公开(公告)号：WO2009016979A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：PCT/JP2008/063023

申请日：2008-07-18

Applicant: 日鉱金属株式会社 ,  矢部 淳司 ,  伊藤 順一 ,  日角 義幸 ,  関口 淳之輔 ,  伊森 徹

Inventor： 矢部 淳司 ,  伊藤 順一 ,  日角 義幸 ,  関口 淳之輔 ,  伊森 徹

IPC: C23C18/18 ,  C23C14/38 ,  C23C14/42 ,  C23C28/02 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C14/165 ,  C23C14/584 ,  C23C18/31 ,  C23C18/54 ,  C25D5/02 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12639 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/12826 ,  Y10T428/1284 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/12986 ,  Y10T428/265 ,  H01L2924/00

Abstract: 　無電解めっきにより超微細配線の形成が可能な、薄くかつ均一な膜厚で形成したシード層を有するめっき物であり、しかもシード層を形成する前にバリア層と触媒金属層の二層を形成する煩雑さを解消することができるめっき物、およびそのめっき物の製造方法。 　基材上に、無電解めっきの触媒活性を有する金属（Ａ）と、無電解めっき液に含まれる金属イオンと置換めっきが可能な金属（Ｂ）との合金薄膜が形成され、その上に無電解置換および還元めっきにより金属薄膜が形成されためっき物であって、該触媒活性を有する金属（Ａ）と該置換めっき可能な金属（Ｂ）との合金薄膜が、該金属（Ａ）を５原子％以上、４０原子％以下とする組成であり、該無電解置換および還元めっきにより形成された金属薄膜が厚さ１０ｎｍ以下で抵抗率１０μΩ・ｃｍ以下である金属薄膜であるめっき物。前記金属（Ｂ）は、金属薄膜の金属に対してバリア機能を有することが好ましい。

Abstract translation: 具有通过无电镀形成能够形成超细布线的薄而均匀的膜厚度的晶种层的电镀对象，并且在形成晶种层之前，阻挡层和 一种能够解决形成两层催化金属层的复杂情况的电镀产品，以及一种制造电镀产品的方法。 在基板上形成具有化学镀的催化活性的金属（A）和能够用无电镀溶液中所含的金属离子置换镀的金属（B）的合金薄膜， 其中金属薄膜通过电解置换和还原电镀以及具有催化活性的金属（A）和可取代的可镀金属的金属（B）的合金薄膜形成， 并且通过无电取代和还原镀形成的金属薄膜是厚度为10nm或更小并且电阻率为10μΩ·cm或更小的金属薄膜。 金属（B）优选对金属薄膜的金属具有阻挡功能。

公开(公告)号：WO2008048339A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：PCT/US2007/002098

申请日：2007-01-23

Applicant: IONIC FUSION CORPORATION ,  STOREY, Daniel, M.

Inventor： STOREY, Daniel, M.

IPC: C23C14/38 ,  C23C14/40 ,  C23C14/24

CPC classification number: C23C14/185 ,  C23C14/325 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32064

Abstract: An apparatus and method for initiation and control of a sustained metal plasma and nano plasma (macroparticulate) deposition methods for preparing modified metal coatings are provided. The plasma deposition process can be tightly controlled by virtue of a device that incorporates a plasma arc initiator component and an internal power supply that is capable of controlling dwell time on the target and the size range of particles ejected in the plasma arc.

Abstract translation: 提供了一种用于引发和控制用于制备改性金属涂层的持续金属等离子体和纳米等离子体（大颗粒）沉积方法的装置和方法。 等离子体沉积过程可以通过结合等离子体电弧引发剂组分的装置和能够控制目标上的停留时间以及在等离子体电弧中喷射的颗粒的尺寸范围的内部电源来严格控制。

公开(公告)号：WO2007100363A1

公开(公告)日：2007-09-07

申请号：PCT/US2006/043296

申请日：2006-11-06

Applicant: IONIC FUSION CORPORATION ,  STOREY, Daniel, M.

Inventor： STOREY, Daniel, M.

IPC: C23C14/38 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/20 ,  B05D1/007 ,  B05D3/067 ,  B05D5/068 ,  C09D5/44 ,  C23C14/325 ,  C23C14/54 ,  C23C14/584 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/266 ,  Y10T428/31 ,  Y10T428/31678

Abstract: A plasma vapor deposition method for producing highly reflective and adherent metal or metal alloy decorative coatings on articles such as automotive fixtures is described. The improved coatings are particularly applicable to chrome based coatings on automobile fixtures and accessories, including wheels, hubcaps, bumpers and door handles. The method also provides plated metal coatings such as gold, platinum and silver for jewelry and industrial tools.

