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    ULTRASHORT LASER SYNTHESIS OF NANOPARTICLES OF ISOTOPES
    1.
    发明申请
    ULTRASHORT LASER SYNTHESIS OF NANOPARTICLES OF ISOTOPES 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022020959A1

    公开(公告)日：2022-02-03

    申请号：PCT/CA2021/051064

    申请日：2021-07-29

    Applicant: VENKATAKRISHNAN, Krishnan ,  TAN, Bo

    Inventor： VENKATAKRISHNAN, Krishnan ,  TAN, Bo

    IPC: C30B29/02 ,  B01J2/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B30/00 ,  C30B35/00 ,  G01N21/65 ,  G01N33/52 ,  H05H6/00

    Abstract: Methods of synthesizing nanoparticles of an isotope using a laser beam are described herein. The methods include generating the laser beam, directing the laser beam to the target to convert the target into a plasma state, and bombarding the target in the plasma state with the laser beam to maintain the target in the plasma state and synthesize the nanoparticles of the isotope. During bombarding the target in the plasma state with the laser beam, the laser beam is configured to have a pulse frequency and peak laser intensity that accelerates electrons in the plasma state and maintains the plasma state at a temperature high enough to provide for the synthesis of the nanoparticles of the isotope. Apparatuses for synthesizing nanoparticles of an isotope using a laser beam are also described herein.

    一种黑磷薄膜、其制备方法和应用
    2.
    发明申请
    一种黑磷薄膜、其制备方法和应用 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021174527A1

    公开(公告)日：2021-09-10

    申请号：PCT/CN2020/078188

    申请日：2020-03-06

    Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

    Inventor： 张凯 ,  徐轶君 ,  史鑫尧

    IPC: C23C16/28 ,  C30B25/18 ,  C30B29/02

    Abstract: 本发明涉及二维材料技术领域，具体是一种黑磷薄膜的制备方法，其特征在于，包括：将生长基底、含磷前驱物和矿化剂置于真空密闭的反应腔室内，其中，所述生长基底和所述含磷前驱物被置于所述真空密闭的反应腔室内的不同区域；加热所述反应腔室后保温，使所述矿化剂和部分源于含磷前驱物的含磷气体反应，在所述生长基底上形成用于诱导黑磷结晶的诱导成核点或诱导成核层；降低所述反应腔室的温度，使所述含磷气体沉积在所述生长基底上，在所述诱导成核点或诱导成核层的诱导下外延生长形成所述黑磷薄膜。本发明制备的黑磷薄膜具有高质量和高结晶性，可重复性强，适用于黑磷薄膜的大面积及批量生产，满足实际应用中的产业化需求。

    PROCEDE DE PREPARATION DE NANOPARTICULES D'OR PENTAMACLEES A HAUTE CONCENTRATION
    3.
    发明申请
    PROCEDE DE PREPARATION DE NANOPARTICULES D'OR PENTAMACLEES A HAUTE CONCENTRATION 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020254630A1

    公开(公告)日：2020-12-24

    申请号：PCT/EP2020/067192

    申请日：2020-06-19

    Applicant: UNIVERSITE CLAUDE BERNARD LYON 1 ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) ,  ECOLE NORMALE SUPERIEURE DE LYON

    Inventor： CHATEAU, Denis ,  PAROLA, Stéphane ,  SANTUCCI, Stéphane

    IPC: C30B7/14 ,  C30B29/02 ,  C30B29/60

    Abstract: La présente invention concerne un procédé de préparation de nanoparticules d'or pentamaclées comprenant au moins les étapes suivantes : i) fournir une suspension de germes d'or comprenant des germes d'or, un agent tensioactif cationique et au moins un solvant inerte, la température de ladite suspension étant comprise entre 30 et 75°C; ii) fournir une solution de croissance comprenant un sel d'or, un agent tensioactif cationique, un agent réducteur, ledit agent réducteur étant un composé aromatique comprenant au moins un noyau aromatique porteur d'au moins un groupe hydroxyle, et optionnellement au moins une base; iii) soumettre la suspension de germes d'or de l'étape i) à un traitement de croissance comprenant les étapes suivantes : iii 1 ) ajouter de façon contrôlée la solution de croissance de l'étape ii) dans la suspension de germes d'or de l'étape i); iii 2 ) maintenir la température du mélange obtenu à l'étapeiii 1 ) à une température comprise entre 30°C et 75°C pendant au moins 5 minutes. L'invention a également pour objet une nanosuspension susceptible d'être obtenue selon le procédé de l'invention, et son utilisation pour la fabrication d'un capteur optique.

