J1/429 ,  G01J1/0228 ,  G01J1/4228 ,  G01J1/44 ,  G01J5/0018 ,  G01J2001/444 ,  G01J2001/4446

Abstract: Utilizing a quench time to deionize an ultraviolet (UV) sensor tube are described herein. One method includes monitoring firing events within a UV sensor tube, where a particular firing event initiates arming the UV sensor tube, initiating a quench time to deionize the UV sensor tube, where the quench time includes, disarming the UV sensor tube to prevent a firing event.

Abstract translation: 本文描述了利用淬灭时间来去离子紫外（UV）传感器管。 一种方法包括监测UV传感器管内的点火事件，其中特定的点火事件启动布置UV传感器管，启动淬火时间以使UV传感器管去离子，其中骤冷时间包括撤防UV传感器管以防止发射 事件。

公开(公告)号：WO2014072939A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：PCT/IB2013/059990

申请日：2013-11-08

Applicant: KONINKLIJKE PHILIPS N.V. ,  PHILIPS DEUTSCHLAND GMBH

Inventor： HERRMANN, Christoph ,  STEADMAN BOOKER, Roger

IPC: G01T1/24

CPC classification number: G01J1/44 ,  G01J2001/4446 ,  G01T1/00 ,  G01T1/24 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/085 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1832

Abstract: The invention relates to radiation detection with a directly converting semiconductor layer for converting an incident radiation into electrical signals. Sub-band infra-red (IR) irradiation considerably reduces polarization in the directly converting semiconductor material when irradiated, so that counting is possible at higher tube currents without any baseline shift. An IR irradiation device is integrated into the readout circuit to which the crystal is flip-chip bonded in order to enable 4-side-buttable crystals.

Abstract translation: 本发明涉及具有直接转换半导体层的放射线检测，用于将入射辐射转换为电信号。 子带红外（IR）照射显着降低了直接转换半导体材料的照射时的偏振，从而可以在更高的管电流下进行计数，而无任何基线偏移。 将IR照射装置集成到晶体被倒装芯片接合的读出电路中，以便能够实现4面可晶的晶体。