中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

105 records (took 0.018 seconds)

    磁歪部材及び磁歪部材の製造方法
    1.
    发明申请
    磁歪部材及び磁歪部材の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022224974A1

    公开(公告)日：2022-10-27

    申请号：PCT/JP2022/018229

    申请日：2022-04-19

    Applicant: 住友金属鉱山株式会社

    Inventor： 大久保　和彦 ,  栴檀　祐暉 ,  泉　聖志

    IPC: C30B29/62 ,  B24B7/22 ,  C22C38/00 ,  C30B29/52 ,  H01L41/20 ,  H01L41/47

    Abstract: 【課題】磁歪定数及び平行磁歪量が高く、部材間の磁歪定数及び平行磁歪量のばらつきが少ない磁歪部材及び磁歪部材の製造方法を提供すること。 【解決手段】磁歪部材は、磁歪特性を有する鉄系合金の結晶からなり、表裏面を有する板状体であり、表裏面の１面は、磁歪部材の厚みと表面粗さＲａとが、下記の式（１）を満たす。　ｌｏｇＲａ≧０．４８ｔ－０．６２・・・式（１） （上記式（１）中、ｌｏｇは常用対数、Ｒａは表面粗さ（μｍ）、ｔは磁歪部材の厚み（ｍｍ）を示す。）

    磁歪部材及び磁歪部材の製造方法
    2.
    发明申请
    磁歪部材及び磁歪部材の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022172876A1

    公开(公告)日：2022-08-18

    申请号：PCT/JP2022/004487

    申请日：2022-02-04

    Applicant: 住友金属鉱山株式会社

    Inventor： 大久保　和彦 ,  大迫　千峰 ,  泉　聖志

    IPC: C30B29/52 ,  C30B11/00 ,  C30B29/62 ,  H01L41/20 ,  H01L41/47 ,  H02N2/18

    Abstract: 【課題】磁歪定数及び平行磁歪量が高く、部材間の磁歪定数及び平行磁歪量のばらつきが少ない磁歪部材及び磁歪部材の製造方法を提供すること。 【解決手段】磁歪部材は、磁歪特性を有する鉄系合金の単結晶からなり、長手方向及び短手方向を有する板状体であり、長手方向の＜１００＞方位の格子定数が、長手方向、短手方向、及び長手方向及び短手方向に直交する方向の３方向の＜１００＞方位の格子定数より計算した格子定数の平均値以下である。

    双模壳室的四室定向/单晶真空感应炉设备
    5.
    发明申请
    双模壳室的四室定向/单晶真空感应炉设备 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020181659A1

    公开(公告)日：2020-09-17

    申请号：PCT/CN2019/087696

    申请日：2019-05-21

    Applicant: 永大科技集团有限公司

    Inventor： 曹荣 ,  韦恩润 ,  冯宏伟 ,  秦虎

    IPC: B22D39/00 ,  C30B11/00 ,  C30B29/52

    Abstract: 一种双模壳室的四室定向/单晶真空感应炉设备，包括炉体、熔铸装置、真空系统、熔炼电源（22）、模壳加热电源（21）、冷却系统（26）；炉体是由加料室（4）、熔铸室（1）、第一模壳室（2）和第二模壳室（3）所构成的连通的立式四室结构；熔铸装置设置于熔铸室的门壁上；真空系统与熔铸室、第一模壳室、第二模壳室侧壁无缝连接；熔炼电源与熔铸装置连接；该设备可实现左右两个方向模壳的浇铸，同时能够水平方向移动并准确自动对中；一套熔铸装置用一次熔炼的合金液分别进行左右两个方向模壳的二次定量浇铸；两套模壳感应加热器、两套结晶盘和两套模壳升降抽拉机构可实现两个模壳的同时抽拉单晶/定向高温叶片，结构先进，可比原设备提高一倍的生产效率。

    PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PIÈCES DE TURBOMACHINE, ÉBAUCHE ET PIÈCE FINALE
    8.
    发明申请
    PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PIÈCES DE TURBOMACHINE, ÉBAUCHE ET PIÈCE FINALE 审中-公开
    制造涡轮机组件，空白和最终组件的方法