    METHOD OF PRODUCING GRAPHENE
    7.
    发明申请
    METHOD OF PRODUCING GRAPHENE 审中-公开
    生产石墨的方法

    公开(公告)号：WO2017036527A1

    公开(公告)日：2017-03-09

    申请号：PCT/EP2015/070096

    申请日：2015-09-02

    Applicant: INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIALOW ELEKTRONICZNYCH

    Inventor： PASTERNAK, Iwona ,  STRUPINSKI, Włodzimierz

    IPC: C30B25/18 ,  C30B29/02

    CPC classification number: C30B29/02 ,  C30B25/18

    Abstract: The invention is related to a method of producing graphene by deposition of carbon from gaseous phase on a substrate in a reactor, comprising following steps: a) providing the substrate in the reactor; b) providing elevated temperature conditions in the reactor; c) providing lower pressure conditions in the reactor; d) evoking a flow of a gas in the reactor, said gas comprising at least a carbon precursor gas mixed with an inert gas and optionally mixed with hydrogen; e) under such conditions of the elevated temperature, the lower pressure and the gas flow - depositing carbon from the gaseous phase on the substrate thus forming graphene; characterized in that a wafer having a crystalline layer of germanium having the crystallographic orientation (100) intended for graphene deposition thereon is used as the substrate.

    Abstract translation: 本发明涉及通过在反应器中将气相沉积在基底上来生产石墨烯的方法，包括以下步骤：a）在反应器中提供基材; b）在反应器中提供高温条件; c）在反应器中提供较低的压力条件; d）引起反应器中的气体流，所述气体至少包括与惰性气体混合并任选与氢气混合的碳前体气体; e）在升高的温度条件下，较低的压力和气体流动 - 从基底上的气相沉积碳，从而形成石墨烯; 其特征在于，使用具有用于石墨烯沉积的结晶取向（100）的具有锗结晶层的晶片作为基板。

    ORDERED GROWTH OF LARGE CRYSTAL GRAPHENE BY LASER-BASED LOCALIZED HEATING FOR HIGH THROUGHPUT PRODUCTION
    8.
    发明申请
    ORDERED GROWTH OF LARGE CRYSTAL GRAPHENE BY LASER-BASED LOCALIZED HEATING FOR HIGH THROUGHPUT PRODUCTION 审中-公开
    通过基于激光的本地化加热对大型晶体生长进行大规模生长的订单生长

    公开(公告)号：WO2015072927A1

    公开(公告)日：2015-05-21

    申请号：PCT/SG2014/000540

    申请日：2014-11-17

    Applicant: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE

    Inventor： ÖZYILMAZ, Barbaros ,  TOH, Chee Tat

    IPC: C01B31/04 ,  B23K26/50 ,  B01J19/08 ,  C30B29/02 ,  B82Y40/00

    CPC classification number: C30B25/105 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B32/188 ,  C30B13/24 ,  C30B25/12 ,  C30B25/18 ,  C30B29/02 ,  C30B29/605 ,  H01L29/1606

    Abstract: A method of making an ordered graphene structure includes exposing a substrate to a laser beam to locally melt a portion of the substrate, exposing the substrate to a laser beam in the presence of a carbon source, to form a nucleation site for a graphene crystal, and either a) moving either the substrate or the laser beam relative to the other, or b) decreasing the laser beam power, in order to increase the size of the graphene crystal, thereby forming an ordered graphene structure. The ordered structure can be a plurality of columns, hexagons, or quadrilaterals. Each ordered structure can have a single crystal of graphene. A polymer coating can be formed on the ordered graphene structure to form a coated graphene structure.

    Abstract translation: 制造有序石墨烯结构的方法包括将基板暴露于激光束以局部熔化基板的一部分，在碳源的存在下将基板暴露于激光束，以形成石墨烯晶体的成核位置， 并且a）相对于另一个移动衬底或激光束，或b）降低激光束功率，以增加石墨烯晶体的尺寸，从而形成有序的石墨烯结构。 有序结构可以是多个列，六边形或四边形。 每个有序结构可以具有石墨烯的单晶。 可以在有序的石墨烯结构上形成聚合物涂层以形成涂覆的石墨烯结构。

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