一种用碳包覆制备低氧含量、高热导的氮化硅陶瓷的方法及其应用

    公开(公告)号:WO2021259388A1

    公开(公告)日:2021-12-30

    申请号:PCT/CN2021/114388

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 本发明属于陶瓷技术领域,公开了一种用碳包覆制备制备低氧含量、高热导的氮化硅陶瓷的方法及其应用,该方法是将聚多巴胺包覆的的氮化硅粉末与烧结助剂混合,获得混合粉末置于石墨模具,在真空气氛下加热至600~800℃碳化,形成核壳结构的碳-氮化硅粉末,然后加以20~30MPa轴向压力,在保护气氛下,加热至1200~1500℃还原反应,再升温至1600~2000℃烧结,制得氮化硅陶瓷。本发明可精确控制碳层分布和精准调节碳层结构,有效还原氮化硅表面二氧化硅,降低氮化硅粉末氧含量,提高氮化硅陶瓷热导率。该氮化硅陶瓷的致密度高于98.5%,其热导率可达80W/(m·K)以上。

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