    公开(公告)号：WO2016142611A1

    公开(公告)日：2016-09-15

    申请号：PCT/FR2016/050507

    申请日：2016-03-04

    Applicant: SNECMA

    Inventor： MARTIN, Guillaume ,  MARCILLAUD, Céline, Jeanne ,  MINEUR-PANIGEON, Marie

    IPC: B22D11/00 ,  B22D11/10 ,  B22D27/04 ,  C30B15/08 ,  C30B29/52

    CPC classification number: C22F1/183 ,  B21D22/022 ,  B22D7/005 ,  B22D11/003 ,  B22D11/10 ,  B22D27/045 ,  C22C14/00 ,  C30B15/08 ,  C30B29/52

    Abstract: Il s'agit de fabriquer une pièce (19a,19b) métallique de turbomachine, comprenant des étapes consistant à: a) mettre en fusion par torche(s) à plasma et dans un moule-bague, un composé intermétallique titane-aluminium, b) en extraire un lingot, brut de fonderie, dans un état refroidi de la fusion, c) découper le lingot en au moins une ébauche (21) de forme extérieure plus simple que celle, plus complexe, de ladite pièce (19a,19b) à fabriquer, d) usiner l'ébauche (21) pour obtenir la pièce avec ladite forme extérieure plus complexe.

    Abstract translation: 这涉及制造金属涡轮机组件（19a，19b），其包括以下步骤：a）使用等离子体焰炬和环模来熔化钛 - 铝金属间化合物，b）在冷却铸件中从其中提取铸态铸锭 状态，c）将锭切割成比要制造的所述部件（19a，19b）的复杂形状更简单的外部形状的至少一个坯料或粗糙形式（21），d）加工坯料（21 ）以获得具有更复杂外部形状的部件。

    Ｆｅ－Ｇａ基合金単結晶の育成方法及び育成装置
    9.
    发明申请
    Ｆｅ－Ｇａ基合金単結晶の育成方法及び育成装置 审中-公开
    用于生长Fe-Ga基合金单晶的方法和装置

    公开(公告)号：WO2016010039A1

    公开(公告)日：2016-01-21

    申请号：PCT/JP2015/070165

    申请日：2015-07-14

    Applicant: 株式会社福田結晶技術研究所

    Inventor： 福田　承生 ,  渡辺　清和 ,  南都　十輝 ,  鈴木　茂 ,  上野　敏幸

    IPC: C30B29/52 ,  C30B15/10 ,  F27B14/10 ,  H01L41/47 ,  C22C38/00 ,  F27B14/04

    CPC classification number: C30B15/10 ,  C22C38/00 ,  C30B29/52 ,  F27B14/04 ,  F27B14/10 ,  H01L41/47

    Abstract: 　本発明は、大型の結晶を、化学組成、結晶方位を精度よく、しかも、廉価に製造することができるＦｅ－Ｇａ基合金単結晶の育成方法及び単結晶を提供することを目的とする。　本発明のＦｅ－Ｇａ基合金単結晶の育成方法は、ルツボを、外側ルツボと、該外側ルツボ内に配置された内側ルツボとからなる二重ルツボとし、前記外側ルツボの外側に配置した加熱源により加熱を行い、前記内側ルツボ内の原料融液に種結晶を接触させた後に、前記種結晶を引き上げて単結晶を育成させることを特徴とする。

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种生长Fe-Ga系合金单晶的方法，由此可以以低成本制造具有高精度化学成分和高精度晶体取向的大晶体; 和单晶。 根据本发明的用于生长Fe-Ga基合金单晶的方法的特征在于，使用的坩埚是由外坩埚和布置在外坩埚中的内坩埚构成的双坩埚，通过 在外坩埚外部设置加热源的装置，通过使籽晶与内坩埚中的原料熔融物接触，然后拉起晶种，生长单晶。

    VERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN EINER KRISTALLSCHICHT BEI NIEDRIGEN TEMPERATUREN, INSBESONDERE EINER PHOTOLUMINESZIERENDEN IV-IV-SCHICHT AUF EINEM IV-SUBSTRAT, SOWIE EIN EINE DERARTIGE SCHICHT AUFWEISENDES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    10.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN EINER KRISTALLSCHICHT BEI NIEDRIGEN TEMPERATUREN, INSBESONDERE EINER PHOTOLUMINESZIERENDEN IV-IV-SCHICHT AUF EINEM IV-SUBSTRAT, SOWIE EIN EINE DERARTIGE SCHICHT AUFWEISENDES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    METHOD FOR晶体层在低温下，特别是光致发光的IV-IV层上的IV SUBSTRATE AND SUCH表现出光电子器件的层分离

    公开(公告)号：WO2015189004A1

    公开(公告)日：2015-12-17

    申请号：PCT/EP2015/060881

    申请日：2015-05-18

    Applicant: FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH

    Inventor： GRÜTZMACHER, Detlev ,  WIRTHS, Stephan ,  BUCA, Dan Mihai ,  MANTL, Siegfried

    IPC: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/52 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

    CPC classification number: C30B25/10 ,  C09K11/66 ,  C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/10 ,  C30B29/52 ,  C30B29/68 ,  G02B6/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/02322 ,  H01S5/021 ,  H01S5/042 ,  H01S5/3027 ,  H01S5/3054

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum monolithischen Abscheiden einer einkristallinen, bei Anregung leuchtenden, aus mehreren Elementen der IV-Haupt-gruppe bestehende IV-IV-Schicht, insbesondere einer GeSn oder Si-GeSn Schicht mit einer Versetzungsdichtekleiner 6cm -2 auf einem IV-Substrat, insbesondere einem Silizium-oder Germanium-Substrat mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Hydrids eines ersten IV-Elementes (A) beispielsweise Ge 2 H 6 oder Si 2 H 6 ; Bereitstellen eines Halogenids eines zweiten IV-Elementes (B) beispielsweise SnCl 4 ; Aufheizen des Substrates auf eine Substrattemperatur, die geringer ist als die Zerlegungstemperatur des reinen Hydrids oder eines daraus gebildeten Radikals und ausreichend hoch ist, dass Atome des ersten Elementes (A) und des zweiten Elementes (B) in kristalliner Ordnung in die Oberfläche eingebaut werden, wobei die Substrattemperatur insbesondere in einem Bereich zwischen 300° C und 475° C liegt; Erzeugen eines Trägergasstroms aus einem inerten Trägergas, insbesondere N 2 , Ar, He, welches insbesondere kein H 2 ist; Transportieren des Hydrids und des Halogenids sowie daraus entstandene Zerfallsprodukte zur Oberfläche bei einem Totaldruck von maximal 300 mbar; Abscheiden der IV-IV-Schicht oder einer aus gleichartigen IV-IV-Schichten bestehende Schichtenfolge mit einer Dicke von mindestens 200 nm, wobei die abgeschiedene Schicht insbesondere eine Si y Ge 1-x-y Sn-Schicht ist, mit x > 0,08 und y ≤1.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于单片沉积单晶，从多个现有IV-IV层的IV主族元素的激发照明，特别是GeSn或Si-GeSn层IV基板上具有小于6厘米-2的位错密度 ，特别是硅或锗衬底，包括以下步骤：提供元件的第一氢化物IV（a）中，例如，Si2的H6或Ge2H6; 提供第二IV族元素（B）的卤化物，例如，四氯化锡; 加热衬底被安装在晶序中的衬底温度的表面，该表面比纯氢化物或由其形成的基团的分解温度较低，并且是足够高，使得原子，所述第一元件（A）和第二元件（B）， 其中，所述衬底温度最好在300℃和475℃之间的范围内; 产生的惰性载气的载气流，特别是N 2，氩，氦，这是特别不H2; 在最大300毫巴的总压输送氢化物和卤化物以及由此产生的任何降解产物的表面上; 沉积IV-IV-层或由类似的IV-IV层的层序列的具有厚度至少为200纳米，其中所述沉积的层是特别是SiyGe1-X-YSN层，其中x> 0.08和y≤ 第一

Patent Agency Ranking