半導体基板の製造方法及び組成物

    公开(公告)号:WO2022270484A1

    公开(公告)日:2022-12-29

    申请号:PCT/JP2022/024633

    申请日:2022-06-21

    Abstract: エッチング耐性、耐熱性及び曲がり耐性に優れる膜を形成可能な組成物を用いる半導体基板の製造方法及び組成物を提供することを目的とする。基板に直接又は間接にレジスト下層膜形成用組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成されたレジスト下層膜に直接又は間接にレジストパターンを形成する工程と、上記レジストパターンをマスクとしたエッチングを行う工程とを含み、上記レジスト下層膜形成用組成物が、下記式(1)で表される繰り返し単位を有する重合体と、溶媒とを含有する、半導体基板の製造方法。(式(1)中、Ar1は、環員数5~40の芳香環を有する2価の基である。R0は、環員数5~40の芳香環を有する1価の基であり、下記式(2-1)で表される基及び下記式(2-2)で表される基からなる群より選ばれる少なくとも1つの基を有する。)(式(2-1)及び(2-2)中、R7は、それぞれ独立して、炭素数1~20の2価の有機基又は単結合である。*は芳香環における炭素原子との結合手である。)

    フェノール性水酸基含有樹脂及びレジスト材料
    2.
    发明申请
    フェノール性水酸基含有樹脂及びレジスト材料 审中-公开
    含酚羟基的树脂和抗蚀剂材料

    公开(公告)号:WO2018066373A1

    公开(公告)日:2018-04-12

    申请号:PCT/JP2017/034063

    申请日:2017-09-21

    CPC classification number: C09B69/103 C08G8/20 C08G8/30 C08L61/14 C09B11/06

    Abstract: 耐熱性やアルカリ現像性に加え、厚膜形成時の耐クラック性にも優れるフェノール性水酸基含有樹脂、これを含有する感光性組成物、硬化性組成物、及びレジスト材料を提供することを目的として、下記構造式(1)又は(2)[式中R 2 、R 3 はそれぞれ独立に脂肪族炭化水素基、芳香環含有炭化水素基、アルコキシ基、ハロゲン原子の何れかである。] で表される構造部位(α)と、下記構造式(3)(式中R 4 は水素原子又は炭素原子数1~7の脂肪族炭化水素基である。R 5 は水素原子又は炭素原子数8~24の脂肪族炭化水素基である。)で表される構造部位(β)とを繰り返し単位として有し、樹脂中に存在するR 2 、R 3 、R 5 のうち少なくとも一つが炭素原子数8~24の脂肪族炭化水素基であることを特徴とするフェノール性水酸基含有樹脂を提供する。

    Abstract translation: 含酚羟基的树脂在含有该酚羟基的树脂中具有优异的耐热性和碱显影性,并且在厚膜形成期间具有抗裂性,含有其的光敏组合物,可固化组合物和抗蚀剂 (1)或(2)其中R 2和R 3各自独立地为脂族烃基 ,含芳环的烃基,烷氧基或卤素原子。 (3)其中R 4是氢原子或具有1至7个碳原子的脂族烃基,并且由式(3)表示的结构部分(α) 5是氢原子或具有8-24个碳原子的脂族烃基)作为重复单元,并且存在于树脂中 R 2,R 3和R 5中的至少一个是具有8至24个碳原子的脂族烃基 提供了表征具有酚羟基的树脂。

    フェノール性水酸基含有化合物、フェノール性水酸基含有組成物、(メタ)アクリロイル基含有樹脂、硬化性組成物、その硬化物、及びレジスト材料
    5.
    发明申请
    フェノール性水酸基含有化合物、フェノール性水酸基含有組成物、(メタ)アクリロイル基含有樹脂、硬化性組成物、その硬化物、及びレジスト材料 审中-公开
    含有酚羟基的化合物,含酚羟基的组合物,含(甲基)丙烯酸基的树脂,可固化的组合物和固化的产品,以及耐腐蚀材料