Abstract translation: 描述了用于在诸如汽车固定装置的物品上生产高反射和粘附的金属或金属合金装饰涂层的等离子体气相沉积方法。 改进的涂料特别适用于汽车固定装置和附件上的铬基涂层，包括轮毂，轮毂盖，保险杠和门把手。 该方法还提供电镀金属涂层，如金，铂和银，用于首饰和工业工具。

公开(公告)号：WO99014792A1

公开(公告)日：1999-03-25

申请号：PCT/US1998/018898

申请日：1998-09-09

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/04 ,  C23C14/35 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/285 ,  C23C14/38 ,  C23C14/40

CPC classification number: C23C14/345 ,  C23C14/046 ,  C23C14/35 ,  C23C14/358 ,  H01J37/321 ,  H01J37/34

Abstract: A plasma chamber in a semiconductor fabrication system uses a two step process to sputter deposit material onto a substrate. The first step provides a power ratio of RF power to DC power optimized to increase uniformity of deposition of material onto a workpiece from a first target. A second step involves applying little to no DC power to the target, while an RF power is coupled into a plasma generation region to sputter material from a second target onto the workpiece. It has been found that material from the second target provides greater sidewall coverage of channels located on the workpiece, as well as increasing the uniformity of the deposit on the surface of the workpiece.

Abstract translation: 半导体制造系统中的等离子体室使用两步法将沉积材料溅射到衬底上。 第一步提供RF功率与直流功率的功率比，其优化以增加材料从第一靶标到工件上的沉积的均匀性。 第二步涉及对目标施加少至无直流电力，同时将RF功率耦合到等离子体产生区域中以将材料从第二目标溅射到工件上。 已经发现，来自第二靶的材料提供了位于工件上的通道更大的侧壁覆盖，并且增加了沉积物在工件表面上的均匀性。

公开(公告)号：WO2010114159A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：PCT/JP2010/056139

申请日：2010-03-30

Applicant: FUJIFILM CORPORATION ,  KOBAYASHI, Hiroyuki ,  SUZUKI, Shinya ,  FUKUNAGA, Toshiaki ,  KUBO, Hiroshi

Inventor： KOBAYASHI, Hiroyuki ,  SUZUKI, Shinya ,  FUKUNAGA, Toshiaki ,  KUBO, Hiroshi

IPC: H01L31/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/38 ,  C23C14/40 ,  H01L21/363 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L21/02568 ,  C23C14/06 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02617 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: Forming an alkali (earth) metal layer of a photoelectric conversion device with high productivity. In manufacturing a photoelectric conversion device having a photoelectric conversion layer that includes, as a major component, a compound semiconductor having a chalcopyrite structure formed of a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element, an alkali (earth) metal supply layer is formed by a sputtering method using a semi-conductive or conductive target that includes one or more types of alkali metals and/or alkali earth metals. Alternatively, an alkali (earth) metal supply layer is formed by a reactive sputtering method in the presence of oxygen and/or nitrogen using a semi-conductive or conductive target that includes one or more types of alkali metals and/or alkali earth metals.

Abstract translation: 以高生产率形成光电转换装置的碱（地）金属层。 在制造具有光电转换层的光电转换装置中，作为主要成分，具有由Ib族元素，IIIb族元素和VIb族元素形成的黄铜矿结构的化合物半导体，碱（地）金属 供给层通过使用包含一种或多种碱金属和/或碱土金属的半导体或导电性靶的溅射法形成。 或者，使用包含一种或多种碱金属和/或碱土金属的半导体或导电靶，通过反应溅射法在氧和/或氮的存在下形成碱金属（地球）金属供给层。

公开(公告)号：WO2010060259A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：PCT/CN2009/001035

申请日：2009-09-15

Applicant: 北京坚润表面材料研究所 ,  张弋飞 ,  张昕辉

Inventor： 张弋飞 ,  张昕辉

IPC: C23C8/06 ,  C23C8/36 ,  C23C10/06 ,  C23C14/38 ,  B05B9/04

CPC classification number: C23C8/06 ,  C23C8/36 ,  C23C10/06 ,  C23C14/48 ,  D06M11/09 ,  D06M14/18 ,  D06M16/00 ,  H01J37/32018 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522

公开(公告)号：WO2008039160A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：PCT/UA2007/000007

