公开(公告)号：WO2021053933A1

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：PCT/JP2020/026382

申请日：2020-07-06

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 鈴木　勝之 ,  池内　伸介 ,  黒川　文弥 ,  岸本　諭卓 ,  山田　一 ,  小林　真人

IPC: H01L41/047 ,  H01L41/187 ,  H01L41/29 ,  H01L41/313 ,  H01L41/332 ,  H01L41/337

Abstract: 圧電素子(１００)は、圧電体層(１１０)と、第１電極層(１２０)と、第２電極層(１３０)と、接続電極(１４０)とを備えている。第２電極層(１３０)は、少なくとも一部が圧電体層(１１０)を介して第１電極層(１２０)と対向している。第２電極層(１３０)は、接続面(１３１)を有している。接続面(１３１)は、第２電極層(１３０)のうち第１電極層(１２０)と対向していない領域において貫通孔(１１３)に面している。接続電極(１４０)は、接続面(１３１)上に設けられている。接続面(１３１)と、第２電極層(１３０)の圧電体層(１１０)側の面のうち接続面(１３１)以外の部分との位置の差は、５ｎｍ以下である。

公开(公告)号：WO2020097594A1

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：PCT/US2019/060662

申请日：2019-11-10

Applicant: MEMS DRIVE, INC.

Inventor： WANG, Guiqin ,  LIU, Xiaolei ,  SAMIEE, Mahmood ,  WANG, Yufeng

IPC: H01L41/332 ,  H01L41/047 ,  H01L41/053 ,  H01L41/08 ,  H01L41/317 ,  H02N2/04

Abstract: A method of generating a piezoelectric actuator includes: forming a piezoelectric member upon a rigid substrate; and removing one or more portions of the rigid substrate to form one or more gaps in the rigid substrate, thus defining at least one deformable portion of the piezoelectric member and at least one rigid portion of the piezoelectric member

公开(公告)号：WO2018057071A1

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：PCT/US2017/036329

申请日：2017-06-07

Applicant: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION

Inventor： WEN, Haoran ,  AYAZI, Farrokh ,  DURAWALLA, Anosh

IPC: H03H9/13 ,  H03H9/02 ,  H03H3/007 ,  H01L41/29 ,  H01L41/047 ,  H01L41/18 ,  H01L41/331 ,  H01L41/332 ,  G01C19/5698

CPC classification number: G01C19/5698 ,  H03H3/007 ,  H03H3/0072 ,  H03H9/02259 ,  H03H9/02338 ,  H03H9/2431 ,  H03H2009/02346 ,  H03H2009/241

Abstract: A bulk acoustic wave resonator apparatus includes a resonator member having an annulus shape, and at least one anchor structure coupling the resonator member to a substrate. A perimeter of the resonator member is at least partially defined by respective sidewalls that are slanted at an angle relative to a plane defined by a surface of the resonator member. The surface of the resonator member may be defined by a (100) crystal plane, and the angle of the respective sidewalls may be defined by a (111) crystal plane. Related fabrication methods are also discussed.

Abstract translation: 体声波谐振器装置包括具有环形形状的谐振器构件以及将谐振器构件耦合到基板的至少一个锚定结构。 谐振器构件的周边至少部分地由各自的侧壁限定，所述侧壁相对于由谐振器构件的表面限定的平面倾斜一个角度。 谐振器构件的表面可以由（100）晶面限定，并且各个侧壁的角度可以由（111）晶面限定。 还讨论了相关的制造方法。

公开(公告)号：WO2017065133A1

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：PCT/JP2016/080105

申请日：2016-10-11

Applicant: 株式会社サイオクス ,  住友化学株式会社

Inventor： 柴田　憲治 ,  渡辺　和俊 ,  堀切　文正

IPC: H01L41/187 ,  C01G33/00 ,  C23C14/08 ,  H01L41/316 ,  H01L41/332

CPC classification number: C01G33/00 ,  C23C14/08 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  H01L41/332