    公开(公告)号:WO2014084097A1

    公开(公告)日:2014-06-05

    申请号:PCT/JP2013/081265

    申请日:2013-11-20

    Abstract:  耐熱性に優れる(メタ)アクリロイル基含有樹脂、及びその原料となるフェノール性水酸基含有化合物を提供する。下記一般式(1)[式中、R 1 、R 2 及びR 3 はそれぞれ独立して炭素原子数1~8のアルキル基であり、m及びnはそれぞれ独立して1~4の整数であり、pは0~4の整数である。また、Vは水素原子、(メタ)アクリロイルオキシ基または水酸基であり、W、X及びYはそれぞれ独立して(メタ)アクリロイルオキシ基または水酸基である。]で表される分子構造を有し、V、W、X、及びYの少なくとも一つが水酸基であり、また、V、W、X、及びYの少なくとも一つが(メタ)アクリロイルオキシ基であるフェノール性水酸基含有化合物。

    Abstract translation: 提供:含有(甲基)丙烯酰基的树脂,其耐热性优异; 以及含有酚羟基的化合物,其可以用作树脂的原料。 含有酚羟基的化合物,其具有由通式(1)表示的分子结构[其中R 1,R 2和R 3独立地表示具有1至8个碳原子的烷基; m和n独立地表示1〜4的整数。 p表示0〜4的整数, V表示氢原子,(甲基)丙烯酰氧基或羟基; W,X和Y独立地表示(甲基)丙烯酰氧基或羟基],其中V,W,X和Y中的至少一个表示羟基,V,W,X和Y中的至少一个表示 (甲基)丙烯酰氧基。

    アセナフチレン変性フェノール性樹脂及びエポキシ樹脂組成物
    7.
    发明申请
    アセナフチレン変性フェノール性樹脂及びエポキシ樹脂組成物 审中-公开
    乙二胺改性酚醛树脂和环氧树脂组合物

    公开(公告)号:WO2003104295A1

    公开(公告)日:2003-12-18

    申请号:PCT/JP2003/007360

    申请日:2003-06-10

    CPC classification number: C08L63/00 C08L65/00 C08L2666/16 C08L2666/22

    Abstract: 本発明は、電気・電子部品類の封止、回路基板材料等に好適な、高耐熱性、難燃性、低吸湿性に優れた硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物の硬化剤として有用なアセナフチレン変性フェノール性樹脂とそれから得られるエポキシ樹脂に関する。このアセナフチレン変性フェノール性樹脂は、フェノール樹脂又は多価フェノール100重量部に対し、3~50重量部のアセナフチレン類を用い、アセナフチレン類の30~100モル%をフェノール樹脂又は多価フェノールに付加反応させて得られ、このアセナフチレン変性フェノール性樹脂はエポキシ樹脂中間体やエポキシ樹脂硬化剤として有用である。

    Abstract translation: 通过使100重量份的酚醛树脂或多元酚与3〜50重量份的苊烯反应制备的苊烯改性酚醛树脂,以进行30〜100摩尔%的苊烯的加成反应 至酚醛树脂或多元酚; 和由苊烯改性酚醛树脂制备的环氧树脂。 苊烯改性酚醛树脂可用作环氧树脂中间体和环氧树脂的固化剂。 环氧树脂具有优异的耐热性,阻燃性和低吸湿性,因此适用于密封电气和电子部件以及作为电路板等的材料。

    THERMOPLASTIC RESIN COMPOSITION CONTAINING THERMOPLASTIC POLYMER CONTAINING ALICYCLIC GROUP AND MOLDED OBJECT
    8.
    发明申请
    THERMOPLASTIC RESIN COMPOSITION CONTAINING THERMOPLASTIC POLYMER CONTAINING ALICYCLIC GROUP AND MOLDED OBJECT 审中-公开
    含热塑性聚合物的热塑性树脂组合物含有ALICYCLIC GROUP和成型对象

