公开(公告)号：WO2022076423A1

公开(公告)日：2022-04-14

申请号：PCT/US2021/053586

申请日：2021-10-05

Applicant: UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA

Inventor： JACOB, Ajey ,  JAISWAL, Akhilesh

IPC: G11C11/14 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C13/04 ,  G11C13/06

Abstract: An ultrafast non-volatile memory cell for wafer-scale integration includes a voltage divider that outputs an output voltage. The voltage divider includes a reference resistive device that is a reference magnetic tunnel junction or another reference resistive component and a switchable magnetic tunnel junction that includes a free magnet and a fixed magnet. The switchable magnetic tunnel junction configured such that the free magnet is light switchable between a high impedance state and a low impedance state upon application of an electric signal and incident light. A transistor switch is configured to activate the voltage divider for memory write and read operations. A light modulator is in electrical communication with the output voltage from the voltage divider. The light modulator is configured to modulate a guided light beam for memory read operations. Arrays of the memory cells are also provided.

公开(公告)号：WO2010134697A3

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：PCT/KR2010002281

申请日：2010-04-14

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD ,  BAE JAE-CHEOL ,  KIM JOO-HO ,  LEE JIN-KYUNG

Inventor： BAE JAE-CHEOL ,  KIM JOO-HO ,  LEE JIN-KYUNG

IPC: G11B7/00 ,  G11B9/00 ,  G11C13/06

CPC classification number: H01L27/14603 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/149 ,  G11B11/002 ,  G11C13/04 ,  G11C13/047 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14647 ,  H01L33/06

Abstract: Provided are optical memory device and a method of recording/reproducing information by using the optical memory device. The optical memory device includes a substrate; a first barrier layer formed on the substrate; a quantum well layer; a second barrier layer; a quantum dot layer; and a third barrier layer. The quantum well layer has an energy band gap which is wider than that of the quantum dot layer, and the second barrier layer has an energy band gap which is wider than that of the quantum well layer, so that electrons in excitons which are generated in the quantum dot layer by light of a certain wavelength are captured by the quantum well layer to record information, and then, recorded information may be erased or reproduced by irradiating light of a certain wavelength to the optical memory device.

Abstract translation: 提供了光学存储器件和通过使用光学存储器件来记录/再现信息的方法。 光学存储器件包括衬底; 形成在所述基板上的第一阻挡层; 量子阱层; 第二阻挡层; 量子点层; 和第三阻挡层。 量子阱层具有比量子点层更宽的能带隙，并且第二势垒层具有比量子阱层更宽的能带隙，使得在激子中产生的电子在 通过量子阱层捕获由一定波长的光量化的量子点层以记录信息，然后可以通过将某一波长的光照射到光学存储器件来擦除或再现记录的信息。

公开(公告)号：WO2020114532A1

公开(公告)日：2020-06-11

申请号：PCT/DE2019/000292

申请日：2019-11-06

Applicant: FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH

Inventor： HARDTDEGEN, Hilde ,  MIKULICS, Martin

IPC: G11C13/04 ,  G11C13/06 ,  G02F3/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Bauelement, umfassend wenigstens einen Speicherbereich enthaltend optisch aktives Material, eine Steuerungsanordnung mit wenigstens einem Steuerungssignal zur Veränderung der optischen Eigenschaften des optisch aktiven Materials, sowie Mittel zur Erfassung der Veränderung der optischen Eigenschaften des optisch aktiven Materials, umfassend einen Auswerteeingangsbereich umfassend wenigstens ein Auswerteeingangssignal und einen Auswerteausgangsbereich umfassend ein Auswerteausgangssignal, wobei der Speicherbereich zwischen Auswerteeingangsbereich und Auswerteausgangsbereich angeordnet ist und die Steuerungsanordnung an den Speicherbereich angrenzt. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Verarbeitung und/oder Speicherung von Informationen bei dem das erfindungsgemäße Bauelement verwendet wird.