Abstract: 基板と、基板上に製膜された電極膜と、電極膜上に製膜された圧電薄膜と、を備え、圧電薄膜は、組成式（Ｋ １－ｘ Ｎａ ｘ ）ＮｂＯ ３ （０＜ｘ＜１）で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物が（００１）面方位に優先配向してなり、ＭｎおよびＣｕからなる群より選択される金属元素を、０．２ａｔ％以上０．６ａｔ％以下の濃度で含む。

Abstract translation: 衬底，形成在所述衬底上的电极膜，以及形成在所述电极膜上的压电薄膜，其中所述压电薄膜具有组成式（K1- X 娜<子> X ）的NbO <子> 3 （0 <具有由表示的钙钛矿结构的碱氧化铌X <1）是（001）优先于表面取向 取向且含有选自由0.2原子％以上且0.6原子％以下的浓度的由Mn和Cu组成的组中的金属元素。

公开(公告)号：WO2016093078A1

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：PCT/JP2015/083318

申请日：2015-11-27

Applicant: コニカミノルタ株式会社

Inventor： 渋谷　和樹

IPC: H01L41/187 ,  B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  B81B3/00 ,  B81C3/00 ,  H01L41/09 ,  H01L41/312 ,  H01L41/332 ,  H02N2/00

CPC classification number: B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  B81B3/00 ,  B81C3/00 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/312 ,  H01L41/332 ,  H02N2/00

Abstract: 　アクチュエータ（２１ａ）は、基板（２２）側から、下部電極（２４）、圧電体層（２５）および上部電極（２６）をこの順で有する。圧電体層（２５）は、ペロブスカイト構造をそれぞれ持ち、かつ、添加物の添加量が互いに異なる２つの圧電層を有している。積層される２つの圧電層のうち、添加物の添加量が相対的に多い圧電層を第１圧電層（２５ａ）とし、添加物の添加量が相対的に少ない圧電層を第２圧電層（２５ｂ）としたとき、圧電体層（２５）の厚み方向に垂直な面内において、第２圧電層（２５ｂ）の面積は、第１圧電層（２５ａ）の面積よりも小さい。

Abstract translation: 致动器（21a）依次从基板（22）侧依次包括下电极（24），压电体层（25）和上电极（26）。 压电体层25包括两个具有钙钛矿结构的压电层，并且在添加剂的添加量中彼此不同。 在两个层叠压电体层中，如果添加相对大量的添加剂的压电体层被称为第一压电体层（25a），并且将相对少量的添加剂添加到其中的压电体层 作为第二压电体层（25b），在垂直于压电体层（25）的厚度方向的平面内，第二压电体层（25b）的面积小于第一压电体层（25a）的面积 ）。

公开(公告)号：WO2015076135A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：PCT/JP2014/079724

申请日：2014-11-10

Applicant: コニカミノルタ株式会社

Inventor： 中野　陽介

IPC: H01L41/332 ,  B41J2/16 ,  H01L41/09 ,  H01L41/319

CPC classification number: B41J2/1631 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1628 ,  B41J2002/14459 ,  B41J2002/14491 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/319 ,  H01L41/332

Abstract: 　薄膜圧電アクチュエータの製造方法は、基板（２）の一方の面上に圧電素子（７）をパターニング形成する工程と、基板（２）の一方の面側に第１の分割溝（１１）をドライエッチングによってパターニング形成する工程と、基板（２）の一方の面上に、圧電素子（７）および第１の分割溝（１１）を覆って表面を平坦化する第１のレジスト（１２）を形成する工程と、第１のレジスト（１２）上にフィルム基材を貼り付ける工程と、基板（２）の他方の面上に第２のレジストを形成する工程と、第２のレジストをマスクとして、基板（２）を他方の面側からドライエッチングすることにより、振動板と、第１の分割溝（１１）とつながって貫通する第２の分割溝とを同時に形成する工程とを有している。

Abstract translation: 这种制造薄膜压电致动器的方法具有：在基板（2）的一个表面上形成压电元件（7）的步骤; 通过干蚀刻在衬底（2）的一个表面侧上形成第一分隔沟槽（11）的步骤; 用于在基板（2）的一个表面上形成第一抗蚀剂（12）的步骤，所述第一抗蚀剂通过覆盖压电元件（7）和第一分隔沟槽（11）来平坦化表面。 在第一抗蚀剂（12）上粘合薄膜基材的步骤; 在所述基板（2）的另一个表面上形成第二抗蚀剂的步骤; 以及通过使用第二抗蚀剂作为掩模从另一个表面侧干法蚀刻基板（2），一次形成隔膜和第二分隔沟槽的步骤，所述第二分隔沟槽通过连接到基板 第一分割沟槽（11）。