    公开(公告)号:WO01036539A1

    公开(公告)日:2001-05-25

    申请号:PCT/JP2000/008087

    申请日:2000-11-16

    CPC classification number: G11B7/2538 C07C69/54 G11B7/2536

    Abstract: A thermoplastic resin composition (molding material) in which the problem that thermoplastic resins such as hydrogenated styrene polymers suffer a decrease in molecular weight upon melt molding and hence come to be mechanically brittle, is mitigated and which does not develop craze spots even when used in a high-temperature high-humidity atmosphere; and a substrate for optical recording media which comprises the composition. The thermoplastic resin composition comprises a thermoplastic polymer containing alicyclic groups and an addition-type stabilizer which can react by addition reaction with a free radical resulting from cleavage of the thermoplastic polymer.

    Abstract translation: 一种热塑性树脂组合物(模塑材料),其中诸如氢化苯乙烯聚合物之类的热塑性树脂在熔融模塑时分子量降低并因此变得机械脆性的问题被减轻,并且即使用于 高温高湿气氛; 以及包含该组合物的光学记录介质用基板。 热塑性树脂组合物包含含有脂环族基团的热塑性聚合物和加成型稳定剂,该加成型稳定剂可以通过加热反应与热塑性聚合物裂解产生的自由基反应。

    樹脂、樹脂の製造方法、硬化性樹脂組成物および硬化物

    公开(公告)号:WO2022034752A1

    公开(公告)日:2022-02-17

    申请号:PCT/JP2021/025105

    申请日:2021-07-02

    Abstract: 誘電特性に優れた新規な樹脂、ならびに、樹脂の製造方法、硬化性樹脂組成物および硬化物の提供。群(1)に記載された構成単位を有する樹脂。R1は、それぞれ独立に、メチレン基、メチレンオキシ基、メチレンオキシメチレン基またはオキシメチレン基を表す。R2およびR3は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数1~10のアルキル基、炭素数1~10のハロゲン化アルキル基、炭素数1~10のヒドロキシアルキル基、または、炭素数6~12のアリール基を表す。R4、R5およびR6は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~10のアルキル基、炭素数1~10のハロゲン化アルキル基、水酸基、炭素数1~10のヒドロキシアルキル基、または、炭素数6~12のアリール基を表す。

    SPIN-ON COMPOSITIONS COMPRISING AN INORGANIC OXIDE COMPONENT AND AN ALKYNYLOXY SUBSTITUTED SPIN-ON CARBON COMPONENT USEFUL AS HARD MASKS AND FILLING MATERIALS WITH IMPROVED SHELF LIFE

    公开(公告)号:WO2020169702A1

    公开(公告)日:2020-08-27

    申请号:PCT/EP2020/054421

    申请日:2020-02-20

    Abstract: The present invention relates to a composition comprising; components a) b) and d); wherein, component a) is a metal compound having the structure (I), component b) is a spin on high carbon polymer, having a polymer backbone comprising mono-cyclic aromatic hydrocarbon, fused-ring ring hydrocarbon moieties, or mixtures of these, having a wt. % of carbon from about 81 wt. % to about 94 wt. %, which is soluble to at least about 5 wt. % in a spin casting solvent, and wherein at least one, of said mono-cyclic aromatic hydrocarbon or said fused-ring ring hydrocarbon moieties, present in said spin on high carbon polymer, is functionalized with at least one alkynyloxy moiety of structure (VIII), and component d) is a spin casting solvent. The present invention further relates to using this composition in methods for manufacturing electronic devices through either the formation of a patterned films of high K material comprised of a metal oxide on a semiconductor substrate, or through the formation of patterned metal oxide comprised layer overlaying a semiconductor substrate which may be used to selectively etch the semiconductor substrate with a fluorine plasma.

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