公开(公告)号：WO2015072856A3

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：PCT/NL2014050787

申请日：2014-11-14

Applicant: STICHTING KATHOLIEKE UNIV

Inventor： RASING THEODORUS HENRICUS MARICUS MARIA ,  SAVOINI MATTEO

IPC: G11C13/06 ,  G11B11/10 ,  G11C11/16 ,  G11C13/04

CPC classification number: G11C11/02 ,  G11C11/16 ,  G11C13/04 ,  G11C13/06

Abstract: The present invention is in the field of a magneto optical device comprising a magnetic unit and an optical unit, an electronic device comprising the magneto-optic device, a method of energy saving using the magneto- optical device, an array comprising the magneto-optical devices, and a method of changing magnetic orientation.

Abstract translation: 本发明属于包括磁性单元和光学单元的磁光学装置的领域，包括该磁性光学装置的电子装置，使用该磁光学装置的节能方法，包括该磁光学装置的阵列 装置以及改变磁性取向的方法。

公开(公告)号：WO2010134697A2

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：PCT/KR2010/002281

申请日：2010-04-14

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO,. LTD. ,  BAE, Jae-Cheol ,  KIM, Joo-Ho ,  LEE, Jin-Kyung

Inventor： BAE, Jae-Cheol ,  KIM, Joo-Ho ,  LEE, Jin-Kyung

IPC: G11B7/00 ,  G11B9/00 ,  G11C13/06

CPC classification number: H01L27/14603 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/149 ,  G11B11/002 ,  G11C13/04 ,  G11C13/047 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14647 ,  H01L33/06

Abstract: Provided are optical memory device and a method of recording/reproducing information by using the optical memory device. The optical memory device includes a substrate; a first barrier layer formed on the substrate; a quantum well layer; a second barrier layer; a quantum dot layer; and a third barrier layer. The quantum well layer has an energy band gap which is wider than that of the quantum dot layer, and the second barrier layer has an energy band gap which is wider than that of the quantum well layer, so that electrons in excitons which are generated in the quantum dot layer by light of a certain wavelength are captured by the quantum well layer to record information, and then, recorded information may be erased or reproduced by irradiating light of a certain wavelength to the optical memory device.

Abstract translation: 提供了光学存储器件和通过使用光学存储器件来记录/再现信息的方法。 光学存储器件包括衬底; 形成在所述基板上的第一阻挡层; 量子阱层; 第二阻挡层; 量子点层; 和第三阻挡层。 量子阱层具有比量子点层更宽的能带隙，并且第二势垒层具有比量子阱层更宽的能带隙，使得在激子中产生的电子在 通过量子阱层捕获由一定波长的光量化的量子点层以记录信息，然后可以通过将某一波长的光照射到光学存储器件来擦除或再现记录的信息。

公开(公告)号：WO2017139820A1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：PCT/AT2017/060028

申请日：2017-02-14

Applicant: TECHNISCHE UNIVERSITÄT WIEN

Inventor： MÜLLER, Danny ,  WEINBERGER, Peter

IPC: G01N21/21 ,  G11B7/242 ,  G01N21/84 ,  G11C13/06 ,  G02F1/01 ,  G02F1/09 ,  G02F3/02 ,  G02F1/00 ,  G11C11/16 ,  G01N21/17 ,  G01N21/35 ,  G01N21/55 ,  G11B7/243

CPC classification number: G01N21/21 ,  G01N21/35 ,  G01N21/55 ,  G01N21/8422 ,  G01N2021/1731 ,  G01N2021/1761 ,  G01N2021/218 ,  G11B7/241 ,  G11B7/242 ,  G11B2007/24306 ,  G11C11/1673 ,  G11C13/06

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bestimmen des Spinzustands einer Spinübergangsverbindung mittels Bestrahlung mit Licht in einem definierten Wellenlängenbereich, um eine Wechselwirkung des Lichts mit der Spinübergangsverbindung zu bewirken, Detektion von durch diese Wechselwirkung verursachten Änderungen der Eigenschaften des Lichts und Korrelation dieser Änderungen mit dem Spinzustand der Verbindung, wobei als Spinübergangsverbindung ein chiraler Übergangsmetallkomplex mit in Abhängigkeit vom Spinzustand veränderlichen chirooptischen Eigenschaften eingesetzt wird, die Bestrahlung mit polarisiertem Licht erfolgt und die Änderung der Eigenschaften des Lichts mit den chirooptischen Eigenschaften der Verbindung korreliert werden, dadurch gekennzeichnet, dass die Bestrahlung mit linear polarisiertem Licht erfolgt und eine Änderung der Polarisationsrichtung des Lichts detektiert und diese mit dem Spinzustand der Verbindung in Korrelation gesetzt wird.