公开(公告)号：WO00063978A2

公开(公告)日：2000-10-26

申请号：PCT/US2000/010601

申请日：2000-04-20

IPC: H01L41/047 ,  H01L41/083 ,  H01L41/187 ,  H01L41/29 ,  H01L41/293 ,  H01L41/332 ,  H01L41/00

CPC classification number: H01L41/29 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/0472 ,  H01L41/0831 ,  H01L41/277 ,  H01L41/293 ,  H01L41/297 ,  H01L41/332 ,  Y10T29/42

Abstract: A process for fabricating piezoelectric elements each having a wrap-around electrode to be used in a differential actuator design where electrical connections is made to the bottom electrode of the element from the top surface of the element. The wrap-around electrode is formed during the creation of the elements instead of on an element by element basis.

Abstract translation: 一种用于制造压电元件的方法，每个压电元件具有用于差动致动器设计中的环绕电极，其中从元件的顶表面向元件的底部电极进行电连接。 环绕电极在元件的创建期间形成，而不是逐个元件的基础。

公开(公告)号：WO2022063149A1

公开(公告)日：2022-03-31

申请号：PCT/CN2021/119758

申请日：2021-09-23

Applicant: 苏州汉天下电子有限公司

Inventor： 唐兆云 ,  王家友 ,  唐滨 ,  赖志国 ,  杨清华

IPC: H03H9/17 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02 ,  H01L41/332

Abstract: 一种FBAR谐振器制造方法，在衬底上形成下电极；在下电极和衬底上形成介质层或压电层，具有第一厚度；平坦化介质层或压电层以将第一厚度减小为第二厚度；刻蚀介质层或压电层直至暴露下电极；在下电极和衬底上形成压电层或另一压电层；在该压电层或另一压电层上形成上电极。依照本发明的谐振器制造方法，依次采用沉积、平坦化、刻蚀工艺分步形成具有平坦表面的平面，减少了缺陷，避免了声波能量泄漏。

公开(公告)号：WO2020121804A1

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：PCT/JP2019/046179

申请日：2019-11-26

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 鈴木　勝之 ,  池内　伸介 ,  會田　康弘 ,  櫻井　敦

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/332 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L29/41

Abstract: 圧電薄膜素子（１０１）は、平面的に見たときに保持部（２６）とメンブレン部（２０）とを備える構造であって、断面で見たときに、少なくともメンブレン部（２０）は、ＳｃＡｌＮからなる第１圧電層（２）と、第１圧電層（２）の上側に配置された中間導電膜（１４）と、中間導電膜（１４）の上側に配置されてＳｃＡｌＮからなる第２圧電層（３）とを備える。第２圧電層（３）の全域において、第２圧電層（３）の下に中間導電膜（１４）が延在している。

公开(公告)号：WO2020111041A1

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：PCT/JP2019/046103

申请日：2019-11-26

Applicant: 京セラ株式会社

Inventor： 副島　宗高 ,  ▲高▼浪　俊

IPC: H01L41/047 ,  H01L41/053 ,  H01L41/113 ,  H01L41/29 ,  H01L41/332 ,  G01C19/5628

Abstract: 多軸角速度センサにおいて、Ｄ３軸に直交する基板部は、Ｄ２軸に平行な１対の長辺と、Ｄ１軸に平行な１対の短辺とを有している。３軸用の３つのセンサ素子は、基板部の上面に実装されている。センサ素子の圧電体は、複数の腕を有している。これらの腕は、上面の平面視において所定の延在方向に延びている。圧電体は、腕の延在方向を長手方向としている。３つのセンサ素子のうち２つは、腕の延在方向が基板部の長辺に平行になる向きで、基板部の短辺に沿う方向に並んでいる。残りの１つは、腕の延在方向が短辺に平行になる向きで、前記２つの素子に対して長辺に沿う方向に並んでいる。