申请日：2007-01-24

Applicant: САДОХИН Виктор Пэтровыч ,  ДУДКОДаныло Андрийовыч

Inventor： САДОХИН Виктор Пэтровыч ,  ДУДКОДаныло Андрийовыч ,  КИСТЭРСКИ Людмила

IPC: B82B3/00 ,  C23C14/38 ,  A61K33/38

CPC classification number: C23C14/34

Abstract: Изобретение относится к обработке материалов в вакууме методом локализованного высоковольтного тлеющего разряда, а именно, к распылению и направленному переносу наноразмерных частиц электропроводных материалов. Способ предназначен для приготовления высококонцентрированных суспензий наноразмерных электропроводных материалов на основе водорастворимых и не водорастворимых жидкостей. Способ реализуется с помощью устройства, которое состоит из системы распыления материала катода и размещенной в вакуумной камере емкости с обрабатываемой жидкостью. Техническим результатом изобретения является возможность создания высококонцентрированных однородных суспензий на основе широкого спектра жидкостей и расплавов.

Abstract translation: 本发明涉及通过局部高压辉光放电的真空中的处理材料，特别涉及雾化和定向转移导电材料的纳米尺寸颗粒。 本发明的方法用于生产基于水溶性和水不溶性液体的纳米尺寸导电材料的高浓度悬浮液和用于实施所述方法的装置。 所述方法通过由用于雾化阴极材料并位于包含可加工液体的容器的真空室中的系统组成的装置进行。 所述发明使得可以基于液体和合金的延伸范围来生产高度浓缩的均匀悬浮液。

公开(公告)号：WO2021146798A1

公开(公告)日：2021-07-29

申请号：PCT/CA2021/050037

申请日：2021-01-15

Applicant: 2S WATER INCORPORATED

Inventor： JOHNSON, Neil ,  PALMGREN, Anders ,  NELSON, Anthony

IPC: G01N21/69 ,  C23C14/38 ,  H01J13/02 ,  G01N21/67 ,  H01J13/00 ,  H01J13/10 ,  H01J13/24 ,  H01J13/244

Abstract: A liquid electrode tip has a housing with a top, a bottom and at least one peripheral side wall. The housing has a liquid inlet and a liquid outlet. The liquid outlet is located at the top of the housing. A solution reservoir is positioned within the housing. The solution reservoir has a solution inlet in fluid communication with the liquid inlet and a solution outlet in fluid communication with the liquid outlet. A conductor is positioned within the housing with at least a portion of the conductor being submerged by a liquid in the solution reservoir. A staging area at the top of the housing is provided into which the liquid from the solution reservoir flows from the liquid outlet.

公开(公告)号：WO2015181832A3

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：PCT/IN2015000215

申请日：2015-05-20

Applicant: RAO RAGHAVENDRA PRIYA

Inventor： RAO RAGHAVENDRA PRIYA ,  NARAYANAN MANOJ CHUZHATTIL ,  JACOB THOMAS

IPC: H05H1/46 ,  C23C14/38 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34

CPC classification number: F26B3/347 ,  B01J19/12 ,  H01J25/50 ,  H05B6/78

Abstract: This invention describes large microwave/radiofrequency (RF/MW) heating equipments scalable to any size heated with RF/MW heating systems employing multiple magnetrons independent of its wave characteristics arranged in a particular fashion to avoid wave interferences and concentrated heating without turn tables. The invention also explains the various embodiments of the invention like solvent dehydration and solvent recovery using the above mentioned invention.

Abstract translation: 本发明描述了可应用于采用多个磁控管的RF / MW加热系统加热的任何尺寸的大型微波/射频（RF / MW）加热设备，其独立于以特定方式布置的波特性，以避免波干扰和集中加热而无转台。 本发明还解释了使用上述发明的溶剂脱水和溶剂回收的本发明的各种实施方案。

公开(公告)号：WO2014114161A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：PCT/CN2013/090419

申请日：2013-12-25

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 耿波 ,  叶华 ,  文莉辉 ,  杨玉杰 ,  夏威 ,  王厚工 ,  丁培军

IPC: C23C14/38

CPC classification number: C23C14/086

Abstract: 一种ITO薄膜溅射的方法，包括以下步骤：（1）向反应腔内通入工艺气体，并设定反应腔体内的工艺气体压力高于能使工艺气体辉光放电的预定压力；（2）开启直流溅射电源，向靶材施加溅射功率，并限制直流电源的输出电压，使其小于或等于预设电压值；（3）将反应腔体内的工艺气体压力降低到预定压力以下，用直流溅射电源向靶材施加溅射功率，进行溅射。还提供了一种基于所述ITO薄膜溅射方法的ITO薄膜溅射设备。