Abstract translation:

本发明涉及一种用于确定通过照射光以限定的波长BEAR长度范围bergangsverbindung与自旋导航使用的光的相互作用的纺丝导航用途的自旋状态通过这种相互作用引起bergangsverbindung，检测 引起在光的连接的自旋状态的这些BEAR改变，其中自旋导航用途是用来方向工会chirooptischen性能，具有偏振光的照射相关的属性BEAR变化;在旋转状态依赖性版本＆AUML; bergangsverbindung与依赖＆AUML手性导航使用过渡金属配合物 发生和熊改变光与化合物的chirooptischen属性的属性相关联，其特征在于：照射的直线偏振光进行，并且一个GIRL检测的光的偏振方向和变化，随着Ve的自旋状态 相关性设置。

公开(公告)号：WO2015072856A4

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：PCT/NL2014050787

申请日：2014-11-14

Applicant: STICHTING KATHOLIEKE UNIV

Inventor： RASING THEODORUS HENRICUS MARICUS MARIA ,  SAVOINI MATTEO

IPC: G11C13/06 ,  G11B11/10 ,  G11C11/16 ,  G11C13/04

CPC classification number: G11C11/02 ,  G11C11/16 ,  G11C13/04 ,  G11C13/06

Abstract: The present invention is in the field of a magneto optical device comprising a magnetic unit and an optical unit, an electronic device comprising the magneto-optic device, a method of energy saving using the magneto- optical device, an array comprising the magneto-optical devices, and a method of changing magnetic orientation.

Abstract translation: 本发明涉及包括磁单元和光学单元的磁光学装置领域，包括磁光装置的电子装置，使用磁光装置的节能方法，包括磁光学的阵列 装置和改变磁方向的方法。

公开(公告)号：WO2011124479A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：PCT/EP2011/054587

申请日：2011-03-25

Applicant: LEIBNIZ-INSTITUT FÜR FESTKÖRPER- UND WERKSTOFFFORSCHUNG DRESDEN E.V. ,  SCHÄFER, Rudolf

Inventor： SCHÄFER, Rudolf

IPC: G11C19/08 ,  G11C13/06

CPC classification number: G11C19/0841 ,  G01R33/032 ,  G01R33/10 ,  G01R33/1284 ,  G11B11/10539 ,  G11B2005/0002 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/06

Abstract: Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Anordnung zur Manipulation von in einem magnetischen Medium gespeicherten Domäneninformationen, bei dem durch das Medium spin-polarisierte elektrische Strompulse hindurchgeleitet werden, die eine Domänenwandverschiebungen auf der Basis des Racetrack-Memory-Verfahrens bewirken, so zu gestalten, dass eine Verringerung der Stromdichte und der Elektromigration möglich wird. Das erfindungsgemäße Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, dass zum Zwecke einer Reduzierung der für die Domänenwandverschiebung erforderlichen Stromdichte das Medium mit polarisiertem gepulstem Laserlicht unter Nutzung des Effektes einer Umkehr des magnetooptischen Gradienteneffektes zur Erzeugung eines Drehmomentes am Spinsystem der Domänenwände beleuchtet wird, wobei Domänen, die in der Ebene der Mediumoberfläche magnetisiert sind, in senkrechter Inzidenz und Domänen, deren Magnetisierung senkrecht zur Mediumoberfläche ausgerichtet ist, in schräger Inzidenz beleuchtet werden. Ein weiteres wesentliches erfindungsgemäßes Merkmal besteht darin, dass die Wellenlänge, die Pulsdauer und die Fluenz des gepulsten Laserlichtes so gewählt werden, dass durch das Laserlicht kein Wärmeeintrag in das magnetische Medium erfolgt, welcher zu einer Erwärmung des Mediums führen würde, die über die durch die elektrischen Strompulse erzeugte Wärme hinausgeht. Die erfindungsgemäße Anordnung ist gekennzeichnet durch eine Pulslaserquelle zur Beleuchtung einer in dem Medium vorhandenen planar oder senkrecht magnetisierten Domänenstruktur mit einem polarisierten Laserstrahl. Das erfindungsgemäße Verfahren und die Anordnung sind insbesondere auf dem Gebiet der magnetischen Datenspeicherung anwendbar.

Abstract translation: 本发明具有提供一种方法的对象和用于在自旋极化通过电电流脉冲引起赛道存储器方法的基础上，磁畴壁位移的介质，因此被传递操纵存储在磁介质域信息数据的排列 使在电流密度和电迁移的降低是可能的。 本发明的方法的特征在于，用于减少所需的畴壁位移电流密度的目的，用偏振光的脉冲激光的介质通过使用磁畴壁的自旋系统上产生转矩的磁光Gradienteneffektes的逆转的效果照明，其中，在所述域 介质表面的水平被磁化，在垂直入射和域的磁化垂直取向于介质表面，在斜入射被照射。 本发明的另一个基本特征是，所述脉冲激光的波长，脉冲持续时间和能量密度被选择为使得由激光实现无热量输入到磁介质，这将导致在所述介质的加热，其中由 变为电流脉冲产生的热。 用于照明的平面存在于培养基或垂直磁化域结构，其具有偏振激光束的本发明的装置的特征在于，由激光源。 本发明的方法和布置特别适用于磁数据存储领域。

公开(公告)号：WO1991020084A1

公开(公告)日：1991-12-26

申请号：PCT/US1991004085

申请日：1991-06-10

Applicant: MICROUNITY SYSTEMS ENGINEERING, INC.

Inventor： MICROUNITY SYSTEMS ENGINEERING, INC. ,  MATTHEWS, James, A.

IPC: G11C13/06

CPC classification number: G11C11/18 ,  G02F1/09 ,  G02F1/19 ,  G11C7/005 ,  G11C13/04

Abstract: An optical modulator utilizing a magnetic semiconductor device, whose operation is based on the Hall effect, includes a magnetic material (33) formed on a semiconductor substrate (27). When an incoming beam of light (105) having a dominant polarization direction is directed onto the magnetic material (33) it becomes modulated. The result is an outgoing beam of light (106) which has a rotated plane of polarization when compared to the dominant polarization direction. The direction of the rotated plane of polarization is indicative of the information stored in the magnetic material (33). The modulator of the present invention further includes a means for writing the information to the magnetic material and a semiconductor sensor means (35) for electrically verifying the contents of the magnetic material (33).

公开(公告)号：WO2022070325A1

公开(公告)日：2022-04-07

申请号：PCT/JP2020/037199

申请日：2020-09-30

Applicant: 国立大学法人東北大学 ,  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構

Inventor： 水上　成美 ,  深見　俊輔 ,  新田　淳作 ,  飯浜　賢志 ,  平山　祥郎 ,  境　誠司

IPC: G11C13/06 ,  G11C11/16 ,  G11C11/56

Abstract: 本発明の光磁気メモリインターフェースは、複数の磁気記録セルが配置されたメモリセル構造体と、前記メモリセル構造体に複数配置されている磁気記録セルを個々にあるいは任意数選択して電気信号を印加可能とする選択手段と、複数配置された任意数の前記磁気記録セルに対し光信号を照射する光照射部を具備し、前記磁気記録セルは前記光照射部からの照射光に応答して自身の磁化状態変化の感度が増大する磁気記録セルであり、前記磁気記録セルは前記光照射部からの照射光に起因し前記選択手段による選択に起因する印加電気信号に応じて自身の磁化状態が変化する磁気記録セルであることを特徴とする。